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X線光電子分光法によるSiO2/4H-SiCエネルギーバンドプロファイルの決定
渡辺浩成、大田晃生、藤村信幸、牧原克典、宮崎誠一
応用物理学会SC東海地区学術講演会2015
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iナノドットの高密度一括形成とその埋め込みによる抵抗変化特性の向上
加藤祐介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
応用物理学会SC東海地区学術講演会2015
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GeコアSi量子ドットからのフォトルミネッセンス特性―温度依存性
近藤圭悟、牧原克典、宮崎誠一
応用物理学会SC東海地区学術講演会2015
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XPSによるSi系材料の電子親和力決定手法の検討
藤村信幸、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
応用物理学会SC東海地区学術講演会2015
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リモート水素プラズマ支援による高密度形成したFe3Siナノドットの結晶構造および磁化特性評価
張海、牧原克典、大田晃生、壁谷悠希、宮崎誠一
応用物理学会SC東海地区学術講演会2015
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Si量子ドット多重集積構造からの電子放出特性評価
竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一
第15回日本表面科学会中部支部研究会
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SiO2/4H-SiC構造の電子障壁高さの決定と欠陥準位密度の深さ方向分析
渡辺浩成、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会)
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SiOx膜へのTiナノドットの埋め込みがその抵抗変化特性に与える影響
加藤祐介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会)
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Si, 4H-SiCおよびSiO2の価電子帯上端位置と電子親和力の評価
藤村信幸、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会)
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リモート水素プラズマ照射による4H-SiC(0001)の表面改質
グェンスァンチュン, 竹内大智, 大田晃生, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会)
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Ti系薄膜およびTiナノドットを埋め込んだ SiOx膜の抵抗変化特性評価
加藤祐介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
第63回応用物理学会春季学術講演会
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磁性AFM探針を用いたFe3Siナノドットの電子輸送特性評価
張海、満行優介、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一
第63回応用物理学会春季学術講演会
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ウェット酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電子状態評価 (II)
渡辺浩成、大田晃生、藤村信幸、牧原克典、宮崎誠一
第63回応用物理学会春季学術講演会
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FePt ナノドットスタック構造における磁気伝導特性
満行優介、河瀬平雅、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一
第63回応用物理学会春季学術講演会
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磁性AFM探針を用いたFe3Siナノドットの電子輸送特性評価
張海、満行優介、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一
第63回応用物理学会春季学術講演会
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GeコアSi量子ドットにおけるGeコアサイズがPL特性に及ぼす影響
山田健太郎、近藤圭悟、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
第63回応用物理学会春季学術講演会
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GeコアSi量子ドットの発光メカニズム
近藤圭悟、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
第63回応用物理学会春季学術講演会
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XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量
藤村信幸、大田晃生、渡辺浩成、牧原克典、宮崎誠一
電子情報通信学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]
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リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成
グェンスァンチュン, 藤村信幸, 竹内大智, 大田晃生, 牧原克典, 池田弥央, 宮崎誠一
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性評価
竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一
第62回春季応用物理学会