Presentations -
-
XPSによる極薄high-k/SiO2ゲートスタック構造の電子状態および化学結合状態評価
藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会)
-
ALD-Al2O3/GaN界面における伝導帯端近傍の界面準位密度の低減
田岡紀之, 小林貴之, 中村昌幸, 佐川達郎, グェンスァンチュン, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 久保俊晴, 山田寿一, 江川孝志, 宮崎誠一, 本山愼一, 清水三聡
電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会)
-
プラズマ酸化で形成したGa酸化物薄膜/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的界面特性
山本泰史, 田岡紀之, 大田晃生, グェンスァンチュン, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会)
-
Relationships between Al2O3/GaN Interface Properties near Conduction Band Edge and Post-Deposition Annealing Temperatures International conference
N. Taoka, T. Kobayashi, M. Nakamura, T. Sagawa, N. X. Truyen, A. Ohta, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, S. Miyazaki, and M. Shimizu
48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
-
XPS Study on Evaluation of Electrical Dipole and Atomic Density Ratio at Ultrathin High-k Dielectrics/SiO2 Interface International conference
N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF)
-
Electrical properties of SiO2/GaN interfaces formed by remote oxygen plasma mixed with He or Ar International conference
N. X. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, and S. Miyazaki
2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF)
-
光電子分光分析によるSiO2/4H-SiCの電子状態評価
渡辺浩成、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一
第4回応用物理学会SC東海地区学術講演会
-
GeコアSi量子ドット／Si量子ドット多重集積構造のEL特性
竹内大智、山田健太郎、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
-
リモートプラズマCVD SiO2/GaN界面の光電子分光分析
グェンスァン チュン，大田 晃生，牧原 克典，池田 弥央，宮崎 誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
-
FePtナノドットスタック構造における磁場印加後の電気伝導特性評価
河瀨平雅、牧原克典、大田晃生 、池田弥央、宮崎誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
-
Ta酸化物ナノドットの高密度・一括形成 (II)
王亜萍、竹内大智、池田弥央、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
-
X線光電子分光法による熱酸化SiO2およびGeO2薄膜の誘電関数評価
山本泰史、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
-
リモートプラズマCVD SiO2/GaN界面の光電子分光分析
グェンスァン チュン，大田 晃生，牧原 克典，池田 弥央，宮崎 誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
-
HfO2/SiO2/Si(100)構造における内部電位分布、界面ダイポールの定量評価
藤村信幸、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
-
Impact of Phosphorus Doping to Multiply-Stacking Si Quantum Dots on Electron Emission Properties International conference
D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki
7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces and 8th International SiGe Technology and Device Meeting joint meeting (ISCSI-VII/ISTDM 2016)
-
Determination of Energy Band Profile of Thermally-grown SiO2/4H-SiC Structure Using XPS International conference
H. Watanabe, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces and 8th International SiGe Technology and Device Meeting joint meeting (ISCSI-VII/ISTDM 2016)
-
Electron Transport Properties of High Density FePt-NDs Stacked Structures International conference
T. Kawase, Y. Mitsuyuki, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki
7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces and 8th International SiGe Technology and Device Meeting joint meeting (ISCSI-VII/ISTDM 2016)
-
Formation and Electron Transport Properties of Fe3Si Nanodots on Ultrathin SiO2 International conference
Hai Zhang, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Akio Ohta and Seiichi Miyazaki
2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
-
Embedding of Ti Nanodots into SiOx and Its Impact on Resistance Switching Behaviors International conference
Yusuke Kato, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, and Seiichi Miyazaki
2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
-
Formation of Fe3Si-Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by H2-plasma Treatment and Their Magnetic-Field Dependent Electron Transport Properties International conference
H. Zhang, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki
Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials