Presentations -
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Abrupt SiO2/GaN Interface Properties Formed by Remote Plasma Assisted CVD International conference
2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
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High Density Formation of and Light Emission from Si-Quantum Dots with Ge core International conference
S. Miyazaki, K. Yamada, M. Ikeda, and K. Makihara
MRS spring Meeting
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Potential Changes and Chemical Bonding Features for Si-MOS Diodes as Evaluated from HAXPES Analysis International conference
A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, K. Makihara, E. Ikenaga, S. Miyazaki
20th Conference on Insulating Films on Semiconductors
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Evaluation of Energy Distribution of Filled Defects of Si Oxide Thin Films from Total Photoelectron Yield Spectroscopy International conference
A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
20th Conference on Insulating Films on Semiconductors
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Characterization of Electroluminescence from Si-QDs with Ge Core International conference
K. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures
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Evaluation of Potential Distribution in Multiple Stacked Si Quantum Dots Structure by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy International conference
Y. Nakashima, D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures
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Fabrication and Magnetoelectronic Transport Fe3Si-Nanodots on Ultrathin SiO2 International conference
H. Zhang, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S, Miyazaki
The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures
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Magnetoelectronic Transport of Double Stack FePt Nanodots International conference
2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
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High Density Formation of Fe-silicide Nanodots and Their Magnetic Properties International conference
S. Ishida, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki
IUMRS-ICAM 2017
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リモートプラズマ支援CVDによる低欠陥密度SiO2/GaN界面の形成
グェンスァンチュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一
第17回日本表面科学会中部支部学術講演会
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高誘電率絶縁膜/SiO2界面のダイポール形成と化学構造の関係
藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
第17回日本表面科学会中部支部学術講演会
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高密度GeコアSi量子ドットの室温EL特性評価
山田健太郎、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一
第17回日本表面科学会中部支部学術講演会
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二次元結晶合成に向けたAg上Ge極薄膜の形成
伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会)
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XPSによる極薄high-k/SiO2ゲートスタック構造の電子状態および化学結合状態評価
藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会)
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ALD-Al2O3/GaN界面における伝導帯端近傍の界面準位密度の低減
田岡紀之, 小林貴之, 中村昌幸, 佐川達郎, グェンスァンチュン, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 久保俊晴, 山田寿一, 江川孝志, 宮崎誠一, 本山愼一, 清水三聡
電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会)
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プラズマ酸化で形成したGa酸化物薄膜/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的界面特性
山本泰史, 田岡紀之, 大田晃生, グェンスァンチュン, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会)
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Relationships between Al2O3/GaN Interface Properties near Conduction Band Edge and Post-Deposition Annealing Temperatures International conference
N. Taoka, T. Kobayashi, M. Nakamura, T. Sagawa, N. X. Truyen, A. Ohta, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, S. Miyazaki, and M. Shimizu
48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
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XPS Study on Evaluation of Electrical Dipole and Atomic Density Ratio at Ultrathin High-k Dielectrics/SiO2 Interface International conference
N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF)
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Electrical properties of SiO2/GaN interfaces formed by remote oxygen plasma mixed with He or Ar International conference
N. X. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, and S. Miyazaki
2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF)
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Energy Band Structure of Ga-oxide/GaN Interface Formed by Remote O2 Plasma International conference
T. Yamamoto, N. Taoka, A. Ohta1, N. X. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S. Miyazaki
2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF)