Presentations -
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Si細線構造への高密度Si量子ドット形成
高磊、竹内大智、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一
2016真空・表面科学合同講演会
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Si系量子ドット多重集積構造からの電界電子放出特性
中島裕太、大田晃生、竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一
2016真空・表面科学合同講演会
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HAXPES によるSi-MOS キャパシタの化学結合状態および内部電位の深さ方向分析
大田晃生、村上秀樹、池田弥央、牧原克典、池永英司、宮崎誠一
2016真空・表面科学合同講演会
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熱酸化SiO2/4H-SiC Si面およびC面の電子占有欠陥および化学構造評価
渡辺浩成、大田晃生、池田弥生、牧原克典、森大輔、寺尾豊、宮崎誠一
第16回日本表面科学会中部支部学術講演会
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Study of Electron Field Emission from Multiply-Stacking Si Quantum Dots International conference
D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki
9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar" Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
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Determination of Electron Affinity of Si-based Materials using by X-ray Photoelectron Spectroscopy International conference
N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki
9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar" Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
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Impact of Ge Capping Layer on Ta Nanodots Formation Induced by Remote Hydrogen Plasma International conference
Y. Wang, D. Takeuchi, M. Ikeda, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki
9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar" Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
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Evaluation of Electronic States of Thermally-grown SiO2/4H-SiC International conference
H. Watanabe, A. Ohta, N, Fujimura, K. Makihara, and S. Miyazaki
9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar" Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
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Characterization of Electronic Charged States of FePt-NDs Stacked Structures by Kelvin Force Microscopy International conference
T. Kawase, Y. Mitsuyuki, A. Ohta, K. Makihara, T. Kato, S. Iwata and S. Miyazaki
9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar" Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
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4H-SiC Si面およびC面上に成長した熱酸化膜の光電子収率分光法による電子占有欠陥評価
渡辺浩成、大田晃生、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
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A Study of Magnetoelectronic Transport in Double Stack FePt Nanodots on Ultrathin SiO2/c-Si for Functional Memories International conference
Seiichi Miyazaki, Yusuke Mitsuyuki, Taiga Kawase, Mitsuhisa Ikeda, and Katsunori Makihara
E-MRS 2016 Fall Meeting
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Ta酸化物ナノドットの高密度一括形成
王亜萍、竹内大智、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
第76回応用物理学会秋季学術講演会
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ウェット酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電子状態評価
渡辺浩成、大田晃生、藤村信幸、牧原克典、宮崎誠一
第76回応用物理学会秋季学術講演会
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外部磁場が高密度FePtナノドットスタック構造の電子輸送特性に及ぼす影響
河瀨平雅、満行優介、大田晃生 、牧原克典 、宮崎誠一
第76回応用物理学会秋季学術講演会
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Ni/SiOx/Ti Nanodots/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価
加藤祐介、荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
第76回応用物理学会秋季学術講演会
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KFMによるFePtナノドットスタック構造の局所帯電評価
満行優介、大田晃央、牧原克典、宮崎誠一
第76回応用物理学会秋季学術講演会
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GeコアSi量子ドットからの発光スペクトル―温度依存性
近藤圭悟、牧原克典、宮崎誠一
第76回応用物理学会秋季学術講演会
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X線光電子分光法によるSiおよびSiO2の価電子帯上端位置の決定
藤村信幸、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
第76回応用物理学会秋季学術講演会
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P添加Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性評価
竹内大智、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一
第76回応用物理学会秋季学術講演会
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リモート水素プラズマ支援による高密度形成したFeシリサイドナノドットの構造および磁化特性評価
張海、牧原克典、大田晃生、壁谷悠希、宮崎誠一
第76回応用物理学会秋季学術講演会