講演・口頭発表等 - 牧原 克典
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リモートプラズマを用いて形成したSiO2/Ga2O3/GaN構造のPL特性
高田 昇治、田岡 紀之、大田 晃生、山本 泰史、グェンスァン チュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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GeコアSi量子トドット/Si量子トドット多重集積構造からの電界電子放出
二村湧斗、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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真空蒸着によるGe(111)上のAlヘテロエピタキシャル成長
小林征登、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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Wet-chemical Cleaning of Epitaxial GaN(0001) Surfaces 国際会議
2018 International Conference of Solid State of Device and Materials
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XPS Study of Chemical Bonding Features and Inner Potential at Y2O3/SiO2 Interfaces 国際会議
2018 International Conference of Solid State of Device and Materials
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Characterization of Electron Charging and Local Electron Transport Properties of Si-QDs with Phosphorus Doped Ge Core
Japan Student Chapter Meeting 2018 in Osaka
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Formation and Characterization of Si/Ge Quantum Dots for Optoelectronic Application 招待有り 国際会議
International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
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Characterization of Electron Field Emission from Multiple-Stacking Si Quantum Dots with Ge Core 国際会議
2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
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Modulation of GaN MOS Interface Properties with Excess Ozone Exposure During Atomic Layer Deposition 国際会議
2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
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ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較
グェン スァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一
シリコン材料・デバイス研究会
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リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価
松田亮平、大田晃生、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一
シリコン材料・デバイス研究会
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X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価
藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一
シリコン材料・デバイス研究会
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Formation Mechanism of SiO2/GaN Interface without Significant Ga -oxidation 国際会議
1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference; 9th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)/11th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI)
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Characterization of Electron Charging and Transport Properties of Si-QDs with Phosphorus Doped Ge Core 国際会議
1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference; 9th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)/11th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI)
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Electroluminescence from Multiply Stacked Si Quantum Dots with Ge Core by Alternate Carrier Injection 国際会議
1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference; 9th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)/11th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI)
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熱処理によるエピタキシャルAg/Ge(111)構造の表面平坦化とGe析出量制御
伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
第65回応用物理学会春季学術講演会
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GaN(0001)面上へのHe希釈リモート酸素プラズマ支援によるSiO2 CVD ― Ar希釈リモート酸素プラズマ支援との違い
グェンスァンチュン、田岡紀之、大田晃生、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一
第65回応用物理学会春季学術講演会
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Ge/Si量子ドット上へのSi選択成長と室温PL特性
藤森俊太郎、山田健太郎、永井僚、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
第65回応用物理学会春季学術講演会
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P添加GeコアSi量子ドットの帯電および電子輸送特性評価
永井僚、山田健太郎、藤森俊太郎、池田弥央、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一
第65回応用物理学会春季学術講演会
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XPSによるY2O3/SiO2界面の化学結合状態および内部電位評価
藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
第65回応用物理学会春季学術講演会