講演・口頭発表等 - 牧原 克典
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リモートプラズマ支援CVDによる低欠陥密度SiO2/GaN界面の形成
グェンスァンチュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一
第17回日本表面科学会中部支部学術講演会
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高誘電率絶縁膜/SiO2界面のダイポール形成と化学構造の関係
藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
第17回日本表面科学会中部支部学術講演会
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高密度GeコアSi量子ドットの室温EL特性評価
山田健太郎、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一
第17回日本表面科学会中部支部学術講演会
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二次元結晶合成に向けたAg上Ge極薄膜の形成
伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会)
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XPSによる極薄high-k/SiO2ゲートスタック構造の電子状態および化学結合状態評価
藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会)
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ALD-Al2O3/GaN界面における伝導帯端近傍の界面準位密度の低減
田岡紀之, 小林貴之, 中村昌幸, 佐川達郎, グェンスァンチュン, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 久保俊晴, 山田寿一, 江川孝志, 宮崎誠一, 本山愼一, 清水三聡
電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会)
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光電子分光分析によるSiO2/4H-SiCの電子状態評価
渡辺浩成、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一
第4回応用物理学会SC東海地区学術講演会
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GeコアSi量子ドット／Si量子ドット多重集積構造のEL特性
竹内大智、山田健太郎、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
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リモートプラズマCVD SiO2/GaN界面の光電子分光分析
グェンスァン チュン，大田 晃生，牧原 克典，池田 弥央，宮崎 誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
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GeコアSi量子ドットのエレクトロルミネッセンス特性
山田 健太郎、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
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HfO2/SiO2/Si(100)構造における内部電位分布、界面ダイポールの定量評価
藤村信幸、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
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FePtナノドットスタック構造における磁場印加後の電気伝導特性評価
河瀨平雅、牧原克典、大田晃生 、池田弥央、宮崎誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
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Ta酸化物ナノドットの高密度・一括形成 (II)
王亜萍、竹内大智、池田弥央、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
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X線光電子分光法による熱酸化SiO2およびGeO2薄膜の誘電関数評価
山本泰史、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
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リモートプラズマCVD SiO2/GaN界面の光電子分光分析
グェンスァン チュン，大田 晃生，牧原 克典，池田 弥央，宮崎 誠一
第77回応用物理学会秋季学術講演会
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Processing and Characterization of Si/Ge Quantum Dots 招待有り 国際会議
S. Miyazaki, K. Makihara, A. Ohta, and M. Ikeda
Int. Electron Devices Meeting 2016 (IEDM)
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Study of Electron Field Emission from Multiply-Stacking Si Quantum Dots 国際会議
D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki
9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar" Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
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Determination of Electron Affinity of Si-based Materials using by X-ray Photoelectron Spectroscopy 国際会議
N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki
9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar" Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
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Impact of Ge Capping Layer on Ta Nanodots Formation Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議
Y. Wang, D. Takeuchi, M. Ikeda, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki
9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar" Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
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Evaluation of Electronic States of Thermally-grown SiO2/4H-SiC 国際会議
H. Watanabe, A. Ohta, N, Fujimura, K. Makihara, and S. Miyazaki
9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar" Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"