研究者詳細 - 牧原　克典

講演・口頭発表等 - 牧原　克典

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Fabrication of Impurity Doped Si Quantum Dots with Ge Core for Light Emission Devices 招待有り国際会議

K. Makihara, and S. Miyazaki

2nd International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2021

ナノドットによる量子物性制御デバイスの開発招待有り

牧原克典、宮崎誠一

令和３年度「放射線科学とその応用第186委員会」第38回研究会 2021年5月18日

Si-Ge系ナノドットの高密度集積と光・電子物性制御招待有り

牧原克典、宮崎誠一

阪大CSRN 第二回異分野研究交流会 ~半導体ナノカーボン系~ 2020年8月28日

Fabrication of Impurity Doped Si Quantum Dots with Ge Core for Light Emission Devices 招待有り国際会議

K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces

Formation and Characterization of Si Quantum Dots with Ge Core for Electroluminescent Devices 招待有り国際会議

Makihara Katsunori, Ikeda Mitsuhisa, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi

2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW)

Si-Geナノ構造制御で展開する電子デバイス開発招待有り

牧原克典、宮崎誠一

2018年日本表面真空学会中部支部研究会

ナノ構造制御で展開する電子デバイス開発と機能進化・高度化への挑戦招待有り

牧原克典、宮崎誠一

応用物理学会東海支部第3回ニューフロンティアリサーチワークショップ

Luminescence Studies of Multiply Stacked Si Quantum Dots with Ge Core 国際会議

11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics

Luminescence Studies of High Density Si-based Quantum Dots 国際会議

K. Makihara, T. Yamada, K. Kondo and S. Miyazaki

JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"

Plasma-enhanced Self-assembling Formation of High-density Metallic Nanodots on Ultrathin SiO2 招待有り国際会議

K. Makihara and S. Miyazaki

Nagoya University (NU) & Sungkyunkwan University (SKKU) Joint Symposium 2014

Formation of One-Dimensionally Self-Aligned Si-Based Quantum Dots and Its Application to Light Emitting Diodes 招待有り国際会議

K. Makihara and S. Miyazaki

26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference

High-density Formation and Characterization of Nanodots for Their Electron Device Application 招待有り国際会議

K. Makihara and S. Miyazaki

6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"

一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用招待有り

牧原克典、池田弥央、宮崎誠一

ED/CPM/SDM研究会

熱プラズマジェットを用いたミリ秒熱処理によるPt およびPt シリサイドナノドットの形成とフローティングゲートメモリ応用招待有り

牧原克典、山根雅人、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一

第59回春季応用物理学会

金属合金化反応制御による強磁性ナノドットの高密度・自己組織化形成

牧原克典、宮崎誠一

名古屋大学ナノテクノロジープラットフォーム第１回合同シンポジウム～中部ものづくりは名大から～

Characterization of Electronic Charged States of High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots Evaluated with AFM/Kelvin Probe Technique 国際会議

34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference

Study on Silicidation Reaction of Fe-NDs with SiH4 国際会議

34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference

Impact of Boron Doping and H2 Annealing on Light Emission from Ge/Si Core-Shell Quantum Dots 招待有り国際会議

S. Miyazaki, and K. Makihara

240th ECS Meeting

Study on Silicidation Reaction of Fe-NDs with SiH4 for Light Emission Devices 国際会議

2nd International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2021

Remote Hydrogen Plasma-Assisted Formation and Characterization of High-Density Fe-Silicide Nanodots 国際会議

2nd International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2021

Study on Electron Emission from Phosphorus delta-Doped Si-QDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures 国際会議

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials

Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots 国際会議

Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 2021

Magnetoelectronic Transport Characteristics of Fe3Si Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science

High-Density Formation of FeSi2 Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science

Influence of Substrate Temperature on Plasma-Enhanced Self Assembling Formation of High Density FePt Nanodot 国際会議

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science

リモート水素プラズマ支援FePt合金ナノドット自己組織化形成プロセスにおける基板温度が磁化特性に与える影響

本田俊輔, 古幡裕志, 大田晃生, 池田弥央,大島大輝, 加藤剛志, 牧原克典宮﨑誠一

第68回応用物理学会春季学術講演会

高密度FeナノドットへのSiH4照射によるシリサイド化反応制御

古幡裕志、牧原克典、大田晃生、田岡紀之、宮﨑誠一

第82回応用物理学会秋季学術講演

基板加熱がAl/Ge(111)構造の表面平坦化とGe偏析に及ぼす影響

松下圭吾、大田晃夫、田岡紀之、林将平、牧原克典、宮﨑誠一

第82回応用物理学会秋季学術講演

後酸化によって形成したHf酸化物の結晶構造に基板面方位が与える影響

安田航, 田岡紀之, 大田晃生, 牧原克典, 宮﨑誠一

第82回応用物理学会秋季学術講演

Si量子ドット多重集積構造へのP添加による内部ポテンシャル変調と電子放出特性評価

尾林秀治、牧原克典、竹本竜也、田岡紀之、大田晃夫、宮﨑誠一

第82回応用物理学会秋季学術講演

Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots

J. Wu、K. Makihara、H. Zhang、H. Furuhata、N. Taoka、A. Ohta、S. Miyazaki

第82回応用物理学会秋季学術講演

AFM/KFMによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの局所帯電電荷計測

今井友貴、牧原克典、田岡紀之、大田晃生、宮﨑誠一

第82回応用物理学会秋季学術講演

リモート H2 プラズマ支援による高密度 Fe 系シリサイドナノドットの高密度一括形成

何智雪, 武嘉麟, 牧原克典, 張海, 古幡裕志，田岡紀之, 大田晃生, 宮崎誠一

第82回応用物理学会秋季学術講演

Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode 国際会議

PRiME 2020 (ECS, ECSJ, & KECS Joint Meeting)

Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing 国際会議

PRiME 2020 (ECS, ECSJ, & KECS Joint Meeting)

Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots By Using a Magnetic AFM Probe 国際会議

PRiME 2020 (ECS, ECSJ, & KECS Joint Meeting)

Growth of Ultrathin Ge Crystal Layer by Surface Segregation and Flattening of Ag/Ge Structure 国際会議

2020 International Conference on Solid State Devices and Materials

Study on Electron Field Emission from Si-Quantum-Dots with Ge-Core/Si-Quantum-Dots Hybrid Stacked Structures 国際会議

12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/13th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science

Evaluation of Valence Band Top of Si Surface by Vacuum Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy with Variable Incident Photon Energy 国際会議

12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/13th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science

Al/Ge(111)の表面偏析制御による極薄Ge結晶形成

小林征登、大田晃生、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一

第67回応用物理学会春季学術講演会

Ge量子ドット像のXANAMによるX線エネルギー依存性測定

鈴木秀士、向井慎吾、田旺帝、野村昌治、藤森俊太郎、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一、朝倉清高

第67回応用物理学会春季学術講演会

Sapphire(0001)上にスパッタ形成したGe薄膜の結晶化

須川響、大田晃生、小林征登、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一

第67回応用物理学会春季学術講演会

Reduced-Pressure CVDによるGeコアSi量子ドットの高密度一括形成と発光特性評価

牧原克典、Yamamoto Yuji、藤森俊太郎、前原拓哉、池田弥央、Tillack Bernd、宮崎誠一

第67回応用物理学会春季学術講演会

グラフェン電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電界電子放出

新林智文、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一

第67回応用物理学会春季学術講演会

Formation of High Density Fe-silicide Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Characterization of Their Magnetic Properties 国際会議

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces

Application of Surface Chemical Imaging by XANAM to Ge Surfaces 国際会議

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces

Characterization of Photoluminescence from Si-QDs with B δ-Doped Ge Core 国際会議

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces

High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Magnetic Fe-silicide Nanodots 国際会議

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces

Formation of High Density PtAl Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Exposure 国際会議

41st International Symposium on Dry Process

Operand Study of Multiple Stacked Si Quantum Dots by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 国際会議

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019

Determination of Complex Dielectric Function of Oxide Film from Photoemission Measurements 国際会議

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019

Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties 国際会議

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019

Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties 国際会議

32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference

Characterization of Ni/GaN(0001) Interfaces by Photoemission Measurements 国際会議

32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference

Growth of Hetero-epitaxial Al on Ge(111) and Segregation of Ge Crystal by Annealing 国際会議

32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference

光電子エネルギー損失信号によるSi系材料の複素誘電関数評価

大田晃生、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一

第80回応用物理学会秋季学術講演会

Ge試料表面構造のXANAM像の取得

鈴木秀士，向井慎吾，田旺帝，野村昌治，藤森俊太郎，池田弥央，牧原克典，宮﨑誠一，朝倉清高

第80回応用物理学会秋季学術講演会

GeコアSi 量子ドットにおけるGe選択成長温度が発光特性に及ぼす影響

藤森俊太郎, 前原拓哉, 今井友貴, 池田弥央, 牧原克典，宮崎誠一

第80回応用物理学会秋季学術講演会

リモート水素プラズマ支援による磁性合金FeSiナノドットの高密度・一括形成

橋本靖司、牧原克典、大田晃生、池田弥央、香野淳、宮崎誠一

第80回応用物理学会秋季学術講演会

B添加がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響

前原拓哉、藤森俊太郎、池田弥央、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一

第80回応用物理学会秋季学術講演会

Impact of Post Deposition Annealing on Chemical Bonding Features and Filled Electronic Defects of AlSiO/GaN(0001) Structure 国際会議

2019 International Conference of Solid State of Device and Materials

Characterization of Electron Field Emission from Si Quantum Dots with Ge Core/Si Quantum Dots Hybrid Stacked Structures 国際会議

2019 International Conference of Solid State of Device and Materials

Growth of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface 国際会議

2019 International Conference of Solid State of Device and Materials

Formation of high density Fe-silicide nanodots induced by remote H2 plasma and their magnetic properties 国際会議

The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2019

Characterization of Electron Field Emission of Multiply-Stacked Si-QDs/SiO2 Structures 国際会議

2019 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices

HfSiOx/GaN(0001)の化学構造および電子状態分析

大田晃生、牧原克典、生田目俊秀、塩﨑宏司、宮﨑誠一

シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会

熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成

小林征登、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一

シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会

Effect of B-doping on Photoluminescence Properties of Si-QDs with Ge Core 国際会議

2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference; 10th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)/ 12th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI)

Electron Field Emission from MultiplyStacked Structures consisting of Ge-Core Si Quantum Dots and Si Quantum Dots 国際会議

11th Anniversary International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2019)/12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2019)

Study of GaN(0001) Surface Cleaning Using HCl-based Solutions 国際会議

Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties 国際会議

Study on HCl-based Wet Chemical Cleaning of Epitaxial GaN(0001) Surfaces

Yue Xu, Akio Ohta, Noriyuki Taoka, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Tetsuo Narita, Daigo Kikuta, Koji Shiozaki, Tetsu Kachi, Seiichi Miyazaki

第66回応用物理学会春季学術講演会

Hf/(Si+Hf)組成の異なるHfSiOx/GaN(0001)の光電子分光分析

大田晃生、牧原克典、生田目俊秀、塩﨑宏司、宮崎誠一

第66回応用物理学会春季学術講演会

Si量子ドット多重連結構造からの電界電子放出特性 -積層数依存性

竹本竜也, 二村湧斗、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一

第66回応用物理学会春季学術講演会

リモートO2プラズマ支援MOCVDによるHf酸化物ナノドットの高密度・一括形成

長谷川遼介、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一

第66回応用物理学会春季学術講演会

ヘテロエピタキシャルAl/Ge(111)上に偏析した極薄Ge の化学分析

小林征登、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第66回応用物理学会春季学術講演会

B添加がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響

永井僚, 藤森俊太郎, 前原拓哉, 池田弥央, 牧原克典, 大田晃生, 宮崎誠一

第66回応用物理学会春季学術講演会

GeコアSi 量子ドット/Si 量子ドット多重連結構造からの電界電子放出特性および電子放出エネルギー評価

二村湧斗、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一

第66回応用物理学会春季学術講演会

光電子分光法による絶縁酸化膜の誘電関数・光学定数の決定

大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第24回）

熱酸化SiO2/Si(111)の真空紫外光によるUPS分析

今川拓哉、大田晃生、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第24回）

Characterization of Electron Field Emission from Multiple-Stacked Ge Core Si-QDs 国際会議

12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics

Formation and Magnetic Characterization of High Density FePt Nanodots Induced by Remote H2 Plasma 国際会議

12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics

Selective Growth of Si for the Formation of Si-QDs with Ge Core and Their Photoluminescence Properties 国際会議

12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics

P添加GeコアSi量子ドットの帯電および局所電気特性評価

永井僚, 藤森俊太郎, 池田弥央, 牧原克典, 大田晃生, 宮崎誠一

第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会

GeコアSi量子ドット/Si量子ドット多重集積構造からの弾道電子放出

二村湧斗、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一

第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会

エピタキシャルAl/Ge(111)の形成と真空中熱処理による表面平坦化およびGe析出

小林征登、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会

リモート水素プラズマ支援によって高密度形成されたFePt合金ナノドットの磁化特性評価

橋本靖司, 牧原克典, 大田晃生, 池田弥央, 宮崎誠一

第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会

Ge/Si量子ドット上へのSi選択成長および発光特性評価

藤森俊太郎, 山田健太郎, 永井僚, 牧原克典, 池田弥央, 宮崎誠一

第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会

High Density Formation of FePt Nanodots and Their Magnetic Properties 国際会議

40th International Symposium on Dry Process

Impact of Remote Plasma Oxidation of GaN Surface on Photoluminescence Properties 国際会議

40th International Symposium on Dry Process

Ge 2D Crystal Growth on Hetero-epitaxial Ag/Ge(111) by N2 Annealing 招待有り国際会議

49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference

Relationships between Al2O3/GaN Interface Properties near Conduction Band Edge and Post-Deposition Annealing Temperatures 国際会議

48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference

Study on photoluminescence from Si quantum dots with Ge core 国際会議

International Conference of Atomic Control Surface and Interface-14

Vacuum Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy Study of GaN(0001) Surfaces 国際会議

International Conference of Atomic Control Surface and Interface-14

Photoluminescence from insulator/GaN structures formed with remote plasma 国際会議

International Conference of Atomic Control Surface and Interface-14

Impact of Surface Pre-Treatment on Metal Migration Induced by Remote H2-Plasma Treatment 国際会議

International Conference of Atomic Control Surface and Interface-14

High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Fe3Si Nanodots 国際会議

AiMES 2018 Meeting, ECS and SMEQ Joint International Meeting

リモート水素プラズマ支援によるFePt合金ナノドットの高密度形成と磁化特性評価

橋本靖司, 牧原克典, 大田晃生, 池田弥央, 宮崎誠一

第79回応用物理学会秋季学術講演会

リモートプラズマによる表面洗浄とSiO2/GaN構造のin-situ形成

田岡紀之、グェンスァンチュン、山本泰史、大田晃生、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、清水三聡

第79回応用物理学会秋季学術講演会

光電子エネルギー損失信号による絶縁酸化膜の誘電関数評価

大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一

第79回応用物理学会秋季学術講演会

リモートプラズマを用いて形成したSiO2/Ga2O3/GaN構造のPL特性

高田昇治、田岡紀之、大田晃生、山本泰史、グェンスァンチュン、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一

第79回応用物理学会秋季学術講演会

GeコアSi量子トドット/Si量子トドット多重集積構造からの電界電子放出

二村湧斗、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一

第79回応用物理学会秋季学術講演会

真空蒸着によるGe(111)上のAlヘテロエピタキシャル成長

小林征登、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第79回応用物理学会秋季学術講演会

Wet-chemical Cleaning of Epitaxial GaN(0001) Surfaces 国際会議

2018 International Conference of Solid State of Device and Materials

XPS Study of Chemical Bonding Features and Inner Potential at Y2O3/SiO2 Interfaces 国際会議

2018 International Conference of Solid State of Device and Materials

Characterization of Electron Charging and Local Electron Transport Properties of Si-QDs with Phosphorus Doped Ge Core

Japan Student Chapter Meeting 2018 in Osaka

Formation and Characterization of Si/Ge Quantum Dots for Optoelectronic Application 招待有り国際会議

International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials

Characterization of Electron Field Emission from Multiple-Stacking Si Quantum Dots with Ge Core 国際会議

2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices

Modulation of GaN MOS Interface Properties with Excess Ozone Exposure During Atomic Layer Deposition 国際会議

2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices

ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較

グェンスァンチュン、田岡紀之、大田晃生、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一

シリコン材料・デバイス研究会

リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価

松田亮平、大田晃生、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一

シリコン材料・デバイス研究会

X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価

藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一

シリコン材料・デバイス研究会

Formation Mechanism of SiO2/GaN Interface without Significant Ga -oxidation 国際会議

1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference; 9th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)/11th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI)

Characterization of Electron Charging and Transport Properties of Si-QDs with Phosphorus Doped Ge Core 国際会議

1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference; 9th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)/11th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI)

Electroluminescence from Multiply Stacked Si Quantum Dots with Ge Core by Alternate Carrier Injection 国際会議

1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference; 9th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)/11th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI)

熱処理によるエピタキシャルAg/Ge(111)構造の表面平坦化とGe析出量制御

伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第65回応用物理学会春季学術講演会

GaN(0001)面上へのHe希釈リモート酸素プラズマ支援によるSiO2 CVD ― Ar希釈リモート酸素プラズマ支援との違い

グェンスァンチュン、田岡紀之、大田晃生、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一

第65回応用物理学会春季学術講演会

Ge/Si量子ドット上へのSi選択成長と室温PL特性

藤森俊太郎、山田健太郎、永井僚、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第65回応用物理学会春季学術講演会

P添加GeコアSi量子ドットの帯電および電子輸送特性評価

永井僚、山田健太郎、藤森俊太郎、池田弥央、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一

第65回応用物理学会春季学術講演会

XPSによるY2O3/SiO2界面の化学結合状態および内部電位評価

藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第65回応用物理学会春季学術講演会

光電子収率分光法による熱酸化SiO2/Si構造の電子状態計測

大田晃生、今川拓哉、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第65回応用物理学会春季学術講演会

電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造からのエレクトロルミネッセンス

牧原克典、池田弥央、藤村信幸、大田晃生、宮崎誠一

第65回応用物理学会春季学術講演会

SiO2/Si構造の真空紫外光電子分光分析

今川拓哉、大田晃生、田岡紀之、藤村信幸、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第65回応用物理学会春季学術講演会

XPSによるY2O3/SiO2界面の化学結合状態および内部電位評価

藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第65回応用物理学会春季学術講演会

リモートプラズマによって酸化されたn-GaNのPL特性

高田昇治、山本泰史、田岡紀之、大田晃生、グェンスァンチュン、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一

第65回応用物理学会春季学術講演会

Evaluation of Potential Distribution in Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structure by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 国際会議

11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics

Insights into Growth of Two-Dimensional Ge Crystal on Epitaxial Ag/Ge(111) by Thermal Annealing 国際会議

11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics

XPS Study on High-k/SiO2 Interface -Correlation between Electrical Dipole and Oxygen Density - 国際会議

11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics

Electroluminescence from Si-QDs with Ge Core 国際会議

11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics

Insulator/GaN Interface Control for Intelligent Power Integrated Circuit 国際会議

11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics

Control of Surface Segregated Ultrathin Ge Layer Formation on Ag Surface 国際会議

10th Anniversary International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2018)/11th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2018)

Operand Study of Multiple Stacked Si Quantum Dots by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 国際会議

Carrier Conduction in SiO2/GaN Structure with Abrupt Interface 国際会議

The 2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications

磁性AFM探針を用いたFe3Siナノドットの電子輸送特性評価

武嘉麟、張海、古幡裕志、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一

第67回応用物理学会春季学術講演会

リモート酸素プラズマ支援CVD SiO2/GaNの化学構造及び電気特性評価

グェンスァンチュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一

電子情報通信学会　電子デバイス研究会

リモート酸素プラズマによって酸化したGaNの表面構造

山本泰史、田岡紀之、大田晃生、グェンスァンチュン、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一

先進パワー半導体分科会第4回講演会

高誘電率絶縁膜/SiO2積層構造の光電子分光分析-界面ダイポールと酸素密度の相関-

藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2017

リモートプラズマ酸化したGaNの表面構造と電子状態

山本泰史、田岡紀之、大田晃生、グェンスァンチュン、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2017

熱処理によるエピタキシャルAg上へのGe二次元結晶の合成指針の構築

伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2017

熱処理がリモートプラズマ CVD SiO2/GaN 構造の化学結合状態及び電気特性に与える影響

グェンスァンチュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2017

入射エネルギー可変の真空紫外光電子分光による固体表面の価電子帯上端位置の計測

今川拓哉、大田晃生、田岡紀之、藤村信幸、グェンスァンチュン、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2017

硬X線光電子分光法によるSi量子ドット多重集積構造のオペランド分析

中島裕太、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2017

GeコアSi量子ドットのEL特性評価

山田健太郎、池田弥生、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2017

XPSによるHigh-k/SiO2界面のダイポール定量と酸素密度比との相関

藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第78回応用物理学会秋季学術講演会

電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造の発光特性

牧原克典、池田弥央、藤村信幸、大田晃生、宮崎誠一

第78回応用物理学会秋季学術講演会

Study of Wet Chemical Treatments of Epitaxial GaN(0001) Surface

L. Peng, A. Ohta, N. X. Truyen, M. Ikeda, K. Makihara, N. Taoka, T. Narita,, K. Itoh, D. Kikuta, K. Shiozaki, T. Kachi, and S. Miyazaki

第78回応用物理学会秋季学術講演会

真空紫外光電子分光によるGaNの電子親和力評価

今川拓哉、大田晃生、藤村信幸、グェンスァンチュン、池田弥央、牧原克典、加地　徹、塩崎宏司、宮崎誠一

第78回応用物理学会秋季学術講演会

リモート酸素プラズマで形成したGa酸化物/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的特性

山本泰史、田岡紀之、大田晃生、グェンスァンチュン、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一

第78回応用物理学会秋季学術講演会

熱処理によるAg/Ge構造の表面平坦化とGe析出量制御

伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第78回応用物理学会秋季学術講演会

リモート酸素プラズマ支援CVD SiO2/GaNの熱安定性

グェンスァンチュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一

第78回応用物理学会秋季学術講演会

高誘電率絶縁膜の電子親和力の決定およびSiO2との界面で生じる電位変化の定量

藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

2017 年真空・表面科学合同講演会第37 回表面科学学術講演会・第58 回真空に関する連合講演会

リモート酸素プラズマ支援CVDによる急峻SiO2/GaN界面の形成とその電気的特性

グェンスァンチュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一

2017 年真空・表面科学合同講演会第37 回表面科学学術講演会・第58 回真空に関する連合講演会

XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価

藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会

エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成

伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会

定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価

大田晃生、加藤祐介、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会

Total Photoelectron Yield Spectroscopy of Electronic States of Oxide Thin Films and Wide Bandgap Semiconductors 国際会議

10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"

Luminescence Studies of High Density Si Quantum Dots with Ge core 国際会議

K. Yamada, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"

Evaluation of Dielectric Function of Oxide Thin Films from Photoemission Measurements 国際会議

T. Yamamoto, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"

Characterization of Field Electron Emission from Multiply-Stacking Si Quantum Dots 国際会議

Y. Nakashima, D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"

Chemical Analysis of Epitaxial Ag(111) Surface formed on Group-IV Semiconductors 国際会議

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"

Characterization of Remote Plasma CVD SiO2 on GaN(0001) 国際会議

N. Truyen, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki

10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"

Potential Change and Electrical Dipole at Ultrathin Oxide/Semiconductor Interfaces as Evaluated by XPS 国際会議

N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"

Formation of Si-based Quantum Dots on Sub-micron patterned Si Substrates 国際会議

M. Ikeda, L. Gao, K. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki

10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"

Formation of Mn-germanide Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議

Y. Wen, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki

8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2016)/9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2016)

Impact of Thermal Annealing on Mophology and Chemical Bonding Features at Epitaxial Ag(111) Surface Grown on Ge(111) 国際会議

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

PYS Study on Energy Distributions of Defect States in Remote O2 Plasma Enhanced CVD SiO2/GaN Structure 国際会議

N. Truyen, A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki

International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2016)/9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2016)

Total Photoelectron Yield Spectroscopy of Electronic States of GaN Surface 国際会議

A. Ohta, N. Truyen, N. Fujimura, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Ge上にエピタキシャル成長したAg(111)表面の平坦化および化学構造評価

伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第64回応用物理学会春季学術講演会

HfO2/SiO2/Si構造の光電子分光分析－界面ダイポールの定量－

藤村信幸、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一

第16回日本表面科学会中部支部学術講演会

光電子分光法によるリモートプラズマCVD SiO2/GaNの化学結合状態および電子占有欠陥評価

グェンチュンスァン、大田晃生、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第22回研究会)

X線光電子分光法による極薄酸化物積層構造の電位変化・ダイポール評価

藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第22回研究会)

ドライおよびN2O酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電子占有欠陥評価

渡辺浩成、大田晃生、池田弥央、牧原克典、森大輔、寺尾豊、宮崎誠一

第64回応用物理学会春季学術講演会

硬X線光電子分光を用いたSi量子ドット多重集積構造の電位分布評価

中島裕太、竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一

第64回応用物理学会春季学術講演会

Ge コアSi 量子ドットの発光特性評価

山田健太郎、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一

第17回日本表面科学会中部支部学術講演会

Tiナノドットを埋め込んだSiOx膜の電気抵抗変化特性－定電圧および定電流印加による特性制御－

加藤祐介、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第64回応用物理学会春季学術講演会

硬X線光電子分光法によるSi-MOSダイオードのオペランド分析－電位変化および化学結合状態評価－

大田晃生、村上秀樹、池田弥央、牧原克典、池永英司、宮崎誠一

第64回応用物理学会春季学術講演会

XPSによるHfO2の電子親和力と界面ダイポールの定量

藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第64回応用物理学会春季学術講演会

Si 細線構造への高密度 Si 量子ドット形成と発光特性

高磊、池田弥央、山田健太郎、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一

第64回応用物理学会春季学術講演会

リモートプラズマ支援 CVD SiO2/GaN の界面特性

グェンスァンチュン、田岡紀之、大田晃生、山本泰史、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一

第64回応用物理学会春季学術講演会

リモート酸素プラズマによるGaN表面酸化

山本泰史、田岡紀之、大田晃生、グェンスァンチュン、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一

第64回応用物理学会春季学術講演会

Abrupt SiO2/GaN Interface Properties Formed by Remote Plasma Assisted CVD 国際会議

2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices

Magnetoelectronic Transport of Double Stack FePt Nanodots 国際会議

2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices

Fabrication and Magnetoelectronic Transport Fe3Si-Nanodots on Ultrathin SiO2 国際会議

H. Zhang, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S, Miyazaki

The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures

High Density Formation of and Light Emission from Si-Quantum Dots with Ge core 国際会議

S. Miyazaki, K. Yamada, M. Ikeda, and K. Makihara

MRS spring Meeting

Potential Changes and Chemical Bonding Features for Si-MOS Diodes as Evaluated from HAXPES Analysis 国際会議

A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, K. Makihara, E. Ikenaga, S. Miyazaki

20th Conference on Insulating Films on Semiconductors

Evaluation of Energy Distribution of Filled Defects of Si Oxide Thin Films from Total Photoelectron Yield Spectroscopy 国際会議

A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

20th Conference on Insulating Films on Semiconductors

Characterization of Electroluminescence from Si-QDs with Ge Core 国際会議

K. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures

Evaluation of Potential Distribution in Multiple Stacked Si Quantum Dots Structure by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 国際会議

Y. Nakashima, D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures

High Density Formation of Fe-silicide Nanodots and Their Magnetic Properties 国際会議

S. Ishida, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki

IUMRS-ICAM 2017

Relationships between Al2O3/GaN Interface Properties near Conduction Band Edge and Post-Deposition Annealing Temperatures 国際会議

N. Taoka, T. Kobayashi, M. Nakamura, T. Sagawa, N. X. Truyen, A. Ohta, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, S. Miyazaki, and M. Shimizu

48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference

XPS Study on Evaluation of Electrical Dipole and Atomic Density Ratio at Ultrathin High-k Dielectrics/SiO2 Interface 国際会議

N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF)

Electrical properties of SiO2/GaN interfaces formed by remote oxygen plasma mixed with He or Ar 国際会議

N. X. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, and S. Miyazaki

2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF)

Energy Band Structure of Ga-oxide/GaN Interface Formed by Remote O2 Plasma 国際会議

T. Yamamoto, N. Taoka, A. Ohta1, N. X. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S. Miyazaki

2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF)

Oxidation of GaN surface by remote oxygen plasma 国際会議

T. Yamamoto, N. Taoka, A. Ohta1, N. X. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, and S. Miyazaki

39th International Symposium on Dry Process (DPS)

Ultrathin Ge Growth on Flat Ag Surface in Hetero-Epitaxial Ag/Ge Structure by Annealing 国際会議

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference

Direct Observation of Electrical Dipole and Atomic Density at High-k Dielectrics/SiO2 Interface 国際会議

N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials

High thermal stability of abrupt SiO2/GaN interface with low interface state density 国際会議

N. X. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, and S. Miyazaki

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials

Electroluminescence of Super-atom-like Si-Ge based Quantum Dots Floating Gate 国際会議

K. Makihara, M. Ikeda, N. Fujimura, A. Ohta, and S. Miyazaki

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials

Growth of 2D Crystal of Group-IV Elements on Epitaxial Ag(111) 国際会議

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials

プラズマ酸化で形成したGa酸化物薄膜/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的界面特性

山本泰史, 田岡紀之, 大田晃生, グェンスァンチュン, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会)

リモートプラズマ支援CVDによる低欠陥密度SiO2/GaN界面の形成

グェンスァンチュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一

第17回日本表面科学会中部支部学術講演会

高誘電率絶縁膜/SiO2界面のダイポール形成と化学構造の関係

藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第17回日本表面科学会中部支部学術講演会

高密度GeコアSi量子ドットの室温EL特性評価

山田健太郎、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一

第17回日本表面科学会中部支部学術講演会

二次元結晶合成に向けたAg上Ge極薄膜の形成

伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会)

XPSによる極薄high-k/SiO2ゲートスタック構造の電子状態および化学結合状態評価

藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会)

ALD-Al2O3/GaN界面における伝導帯端近傍の界面準位密度の低減

田岡紀之, 小林貴之, 中村昌幸, 佐川達郎, グェンスァンチュン, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 久保俊晴, 山田寿一, 江川孝志, 宮崎誠一, 本山愼一, 清水三聡

電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会)

光電子分光分析によるSiO2/4H-SiCの電子状態評価

渡辺浩成、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一

第4回応用物理学会SC東海地区学術講演会

GeコアSi量子ドット／Si量子ドット多重集積構造のEL特性

竹内大智、山田健太郎、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一

第77回応用物理学会秋季学術講演会

リモートプラズマCVD SiO2/GaN界面の光電子分光分析

グェンスァンチュン，大田晃生，牧原克典，池田弥央，宮崎誠一

第77回応用物理学会秋季学術講演会

GeコアSi量子ドットのエレクトロルミネッセンス特性

山田健太郎、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第77回応用物理学会秋季学術講演会

HfO2/SiO2/Si(100)構造における内部電位分布、界面ダイポールの定量評価

藤村信幸、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一

第77回応用物理学会秋季学術講演会

FePtナノドットスタック構造における磁場印加後の電気伝導特性評価

河瀨平雅、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一

第77回応用物理学会秋季学術講演会

Ta酸化物ナノドットの高密度・一括形成 (II)

王亜萍、竹内大智、池田弥央、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一

第77回応用物理学会秋季学術講演会

X線光電子分光法による熱酸化SiO2およびGeO2薄膜の誘電関数評価

山本泰史、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第77回応用物理学会秋季学術講演会

リモートプラズマCVD SiO2/GaN界面の光電子分光分析

グェンスァンチュン，大田晃生，牧原克典，池田弥央，宮崎誠一

第77回応用物理学会秋季学術講演会

Processing and Characterization of Si/Ge Quantum Dots 招待有り国際会議

S. Miyazaki, K. Makihara, A. Ohta, and M. Ikeda

Int. Electron Devices Meeting 2016 (IEDM)

Study of Electron Field Emission from Multiply-Stacking Si Quantum Dots 国際会議

D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki

9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar" Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"

Determination of Electron Affinity of Si-based Materials using by X-ray Photoelectron Spectroscopy 国際会議

N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki

9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar" Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"

Impact of Ge Capping Layer on Ta Nanodots Formation Induced by Remote Hydrogen Plasma 国際会議

Y. Wang, D. Takeuchi, M. Ikeda, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki

9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar" Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"

Evaluation of Electronic States of Thermally-grown SiO2/4H-SiC 国際会議

H. Watanabe, A. Ohta, N, Fujimura, K. Makihara, and S. Miyazaki

9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar" Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"

Characterization of Electronic Charged States of FePt-NDs Stacked Structures by Kelvin Force Microscopy 国際会議

T. Kawase, Y. Mitsuyuki, A. Ohta, K. Makihara, T. Kato, S. Iwata and S. Miyazaki

9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar" Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"

High Density Ti Nanodots Formation and Improvement of ReRAM Characteristics by Embedding Ti Nanodots 国際会議

Y. Kato, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki

9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar" Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"

Impact of Phosphorus Doping to Multiply-Stacking Si Quantum Dots on Electron Emission Properties 国際会議

D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki

7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces and 8th International SiGe Technology and Device Meeting joint meeting (ISCSI-VII/ISTDM 2016)

Determination of Energy Band Profile of Thermally-grown SiO2/4H-SiC Structure Using XPS 国際会議

H. Watanabe, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki

7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces and 8th International SiGe Technology and Device Meeting joint meeting (ISCSI-VII/ISTDM 2016)

Electron Transport Properties of High Density FePt-NDs Stacked Structures 国際会議

T. Kawase, Y. Mitsuyuki, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki

7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces and 8th International SiGe Technology and Device Meeting joint meeting (ISCSI-VII/ISTDM 2016)

Formation and Electron Transport Properties of Fe3Si Nanodots on Ultrathin SiO2 国際会議

Hai Zhang, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Akio Ohta and Seiichi Miyazaki

2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices

Embedding of Ti Nanodots into SiOx and Its Impact on Resistance Switching Behaviors 国際会議

Yusuke Kato, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, and Seiichi Miyazaki

2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices

Formation of Fe3Si-Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by H2-plasma Treatment and Their Magnetic-Field Dependent Electron Transport Properties 国際会議

H. Zhang, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials

Magnetotransport Properties of FePt Alloy-NDs Stacked Structures 国際会議

K. Makihara, T. Kawase, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials

Evaluation of Potential Change and Electrical Dipole in HfO2/SiO2/Si Structure 国際会議

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials

Evaluation of Dielectric Function of Thermally-grown SiO2 and GeO2 from Energy Loss Signals for XPS Core-line Photoelectrons 国際会議

T. Yamamoto, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

230th Meeting of The Electrochemical Society (ECS)

Effect of Ge Core Size on Photoluminescence from Si Quantum Dots with Ge Core 国際会議

K. Yamada, K. Kondo, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

230th Meeting of The Electrochemical Society (ECS)

Low Temperature Formation of Crystalline Si:H/Ge:H Heterostructures by Plasma Enhanced CVD in Combination with Ni-NDs Seeding Nucleation 国際会議

Y. Lu, K. Makihara, D. Takeuchi, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki

29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference

High Density Formation of Ta/Ta-Oxide Core-Shell Nanodots 国際会議

Y. Wang, D. Takeuchi, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference

Characterization of Electrical Dipole Formed at HfO2/SiO2 and SiO2/Si Interfaces Using by XPS 国際会議

N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

JSPS Meeting 2016 : Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration

XPS Study on Dielectric Function of Thermally-grown SiO2 国際会議

T. Yamamoto, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

JSPS Meeting 2016 Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration

Effects of Hydrogen Plasma Treatment on Optical Properties of LSAT ((LaAlO3)0.3-(Sr2AlTaO6)0.7 国際会議

D. R. Purba, K. Makihara, A. Rusydi, S. Miyazaki, and Y. Darma

The 2nd Materials Research Society of Indonesia (MRS-Id) Meeting

Formation and Characterization of Si Quantum Dots with Ge Core for Functional Devices 招待有り国際会議

S. Miyazaki, D. Takeuchi, M. Ikeda, and K. Makihara

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials

熱酸化SiO2/4H-SiC Si面およびC面の電子占有欠陥および化学構造評価

渡辺浩成、大田晃生、池田弥生、牧原克典、森大輔、寺尾豊、宮崎誠一

第16回日本表面科学会中部支部学術講演会

ウェット酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電子状態評価 (II)

渡辺浩成、大田晃生、藤村信幸、牧原克典、宮崎誠一

第63回応用物理学会春季学術講演会

FePt ナノドットスタック構造における磁気伝導特性

満行優介、河瀬平雅、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一

第63回応用物理学会春季学術講演会

磁性AFM探針を用いたFe3Siナノドットの電子輸送特性評価

張海、満行優介、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一

第63回応用物理学会春季学術講演会

GeコアSi量子ドットにおけるGeコアサイズがPL特性に及ぼす影響

山田健太郎、近藤圭悟、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第63回応用物理学会春季学術講演会

GeコアSi量子ドットの発光メカニズム

近藤圭悟、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第63回応用物理学会春季学術講演会

XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量

藤村信幸、大田晃生、渡辺浩成、牧原克典、宮崎誠一

電子情報通信学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]

リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成

グェンスァンチュン, 藤村信幸, 竹内大智, 大田晃生, 牧原克典, 池田弥央, 宮崎誠一

シリコン材料・デバイス研究会(SDM)

4H-SiC Si面およびC面上に成長した熱酸化膜の光電子収率分光法による電子占有欠陥評価

渡辺浩成、大田晃生、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一

第77回応用物理学会秋季学術講演会

Ti薄膜およびTiナノドットを埋め込んだNi/SiOx/Niの電気抵抗スイッチング

加藤祐介、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第4回応用物理学会SC東海地区学術講演会

XPSを用いたSiO2およびGeO2の誘電関数・光学定数の評価手法の検討

山本泰史、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第4回応用物理学会SC東海地区学術講演会

SiおよびSiGe上に形成したAg表面の化学分析

伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第4回応用物理学会SC東海地区学術講演会

XPSによるSiO2/SiおよびHfO2/SiO2界面のダイポールの定量

藤村信幸、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一

第4回応用物理学会SC東海地区学術講演会

光電子収率分光法によるリモートプラズマCVD SiO2/GaN界面の電子占有欠陥評価

グェンスァンチュン, 大田晃生, 牧原克典, 池田弥央, 宮崎誠一

第4回応用物理学会SC東海地区学術講演会

シリコン酸化薄膜の電気抵抗スイッチングおよび欠陥準位密度評価

加藤祐介、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第36回表面科学学術講演会

IV 族半導体上に蒸着したAg 薄膜の化学構造評価と反応制御

伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一

第36回表面科学学術講演会

Si細線構造への高密度Si量子ドット形成

高磊、竹内大智、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一

2016真空・表面科学合同講演会

Si系量子ドット多重集積構造からの電界電子放出特性

中島裕太、大田晃生、竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一

2016真空・表面科学合同講演会

HAXPES によるSi-MOS キャパシタの化学結合状態および内部電位の深さ方向分析

大田晃生、村上秀樹、池田弥央、牧原克典、池永英司、宮崎誠一

2016真空・表面科学合同講演会

磁性AFM探針を用いたFe3Siナノドットの電子輸送特性評価

張海、満行優介、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一

第63回応用物理学会春季学術講演会

A Study of Magnetoelectronic Transport in Double Stack FePt Nanodots on Ultrathin SiO2/c-Si for Functional Memories 国際会議

Seiichi Miyazaki, Yusuke Mitsuyuki, Taiga Kawase, Mitsuhisa Ikeda, and Katsunori Makihara

E-MRS 2016 Fall Meeting

Ta酸化物ナノドットの高密度一括形成

王亜萍、竹内大智、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一

第76回応用物理学会秋季学術講演会

ウェット酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電子状態評価

渡辺浩成、大田晃生、藤村信幸、牧原克典、宮崎誠一

第76回応用物理学会秋季学術講演会

外部磁場が高密度FePtナノドットスタック構造の電子輸送特性に及ぼす影響

河瀨平雅、満行優介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一

第76回応用物理学会秋季学術講演会

Ni/SiOx/Ti Nanodots/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価

加藤祐介、荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一

第76回応用物理学会秋季学術講演会

KFMによるFePtナノドットスタック構造の局所帯電評価

満行優介、大田晃央、牧原克典、宮崎誠一

第76回応用物理学会秋季学術講演会

GeコアSi量子ドットからの発光スペクトル―温度依存性

近藤圭悟、牧原克典、宮崎誠一

第76回応用物理学会秋季学術講演会

X線光電子分光法によるSiおよびSiO2の価電子帯上端位置の決定

藤村信幸、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一

第76回応用物理学会秋季学術講演会

P添加Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性評価

竹内大智、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一

第76回応用物理学会秋季学術講演会

リモート水素プラズマ支援による高密度形成したFeシリサイドナノドットの構造および磁化特性評価

張海、牧原克典、大田晃生、壁谷悠希、宮崎誠一

第76回応用物理学会秋季学術講演会

X線光電子分光法によるSiO2/4H-SiCエネルギーバンドプロファイルの決定

渡辺浩成、大田晃生、藤村信幸、牧原克典、宮崎誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2015

iナノドットの高密度一括形成とその埋め込みによる抵抗変化特性の向上

加藤祐介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2015

GeコアSi量子ドットからのフォトルミネッセンス特性―温度依存性

近藤圭悟、牧原克典、宮崎誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2015

XPSによるSi系材料の電子親和力決定手法の検討

藤村信幸、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2015

リモート水素プラズマ支援による高密度形成したFe3Siナノドットの結晶構造および磁化特性評価

張海、牧原克典、大田晃生、壁谷悠希、宮崎誠一

応用物理学会SC東海地区学術講演会2015

Si量子ドット多重集積構造からの電子放出特性評価

竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一

第15回日本表面科学会中部支部研究会

SiO2/4H-SiC構造の電子障壁高さの決定と欠陥準位密度の深さ方向分析

渡辺浩成、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会)

SiOx膜へのTiナノドットの埋め込みがその抵抗変化特性に与える影響

加藤祐介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会)

Si, 4H-SiCおよびSiO2の価電子帯上端位置と電子親和力の評価

藤村信幸、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会)

リモート水素プラズマ照射による4H-SiC(0001)の表面改質

グェンスァンチュン, 竹内大智, 大田晃生, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会)

Ti系薄膜およびTiナノドットを埋め込んだ SiOx膜の抵抗変化特性評価

加藤祐介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一

第63回応用物理学会春季学術講演会

Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性評価

竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一

第62回春季応用物理学会

光電子収率分光法によるSiO2/SiC構造の電子状態計測(2)

大田晃生、渡邊浩成、グェンスァンチュン、牧原克典、宮崎誠一

第62回春季応用物理学会

リモート水素プラズマ支援によるTaナノドットの高密度一括形成

王亜萍、牧原克典、大田晃生、竹内大智、宮崎誠一

第62回春季応用物理学会

リモート水素プラズマ処理した4H-SiC表面の化学構造および電子状態分析

グェンスァンチュン、大田晃生、竹内大智、張海、牧原克典、宮崎誠一

第62回春季応用物理学会

高密度FePtナノドットスタック構造の電子輸送特性

壁谷悠希、満行優介、張海、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一

第62回春季応用物理学会

リモート水素プラズマ支援によるFeシリサイドナノドットの高密度一括形成と磁化特性評価

張海、牧原克典、大田晃生、壁谷悠希、宮崎誠一

第62回春季応用物理学会

P添加がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響

近藤圭悟、牧原克典、宮崎誠一

第62回春季応用物理学会

不純物添加がSi量子ドット多重集積構造のEL特性に及ぼす影響

山田敬久、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一

第62回春季応用物理学会

外部磁場がFePt合金ナノドットへの電子注入特性に及ぼす影響

満行優介、壁谷悠希、張海、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一

第62回春季応用物理学会

Photoluminescence Properties of Si Quantum Dots with Ge Core 国際会議

K. Kondo, K. Makihara and S. Miyazaki