講演・口頭発表等 - 牧原 克典
-
AFM/KFM Detection of Si-tagged ProteinA on HF-last Si(100), Thermally Grown SiO2 and Si-QDs Surfaces 国際会議
K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, Y. Hata, A. Kuroda and S. Miyazaki
4th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
-
Formation of Ultra High Density Si-based Quantum Dots on Ultrathin SiO2 国際会議
K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki
4th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
-
Charge Injection and Emission Characteristics of Hybrid Floating Gate Stack Consisting of NiSi-Nanodots and Silicon-Quantum-Dots 国際会議
M. Ikeda, R. Matsumoto, K. Shimanoe, K. Makihara and S. Miyazaki
2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
-
AFM/KFMによる水素終端Si表面およびSi熱酸化膜表面に吸着したSi結合タンパク質の電気的検出
牧原克典、Syed Mahboob、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一、黒田章夫
第69回秋季応用物理学会
-
量子ドットフローティングメモリの低温におけるC-V特性
櫻井蓉子、野村晋太郎、白石賢二、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
日本物理学会 2008年秋季大会
-
量子ドットフローティングメモリの低温におけるC-V特性
櫻井蓉子、野村晋太郎、白石賢二、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
第69回秋季応用物理学会
-
シリコン量子ドットフローティングゲート型メモリの理論的考察
高田幸宏、村口正和、櫻井蓉子、野村晋太郎、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、白石賢二
第69回秋季応用物理学会
-
NiナノドットフローティングゲートMOSキャパシタにおける電荷保持特性
池田弥央、島ノ江和広、牧原克典、宮崎誠一
第69回秋季応用物理学会
-
Si量子ドットの核発生制御と高密度形成
川浪彰、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一
第69回秋季応用物理学会
-
リモートプラズマ支援による金属ナノドット形成－希ガスプラズマと水素プラズマの比較
島ノ江和広、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一
第69回秋季応用物理学会
-
Characteristics tunneling of Si quantum dot floating gate at low temperature and in magnetic fields 国際会議
Y. Sakurai, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki
25th International Conference on Low Temperature Physics
-
Electrical Detection of Si-tagged Proteins on HF-last Si(100) and Thermally Grown SiO2 Surfaces 国際会議
S. Mahboob, K. Makihara, H. Kaku, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki and A. Kuroda
2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
-
Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Treatment and Its Application to Floating Gate MOS Memories 国際会議
K. Shimanoe, K. Makihara, M. Ikeda, R. Matsumoto, S. Higashi and S. Miyazaki
2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
-
Electrical Properties of Highly Crystallized Ge:H Thin Films Grown from VHF Inductively-Coupled Plasma of H2-diluted GeH4 国際会議
H. Kaku, K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki
2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
-
Selective Growth of Self-Assembling Si and SiGe Quantum Dots 国際会議
K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki
4th International SiGe Technology and Device Meeting
-
Formation of Ni- and Pt-Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Treatment and Their Application to Floating Gate MOS Memories 国際会議
M. Ikeda, K. Shimanoe, R. Matsumoto, K. Makihara and S. Miyazaki
The 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
-
High Rate Growth of Highly Crystallized Ge:H Thin Films from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4 国際会議
Y. Ono, H. Kaku, K. Makihara, S. Higashi and S. Miyazaki
The 1st International Conference on Plasma-Nano Technology & Science
-
SiGe量子ドットの一次元配列成長
川浪彰、牧原克典、池田弥央、松本龍児、山本雄治、東清一郎、宮崎誠一
第55回春季応用物理学会
-
GeH4 VHF-ICP による高結晶性Ge:H 膜の高速堆積
小埜芳和、加久博隆、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一
第55回春季応用物理学会
-
NiSiドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートMOSキャパシタにおける電荷保持特性
松本龍児、池田弥央、牧原克典、島ノ江和広、東清一郎、宮崎誠一
第55回春季応用物理学会