講演・口頭発表等 - 牧原 克典
-
Luminescence Study of Multiply-Stacked Structures Consisting of Impurity-Doped Si Quantum Dots and Ultrathin SiO2 国際会議
K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki
The 2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
-
不純物添加がGeコアSi量子ドットの帯電状態に及ぼす影響
牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一
第54回春季応用物理学会
-
GeH4 VHF-ICPからのGe結晶薄膜の低温・高速成長－基板依存性
坂田務、出木秀典、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一
第54回春季応用物理学会
-
GeH4 VHF-ICPからの高結晶性Ge薄膜の低温高速堆積
坂田務、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一
第54回春季応用物理学会
-
AFM/KFMによる孤立NiSiドットの帯電状態計測
西原良祐、牧原克典、川口恭裕、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一
第54回春季応用物理学会
-
リモート水素プラズマ支援によるNiナノドット形成－ドット密度制御
島ノ江和広、牧原克典、川口恭裕、奥山一樹、西原良祐、池田弥央、松本龍児、東清一郎、宮崎誠一
第54回春季応用物理学会
-
不純物添加Si量子ドット/SiO2多重集積構造からの発光
川口恭裕、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一
第54回春季応用物理学会
-
不純物添加NiSi/SiO2ゲートスタック構造の界面評価
細井卓治、佐野孝輔、日野真毅、大田晃生、牧原克典、加久博隆、宮崎誠一、芝原健太郎
ゲートスタック研究会 (第11回研究会) 極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性
-
High Rate Growth of Highly-Crystallized Ge:H Films from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4 国際会議
The 17th Symposium of The Materials Research Society of Japan
-
Luminescence Study of Multiply-Stacked Si Quantum Dots 国際会議
The 17th Symposium of The Materials Research Society of Japan
-
Study of Charged states of Si Quantum Dots with Ge Core 国際会議
K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki
210th Electrochemical Society Meeting : SiGe & Ge Materials, Processing, and Device Symposium
-
Formation of Highly-Crystallized Ge:H Films form VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4 国際会議
T. Sakata, K. Makihara, S. Higashi and S. Miyazaki
2nd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
-
Characterization of Electronic Charged States of Impurity Doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe Technique 国際会議
K. Makihara, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki
International Union Material Research Society - International Conference in Asia
-
AFM/KFMによるNiSiドットの帯電状態評価
西原良祐、牧原克典、川口恭裕、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一
応用物理学会2006年度中国四国支部例会
-
GeH4 VHF-ICPからの高結晶性Ge:H薄膜の形成
坂田務、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一
第67回秋季応用物理学会
-
Si量子ドット/SiO2多重集積構造からの発光特性
川口恭裕、牧原克典、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一
第67回秋季応用物理学会
-
AFM/KFMによるNiSiドットの帯電状態計測
西原良祐、牧原克典、松本龍児、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一
第67回秋季応用物理学会
-
AFM/ケルビンプローブによる不純物添加Si量子ドットの帯電評価
牧原克典、川口恭裕、東清一郎、宮崎誠一
第67回秋季応用物理学会
-
Charging and Discharging Characteristics of P-doped Si Quantum Dots Floating Gate 国際会議
K. Makihara, T. Nagai, M. Ikeda, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki
The 2006 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
-
価電子制御したSi量子ドットフローティングにおける電荷注入・放出特性
牧原克典、永井武志、池田弥央、川口恭裕、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一
第53回春季応用物理学会