講演・口頭発表等 - 牧原 克典
-
AFM/KFMによるSi量子ドット/SiO2多重集積構造の帯電電荷分布計測
西谷純一郎、牧原克典、川口恭裕、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一
第53回春季応用物理学会
-
H2希釈GeH4ガスVHF-ICPからの高結晶性Ge:H薄膜の形成
坂田務、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一
第53回春季応用物理学会
-
Characterization of Sb-Doped Fully-Silicided NiSi/SiO2/Si MOS Structure 国際会議
T. Hosoi, K. Sano, M. Hino, A. Ohta, K. Makihara, H. Kaku, S. Miyazaki, and K. Shibahara
2005 International Semiconductor Device Research Symposium
-
Growth of Crystallized Ge Films from VHF-Inductively Coupled Plasma of H2-Diluted GeH4 国際会議
T. Sakata, K. Makihara, S. Higashi and S. Miyazaki
2005 International Symposium on Dry Process
-
Fabrication of Multiply-Stacked Si Quantum Dots for Floating Gate MOS Devices 国際会議
The 16th Symposium of The Materials Research Society of Japan
-
AFM/ケルビンプローブによるBドープSi量子ドットの帯電状態評価
牧原克典、川口恭裕、東清一郎、宮崎誠一
第66回秋季応用物理学会
-
GeH4 VHF-ICPからの高結晶性Ge:H薄膜の高速堆積
坂田務、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一
第66回秋季応用物理学会
-
AFM/ケルビンプローブによるNiSiドットの帯電状態評価
持留雅志、西谷純一郎、牧原克典、多比良昌弘、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一
第66回秋季応用物理学会
-
AFM/ケルビンプローブによる孤立Si量子ドットの電荷保持特性評価
西谷純一郎、牧原克典、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一
第66回秋季応用物理学会
-
AFM/ケルビンプローブによるPドープSi量子ドットの帯電状態評価
牧原克典、徐駿、川口恭裕、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一
応用物理学会2005年度中国四国支部例会
-
Light Emitting Diode with MOS Structures Containing Multiple-Stacked Si Quantum Dots 国際会議
J. Xu, K. Makihara, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki
2005 China International Conference on Nanoscience & Technology
-
Experimental Evidence of Coulombic Interaction among Stored Charges in Single Si Dot as Detected By AFM/Kelvin Probe Technique 国際会議
J. Nishitani, K. Makihara, Y. Darma, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki
2005 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
-
The Application of Multiple-Stacked Si Quantum Dots to Light Emitting Diodes 国際会議
K. Makihara, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki
2005 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
-
Characterization of Electronic Charged States of P-doped Si Quantum Dots Using AFM/KFM Probe 国際会議
K. Makihara, J. Xu, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higasi and S. Miyazaki
Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
-
Fabrication of Multiply-Stacked Structures Consisting of Si-QDs with Ultrathin SiO2 and Its Application of Light Emitting Diodes 国際会議
K. Makihara, J. Xu, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki
First International Workshop in New GroupIV Semiconductor Nanoelectronics
-
Decay Characteristics of Electronic Charged States of Si Quantum Dots as Evaluated by an AFM/Kelvin Probe Technique 国際会議
J. Nishitani, K. Makihara, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higasi and S. Miyazaki
Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
-
Light Emitting Devices from Multilayered Si Quantum Dots Structures 国際会議
K. Makihara, J. Xu, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki
The 2005 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
-
AFM/ケルビンプローブによるPドープSi量子ドットの帯電状態評価
牧原克典、徐駿、川口恭裕、東清一郎、宮崎誠一
第52回春季応用物理学会
-
Electronically-Driven Light Emitting Diode Based on Si Quantum Dots Multilayers
J. Xu, K. Makihara, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki
第52回春季応用物理学会
-
AFM/ケルビンプローブによるSi量子ドットの電荷保持特性評価
西谷純一郎、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一
第52回春季応用物理学会