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ウェット熱処理によるZrO2薄膜の強誘電相発現機構
柴山 茂久、永野 丞太郎、安坂 幸師、坂下 満男、中塚 理
2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会 2021.3.16
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界面層挿入が低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBHに与える影響
土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理
2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会 2021.3.18
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高温堆積におけるZrO2薄膜結晶相の下地依存性
永野 丞太郎、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理
2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会 2021.3.16
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Epitaxial growth of strain-relaxed and high-Sn-content n-Ge1-xSnx on Si(111) substrate with Ge buffer layer International conference
An Huang, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka
The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT) 2021.3.10
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Heterostructure design favorable for n+-Ge1-xSnx pseudo-direct transition layer for optoelectronic application International coauthorship International conference
Shiyu Zhang, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka
13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021) 2021.3.10
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HfO2-ZrO2系の強誘電相発現におけるウェット熱処理の効果
柴山 茂久、永野 丞太郎、坂下 満男、中塚 理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第26回） 2021.1.22
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低仕事関数金属/4H-SiC界面におけるMIGSの影響
土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第26回） 2021.1.23
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低仕事関数金属を用いたn型4H-SiCに対する低ショットキー障壁コンタクトの実現
土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理
先進パワー半導体分科会 第7回講演会 2020.12.9
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Understanding wet annealing effect on phase transition and ferroelectric phase formation for Hf1-xZrxO2 film International conference
Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, O. Nakatsuka
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020) 2020.9.28
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コンタクト抵抗率低減のための金属/Ⅳ族半導体界面制御技術 Invited
中塚 理、柴山 茂久、坂下 満男
第84回半導体・集積回路技術シンポジウム 2020.9.16
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Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design Invited International conference
Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Mistuo Sakashita
Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME2020) 2020.8
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ウェット熱処理によるZrO2薄膜の特異な強誘電相発現機構
柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
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エピタキシャル HfGe2形成による金属/n-Geコンタクト抵抗率の低減
千賀一輝、柴山茂久、中塚理
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
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界面平坦性から見た極薄金属酸化Al2O3/4H-SiC構造の有用性
土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
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低温ウェット熱処理による強誘電性のアンドープZrO2薄膜の形成
柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第25回）
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低温プロセスによる金属/4H-SICコンタクトのショットキー障壁高さ制御手法の検討
柴山茂久、橋本健太郎、土井拓馬、中塚理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第25回）
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室温での極薄金属膜酸化法による基板酸化を抑制した良質なAl2O3/4H-SiC界面の実現
土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第25回）
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Nakatsuka O.
ECS Transactions
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ウェット酸素熱処理による強誘電性ZrO2薄膜の形成
柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理
第19回日本表面真空学会中部支部 学術講演会
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良質なAl2O3/4H-SiC MOS界面形成における4H-SiC表面構造の重要性
土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理
先進パワー半導体分科会 第6回講演会