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Si(001)基板上Si1-xSnxエピタキシャル成長に堆積速度が及ぼす影響
伊藤創生、柴山茂久、坂下満男、黒澤昌志、中塚理
第72回 応用物理学会 春季学術講演会 2025.3.15 応用物理学会
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表面偏析法による結晶化したGeSnナノシートの形成
松本泰河、大田晃生、横川凌、黒澤昌志、坂下満男、中塚理、柴山茂久
第72回 応用物理学会 春季学術講演会 2025.3.15 応用物理学会
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Ge0.5Sn0.5エピタキシャル成長とGe-Sn秩序結合形成の兆候
柴田海斗、柴山茂久、坂下満男、黒澤昌師、中塚理
第72回 応用物理学会 春季学術講演会 2025.3.15 応用物理学会
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Si(111)基板上Al/Geエピタキシャル層からの偏析による極薄Ge形成
奥田太一、大田晃生、横川凌、黒澤昌志、坂下満男、中塚理、柴山茂久
第72回 応用物理学会 春季学術講演会 2025.3.15 応用物理学会
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Si(001)基板上Si1-xSnxエピタキシャル成長に堆積速度が及ぼす影響
伊藤創生、柴山茂久、坂下満男、黒澤昌志、中塚理
第72回 応用物理学会 春季学術講演会 2025.3.15 応用物理学会
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GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードの室温動作実証
鳥本昇汰、石本修斗、加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久
第72回 応用物理学会 春季学術講演会 2025.3.17 応用物理学会
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メチル化ゲルマナン薄膜形成時のトポケミカルメチル化反応過程
中山敦稀, 松本一歩, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
第72回 応用物理学会 春季学術講演会 2025.3.15 応用物理学会
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Impact of deposition rate on spatial homogeneity of high-Sn-content Ge1-xSnx (x~0.25) epitaxial layers in sputtering method
Shigehisa Shibayama, Taichi Kabeya, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/18th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2025/IC-PLANTS2025) 2025.3.5
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Phosphorus ion implantation and activation in GeSn epitaxial layers grown on Si(111)substrate International conference
Yoshiki Kato, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop 2025.3.2
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Formation of ultra-thin GeSn layer by segregation method through Al/GeSn(111) structure International conference
Taiga Matsumoto, Akio Ohta, Ryo Yokogawa, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama
JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop 2025.3.2
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Low-temperature thermoelectric properties of n-type Ge1-x-ySixSny thin films International conference
Itsuki Sugimura, Masaya Nakata, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa
JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop 2025.3.2
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ALD-GeO2界面層を用いたGeSn/Ge pnダイオードの表面パッシベーション
加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第30回） 2025.1.23
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CaGe2エピタキシャル薄膜の形成とメチル化ゲルマナンへの変換
中山敦稀, 松本一歩, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
第11回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2024 (JSAP SCTS 2024) 2024.11.2
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ALD-GeO2界面層によるGeSnの表面パッシベーション
加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久
第11回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2024 (JSAP SCTS 2024) 2024.11.2
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分子線エピタキシー法によるGaGe2薄膜形成とメチル化ゲルマナンへの変換
中山敦稀、松本一歩、柴山茂久、坂下満男、中塚理、黒澤昌志
第1回 半導体結晶技術に関する産学連携ワークショップ 2024.10.31
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スパッタリング法を用いたSiバッファ上Si1-xSnx薄膜の結晶成長
伊藤創生、柴山茂久、坂下満男、黒澤昌志、中塚理
第1回 半導体結晶技術に関する産学連携ワークショップ 2024.10.31
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Formation of methylated germanane multilayers from CaGe2 epitaxial layers on Ge(111) International conference
Atsuki Nakayama, Kazuho Matsumoto, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, and Masashi Kurosawa
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024.10.22
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Explorer and Development of Very-High-Sn-Content Ge1−xSnx Epitaxy for Electronic and Optoelectronic Applications Invited International conference
Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024.10.21
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Giant thermoelectric power observed in group-IV-based films with high carrier concentrations at low temperatures Invited International conference
Masashi Kurosawa, Takayoshi Katase, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024.10.21
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New interests of Ge1−x−ySixSny/Ge1−xSnx heterostructures for electronic device applications Invited International conference
Shigehisa Shibayama, Shuto Ishimoto, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024.10.22