Presentations -
-
Study of polarization uniformity in N-doped ferroelectric HfO2 by piezo-response force microscopy
L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
-
強誘電性HfO2膜における局所内部電界に起因する分極の不均質性
柴山 茂久、徐 倫、田 璇、右田 真司、鳥海 明
第77回 応用物理学会秋季学術講演会
-
圧電応答力顕微鏡を用いた強誘電性HfO2のエージング特性に関する研究 Invited
柴山茂久, 徐倫, 右田真司, 鳥海明
応用物理シリコンテクノロジー分科会 第194回 研究集会「2016 VLSI特別シンポジウム」特集
-
Study of Wake-up and Fatigue Properties in Doped and Undoped Ferroelectric HfO2 in Conjunction with Piezo-Response Force Microscopy Analysis International conference
S. Shibayama, L. Xu, S. Migita, and A. Toriumi
2016 Symposia on VLSI Technology and Circuits
-
10-nm-Scale Ferroelectric Domain Distribution in Ferroelectric HfO2 Observed by Using Piezo-Response Force Microscopy International conference
S. Shibayama, L. Xu, X. Tian, S. Migita, and A. Toriumi
7th International Symposium on control of semiconductor interfaces (ISCSI-VII)/International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016)
-
多相HfO2膜における均一強誘電相の発現
柴山茂久, 徐倫, 右田真司, 鳥海明
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会
-
ラマン分光測定及びXRDによる強誘電性YドープHfO2の構造解析
厳樫一孝, 柴山茂久, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 右田真司, 鳥海明
第63回応用物理学会 春季学術講演会
-
New finding of ferroelectricity of N doped HfO2 films
L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
-
強誘電性HfO2膜における分極ドメインの減衰
柴山茂久, 徐倫, 右田真司, 鳥海明
第63回応用物理学会 春季学術講演会
-
原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面形成および欠陥の堆積温度依存性
兼松正行, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第21回）
-
Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析
長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第21回）
-
Study of local polarization in ferroelectric HfO2 films with piezo-response force microscope (PFM) International conference
S. Shibayama, L. Xu, S. Migita, and A. Toriumi
9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectonics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration"
-
Control of Schottky barrier height at metal/Ge interface by insertion of GexSn1-x layer International conference
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectonics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration"
-
Control of Schottky Barrier Height at Metal/Ge Interface by SnxGe1-x Interlayer International conference
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15)
-
Calculation of Si1-xSnx Energy Band Structures by using Density Functional Theory Considering Atomic Configuration International conference
Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15)
-
超高Sn組成Sn1-xGexエピタキシャル層の形成および金属/Sn1-xGex/Geコンタクトの電気伝導特性の制御
鈴木陽洋, 中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会 2015 (JSAP SCTS 2015)
-
密度汎関数法によるSi1-xSnx価電子帯端準位の理論予測および実験的妥当性
長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会 2015 (JSAP SCTS 2015)
-
Influence of atomic layer deposition temperature of GeO2 layer on electrical properties of Ge gate stack International conference
M. Kanematsu, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2015)
-
Evaluation of energy band structure of Si1-xSnx by density functional theory calculation and photoelectron spectroscopy International conference
Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2015)
-
Ge基板上への超高Sn組成Ge1-xSnxエピタキシャル層の形成およびGe1-xSnx界面層が金属/Geコンタクトのショットキー障壁高さに及ぼす影響
鈴木陽洋, 中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 財満鎭明
第4回結晶工学未来塾