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In-situ Sbドーピングによるn型Ge0.75Sn0.25エピタキシャル層の形成
柴山 茂久、高木 孝明、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
2024年第71回 応用物理学会 春季学術講演会 2024.3.23
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真空中加熱によるGe(111)基板上GeH薄膜の層間距離変化
松本 一歩、洗平 昌晃、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、黒澤 昌志
2024年第71回 応用物理学会 春季学術講演会 2024.3.23
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高抵抗Si(111)基板上へのCaSi2薄膜形成と低温熱電物性評価
加藤 高、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志
2024年第71回 応用物理学会 春季学術講演会 2024.3.23
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In-situ SbドーピングによるInP上n型Ge0.75Sn0.25エピタキシャル膜の形成
柴山 茂久、高木 孝明、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回） 2024.2.1
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GeSn/GeSiSn二重障壁構造における負性微分抵抗の発現
石本 修斗、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回） 2024.2.2
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Al/GeSn(111)構造上への熱処理による極薄・高Sn組成GeSn表面偏析
柴山 茂久、松本 泰河、大田 晃生、横川 凌、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回） 2024.2.1
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A new challenge in group-IV materials: energy harvesting application & 2D crystal synthesizing Invited International conference
Masashi Kurosawa, Akio Ohta, Masaaki Araidai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.12.14
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Thermoelectric properties of Sb-doped Ge1-x-ySixSny ternary alloy layers lattice matched to GaAs substrates International conference
Itsuki Sugimura, Masaya Nakata, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.12.15
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Electrical activation of implanted phosphorus in GeSn epitaxial layers grown on Si(111) substrate International conference
Yoshiki Kato, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.12.15
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Observation of acceptor-type defect levels using low-temperature Hall effect measurement for GeSn layers fabricated by molecular beam epitaxy International conference
Akira Honda, N. Shimizu, Y. J. Feng, K. Yamamoto, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.12.14
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Pイオン注入によるn型Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層の形成
加藤 芳規、柴山 茂久、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
第14回 半導体材料・デバイスフォーラム (SMDF2023) 2023.12.9
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Crystal Growth Technology of GeSn-related Group-IV Heteroepitaxial Layers Invited International conference
Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita
3rd Nucleation and Growth Research Conference (NGRC) 2023.11.10
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スパッタリング法によるInP 基板上へのエピタキシャルGe0.75Sn0.25形成
壁谷 汰知、柴山 茂久、高木 孝明、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
第10回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023) 2023.11.3
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Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層へのPイオン注入と活性化
加藤 芳規、柴山 茂久、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
第10回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023) 2023.11.3
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Al/GeSn(111)構造からの偏析を用いた極薄・高Sn組成GeSnの形成
松本 泰河、大田 晃生、横川 凌、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久
第10回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023) 2023.11.3
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GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードにおける負性微分抵抗の観測
石本 修斗、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久
第10回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023) 2023.11.3
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Sputtering Heteroepitaxy of Ge0.75Sn0.25 Layer on InP(001) Substrate International conference
Taichi Kabeya, Shigehisa Shibayama, Komei Takagi, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - (IWDTF2023) 2023.10.25
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Epitaxial Growth Technique for Si1-xSnx Binary Alloy Thin Films Invited International conference
Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
244th ECS Meeting 2023.10.10
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イオン注入法によるn型無歪Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層の形成
加藤 芳規、柴山 茂久、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023.9.22
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Si1-xSnx薄膜で観測される巨大熱電能の電子濃度依存性
大岩 樹、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志
2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023.9.23