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Ge1-xSnxエピタキシャル層中における欠陥形成に対するSn組成の影響
浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
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Reduction of Schottky barrier height with Sn/Ge contact International conference
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
JSPS International Workshop Core-to-Core Program Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
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金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御
鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果
浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Formation of Type-I Energy Band Alignment of Ge1-x-ySixSny/Ge Heterostructure International conference
T. Yamaha, K. Kato, S. Shibayama, T. Asano, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI9)
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Control of Electrically Active Defects in Ge1-xSnx Epitaxial Layers International conference
T. Asano, S. Shibayama, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima
The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI9)
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Ge1-x-ySixSny/Geヘテロ構造におけるエネルギーバンド構造の解明
山羽隆, 加藤公彦, 柴山茂久, 浅野孝典, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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リン酸溶液中レーザドーピングにおけるGe 基板面方位の効果
高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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金属/Ge 界面への高Sn組成Ge1−xSnx層挿入によるショットキー障壁高さの低減
鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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Al2O3/Ge構造に対する熱酸化にともなうGe表面からのGe原子放出過程
柴山茂久, 中嶋薫, 坂下満男, 中塚理, 木村健二, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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Ge1−xSnxエピタキシャル層中の欠陥の電気的特性
浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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GGA+U法によるSi1-xSnx材料物性の精密予測
長江祐樹, 黒澤昌志, 加藤元太, 柴山茂久, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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GeO2薄膜の正方晶形成による化学的安定性の向上
柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第20回研究会）
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Sn/Ge コンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減
鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第20回研究会）
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Devolepment of metal/Ge contacts for engineering Schottky barriers International conference
O. Nakatsuka, Y. Deng, A. Suzuki, S. Shibayama, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima
JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
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パルス MOCVD 法を用いた Ge(001)基板上における正方晶 GeO2 膜の形成
柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会 2014 （JSAP SCTS 2014）
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Sn/Ge界面の結晶構造およびショットキー障壁高さのGe面方位依存性
鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会 2014 （JSAP SCTS 2014）
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Low Schottky barrier height contacts with Sn electrode for various orientation n-Ge substrates International conference
A. Suzuki, D. Yunsheng, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Advanced Metallization Conference 2014
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パルスMOCVD法により作製したGeO2薄膜を用いたゲートスタック構造の界面構造と電気的特性
柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
第75回応用物理学会秋季学術講演会
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Si1-xSnx薄膜におけるバンドギャップナローウィングの初観測
黒澤昌志, 柴山茂久, 加藤元太, 山羽隆, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第75回応用物理学会秋季学術講演会