Presentations -
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Low Schottky barrier height contacts with Sn electrode for various orientation n-Ge substrates International conference
A. Suzuki, D. Yunsheng, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Advanced Metallization Conference 2014
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パルスMOCVD法により作製したGeO2薄膜を用いたゲートスタック構造の界面構造と電気的特性
柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
第75回応用物理学会秋季学術講演会
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Si1-xSnx薄膜におけるバンドギャップナローウィングの初観測
黒澤昌志, 柴山茂久, 加藤元太, 山羽隆, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第75回応用物理学会秋季学術講演会
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酸化プロセスにおける絶縁膜/Ge界面の界面準位密度を決定づける物理的要因
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
第61回応用物理学会 春季学術講演会
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MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いたAl2O3/GeOx/Ge構造の電気的特性および構造評価
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第19回研究会）
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低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第19回研究会）
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Al2O3/Ge構造の後熱酸化によるAlGeO形成にともなう界面特性の改善
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会 2013 (JSAP SCTS 2013)
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Interface Properties of Al2O3/Ge MOS Structures with Thin Ge Oxide Interfacial Layer Formed by Pulsed MOCVD International conference
T. Yoshida, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices-Science and Technology- (2013 IWDTF)
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Quantitative Guideline for Formation of Ge MOS Interface with Low Interface State Density International conference
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices-Science and Technology- (2013 IWDTF)
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Reduction of Interface State Density due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al2O3/Ge Interface International conference
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
224th The Electrochemical Society (ECS) Meeting
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界面反応機構に基づくAl2O3/Ge界面構造制御
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
第74回応用物理学会秋季学術講演会
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テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Impacts of AlGeO Formation by Post Thermal Oxidation of Al2O3/Ge Structure on Interface Properties International conference
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-VI)
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Al2O3/Ge構造の熱酸化による界面構造変化と界面特性との相関関係
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
第60回応用物理学会 春季学術講演会
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AlGeO Formation near Al2O3/Ge Interface with Post Thermal Oxidation International conference
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
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Feasibility of Ge Device Fabrication by Low Temperature Processes on ULSI Circuits Invited International conference
N. Taoka, M. Kurosawa, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
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Control of Al2O3/Ge Interfacial Structures by Post Oxidation Technique Using Oxygen Radical International conference
K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)
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テトラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第18回研究会）
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Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第18回研究会）