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Ge格子整合系SixGe1-x-ySny三元混晶とその転写
前田 辰郎、石井 裕之、張 文馨、張 師宇、柴山 茂久、黒澤 昌志、中塚 理
2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023.9.23
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スパッタリング法によるInP基板上のGe0.75Sn0.25エピタキシャル成長
壁谷 汰知、柴山 茂久、高木 孝明、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023.9.23
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Al/GeSn(111)エピタキシャル層構造からの偏析による極薄GeSn形成
松本 泰河、柴山 茂久、大田 晃生、横川 凌、黒澤 昌志、坂下 満男、中塚 理
2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023.9.22
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Seed-layer driven solid phase epitaxy of amorphous Ge1-xSnx layers on Si(001) substrates toward in-plane strain control International conference
Tatsuma Hiraide, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023.9.7
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Experimental observation of negative differential resistance in GeSn/GeSiSn double barrier structure toward resonant tunneling diode applications International conference
Shuto Ishimoto, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023.9.7
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Optoelectronic properties of Ge1−xSnx/high-Si-content SiyGe1−y− zSnz double quantum wells formed by low-temperature MBE growth and post deposition annealing International conference
Shigehisa Shibayama, Shiyu Zhang, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023.9.7
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Low-temperature thermoelectric power-factor enhancement of n-type Ge-rich Ge1-x-ySixSny layers International conference
Itsuki Sugimura, Masaya Nakata, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023.9.7
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Giant thermoelectric power of n-type Si1-xSnx layers grown on FZ-Si(001) substrates International conference
Tatsuki Oiwa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023.9.7
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高濃度n型ドープSi1-xSnx薄膜の低温熱電物性評価
大岩 樹、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志
第7回 フォノンエンジニアリング研究会 2023.8.5
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N-type characteristics of undoped Ge0.967Sn0.033 fabricated on bulk n-Ge International conference
N. Shimizu, Y. Wang, A. Honda, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang
The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023) 2023.5.22
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The layer transfer of Ge-lattice-matched SiGeSn epitaxial films International conference
Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen-Hsin Chang, Shiyu Zhang, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023) 2023.5.22
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Low-temperature Thermoelectric Properties of GeSn Alloys Films International conference
M. Kurosawa, T. Katase, Y. Imai, M. Nakata, M. Kimura, T. Kamiya, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023) 2023.5.22
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Heteroepitaxial Growth of High Substitutional Sn-content Ge1−xSnx Layer Lattice-matched on InP Substrate International conference
Osamu Nakatsuka, Komei Takagi, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita
The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023) 2023.5.22
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Epitaxy and heterostructure of germanium tin-related group-IV alloy semiconductors for future electronic and optoelectronic applications Invited International conference
Osamu Nakatsuka, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, and Mitsuo Sakashita
2023 International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC VS TFT 8) 2023.5.15
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固相成長法によるSi(001)基板上の伸長歪みGe1-xSnx薄膜の形成
平出 達磨、大岩 樹、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、黒澤 昌志
2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会 2023.3.16
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GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードの室温動作に向けた構造設計
石本 修斗、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久
2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会 2023.3.17
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高Sn組成Ge1-xSnx(111)エピタキシャル薄膜の高品質形成
森 俊輔、柴山 茂久、加藤 芳規、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会 2023.3.16
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高濃度n型ドープSi1-xSnx薄膜で観測された巨大熱電能
大岩 樹、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志
2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会 2023.3.16
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半絶縁性基板上Ge1-xSnx薄膜の低温熱電物性
今井 志明、中田 壮哉、木村 公俊、片瀬 貴義、神谷 利夫、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、黒澤 昌志
2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会 2023.3.16
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Heteroepitaxy of Ge1-xSnx with a high Sn content over 25% on InP(001) toward group-IV infrared detector International conference
Komei Takagi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.1.24