Faculty Profiles - SHIBAYAMA Shigehisa

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Si(001)基板上Si1-xSnxエピタキシャル成長に堆積速度が及ぼす影響

伊藤創生、柴山茂久、坂下満男、黒澤昌志、中塚理

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.15 応用物理学会

表面偏析法による結晶化したGeSnナノシートの形成

松本泰河、大田晃生、横川凌、黒澤昌志、坂下満男、中塚理、柴山茂久

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.15 応用物理学会

Ge0.5Sn0.5エピタキシャル成長とGe-Sn秩序結合形成の兆候

柴田海斗、柴山茂久、坂下満男、黒澤昌師、中塚理

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.15 応用物理学会

Si(111)基板上Al/Geエピタキシャル層からの偏析による極薄Ge形成

奥田太一、大田晃生、横川凌、黒澤昌志、坂下満男、中塚理、柴山茂久

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.15 応用物理学会

Si(001)基板上Si1-xSnxエピタキシャル成長に堆積速度が及ぼす影響

伊藤創生、柴山茂久、坂下満男、黒澤昌志、中塚理

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.15 応用物理学会

GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードの室温動作実証

鳥本昇汰、石本修斗、加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.17 応用物理学会

メチル化ゲルマナン薄膜形成時のトポケミカルメチル化反応過程

中山敦稀, 松本一歩, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.15 応用物理学会

Impact of deposition rate on spatial homogeneity of high-Sn-content Ge1-xSnx (x~0.25) epitaxial layers in sputtering method

Shigehisa Shibayama, Taichi Kabeya, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/18th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2025/IC-PLANTS2025) 2025.3.5

Phosphorus ion implantation and activation in GeSn epitaxial layers grown on Si(111)substrate International conference

Yoshiki Kato, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop 2025.3.2

Formation of ultra-thin GeSn layer by segregation method through Al/GeSn(111) structure International conference

Taiga Matsumoto, Akio Ohta, Ryo Yokogawa, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama

JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop 2025.3.2

Low-temperature thermoelectric properties of n-type Ge1-x-ySixSny thin films International conference

Itsuki Sugimura, Masaya Nakata, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa

JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop 2025.3.2

ALD-GeO2界面層を用いたGeSn/Ge pnダイオードの表面パッシベーション

加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第30回） 2025.1.23

CaGe2エピタキシャル薄膜の形成とメチル化ゲルマナンへの変換

中山敦稀, 松本一歩, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志

第11回応用物理学会SC東海地区学術講演会 2024 (JSAP SCTS 2024) 2024.11.2

ALD-GeO2界面層によるGeSnの表面パッシベーション

加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第11回応用物理学会SC東海地区学術講演会 2024 (JSAP SCTS 2024) 2024.11.2

分子線エピタキシー法によるGaGe2薄膜形成とメチル化ゲルマナンへの変換

中山敦稀、松本一歩、柴山茂久、坂下満男、中塚理、黒澤昌志

第1回半導体結晶技術に関する産学連携ワークショップ 2024.10.31

スパッタリング法を用いたSiバッファ上Si1-xSnx薄膜の結晶成長

伊藤創生、柴山茂久、坂下満男、黒澤昌志、中塚理

第1回半導体結晶技術に関する産学連携ワークショップ 2024.10.31

Formation of methylated germanane multilayers from CaGe2 epitaxial layers on Ge(111) International conference

Atsuki Nakayama, Kazuho Matsumoto, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, and Masashi Kurosawa

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024.10.22

Explorer and Development of Very-High-Sn-Content Ge1−xSnx Epitaxy for Electronic and Optoelectronic Applications Invited International conference

Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024.10.21

Giant thermoelectric power observed in group-IV-based films with high carrier concentrations at low temperatures Invited International conference

Masashi Kurosawa, Takayoshi Katase, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024.10.21

New interests of Ge1−x−ySixSny/Ge1−xSnx heterostructures for electronic device applications Invited International conference

Shigehisa Shibayama, Shuto Ishimoto, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024.10.22

Segregation induced GeSn nanosheet formation through Al and Ge1−xSnx epitaxial layers International conference

Taiga Matsumoto, Akio Ohta, Ryo Yokogawa, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024.10.22

Recent Progress on Heteroepitaxy of Si-Sn Alloy Thin Films Invited International conference

Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka

ECS PRiME2024 2024.10.10

Comprehensive study on epitaxial growth of GeSn(111) layers with high Sn content on Si(111) featuring Ge buffer layer International conference

Shigehisa Shibayama, Shunsuke Mori, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

ECS PRiME2024 2024.10.10

最先端集積回路における金属/IV族半導体界面物性制御の課題と展開 Invited

中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.9.19 応用物理学会

ALD-GeO2を用いたGeSnの表面パッシベーション

加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.9.16 応用物理学会

GeSiSn/GeSnヘテロ接合を用いた p型HEMTの構造設計

鳥本昇汰, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.9.17 応用物理学会

偏析GeSn極薄結晶の形成に向けたGe1−xSnxエピタキシャル膜の表面処理

松本泰河, 大田晃生, 横川凌, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 柴山茂久

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.9.19 応用物理学会

分子線エピタキシー法を用いたメチル化ゲルマナン薄膜の形成

中山敦稀, 松本一歩, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.9.19 応用物理学会

GeSiSn/GeSn二重障壁構造のエピタキシャル成長におけるH2導入効果

柴山茂久, 石本修斗, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.9.19 応用物理学会

転写を用いたInP格子整合系GeSnOI MSMフォトディテクターの試作 International coauthorship

前田辰郎, 石井裕之, 張文馨, 高木孝明, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.9.19 応用物理学会

高Sn組成Ge1−xSnxエピタキシャル層の結晶性に堆積速度が及ぼす影響

中塚理, 壁谷汰知, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.9.19 応用物理学会

Low-temperature thermoelectric properties of epitaxial CaSi2 layers on Si(111) substrates International coauthorship

Kagiri Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Ahmad Ghiffari, Rifky Syariati, Fumiyuki ISHII, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa

2024.9.10

Low-temperature thermoelectric properties of n-type 4H-SiC layers formed by ion implantation

Itsuki Sugimura, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Ryota Wada, Takashi Kuroi, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa

2024.9.10

Impacts of Mechanical Uniaxial Stress on Mobility Enhancement of 4H-SiC Trench MOSFET International conference

Momoko Inayoshi, Naotoshi Hikosaka, Ryuki Kamiya, Eiji Kagoshima, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Hidemoto Tomita, Tsuyoshi Nishiwaki, Hirokazu Fujiwara, Osamu Nakatsuka, Noriyuki Taoka, Wakana Takeuchi

2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024.9.3

Influence of hydrogen desorption temperature on interlayer distance of multilayered GeH nanosheets under ultrahigh vacuum ambient International conference

Kazuho Matsumoto, Masaaki Araidai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, and Masashi Kurosawa

2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024.9.4

Comprehensive Study on Crystal Growth of CaSi2 Layers on Si(111) Using Solid Phase Epitaxy International conference

Kagiri Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, and Masashi Kurosawa

2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024.9.4

Efficient Reverse Current Reduction of GeSn-Based pn Diodes by Surface Passivation of ALD-GeO2 and Al2O3 Stacked Structure International conference

Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama

2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024.9.2

GeSn on Insulator Metal-Semiconductor-Metal Photodetector by Layer Transfer Technique International conference

Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Takaaki Takagi, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024.9.3

GaAs基板に形成したSbドープGe1−x−ySixSny薄膜の低温熱電物性

椙村樹、中田壮哉、柴山茂久、坂下満男、中塚理、片瀬貴義、黒澤昌志

2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.3.23

GeSiSn/GeSn二重障壁構造で観測した負性微分抵抗と動作特性解析

柴山茂久、石本修斗、坂下満男、黒澤昌志、中塚理

2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.3.24

In-situ Sbドーピングによるn型Ge0.75Sn0.25エピタキシャル層の形成

柴山茂久、高木孝明、坂下満男、黒澤昌志、中塚理

2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.3.23

真空中加熱によるGe(111)基板上GeH薄膜の層間距離変化

松本一歩、洗平昌晃、柴山茂久、坂下満男、中塚理、黒澤昌志

2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.3.23

高抵抗Si(111)基板上へのCaSi2薄膜形成と低温熱電物性評価

加藤高、柴山茂久、坂下満男、中塚理、片瀬貴義、黒澤昌志

2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.3.23

In-situ SbドーピングによるInP上n型Ge0.75Sn0.25エピタキシャル膜の形成

柴山茂久、高木孝明、坂下満男、黒澤昌志、中塚理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回） 2024.2.1

GeSn/GeSiSn二重障壁構造における負性微分抵抗の発現

石本修斗、坂下満男、黒澤昌志、中塚理、柴山茂久

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回） 2024.2.2

Al/GeSn(111)構造上への熱処理による極薄・高Sn組成GeSn表面偏析

柴山茂久、松本泰河、大田晃生、横川凌、坂下満男、黒澤昌志、中塚理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回） 2024.2.1

A new challenge in group-IV materials: energy harvesting application & 2D crystal synthesizing Invited International conference

Masashi Kurosawa, Akio Ohta, Masaaki Araidai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.12.14

Thermoelectric properties of Sb-doped Ge1-x-ySixSny ternary alloy layers lattice matched to GaAs substrates International conference

Itsuki Sugimura, Masaya Nakata, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.12.15

Electrical activation of implanted phosphorus in GeSn epitaxial layers grown on Si(111) substrate International conference

Yoshiki Kato, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.12.15

Observation of acceptor-type defect levels using low-temperature Hall effect measurement for GeSn layers fabricated by molecular beam epitaxy International conference

Akira Honda, N. Shimizu, Y. J. Feng, K. Yamamoto, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.12.14

Pイオン注入によるn型Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層の形成

加藤芳規、柴山茂久、坂下満男、黒澤昌志、中塚理

第14回半導体材料・デバイスフォーラム (SMDF2023) 2023.12.9

Crystal Growth Technology of GeSn-related Group-IV Heteroepitaxial Layers Invited International conference

Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita

3rd Nucleation and Growth Research Conference (NGRC) 2023.11.10

スパッタリング法によるInP 基板上へのエピタキシャルGe0.75Sn0.25形成

壁谷汰知、柴山茂久、高木孝明、坂下満男、黒澤昌志、中塚理

第10回応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023) 2023.11.3

Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層へのPイオン注入と活性化

加藤芳規、柴山茂久、坂下満男、黒澤昌志、中塚理

第10回応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023) 2023.11.3

Al/GeSn(111)構造からの偏析を用いた極薄・高Sn組成GeSnの形成

松本泰河、大田晃生、横川凌、坂下満男、黒澤昌志、中塚理、柴山茂久

第10回応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023) 2023.11.3

GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードにおける負性微分抵抗の観測

石本修斗、坂下満男、黒澤昌志、中塚理、柴山茂久

第10回応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023) 2023.11.3

Sputtering Heteroepitaxy of Ge0.75Sn0.25 Layer on InP(001) Substrate International conference

Taichi Kabeya, Shigehisa Shibayama, Komei Takagi, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - (IWDTF2023) 2023.10.25

Epitaxial Growth Technique for Si1-xSnx Binary Alloy Thin Films Invited International conference

Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka

244th ECS Meeting 2023.10.10

イオン注入法によるn型無歪Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層の形成

加藤芳規、柴山茂久、坂下満男、黒澤昌志、中塚理

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.9.22

Si1-xSnx薄膜で観測される巨大熱電能の電子濃度依存性

大岩樹、柴山茂久、坂下満男、中塚理、片瀬貴義、黒澤昌志

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.9.23

Ge格子整合系SixGe1-x-ySny三元混晶とその転写

前田辰郎、石井裕之、張文馨、張師宇、柴山茂久、黒澤昌志、中塚理

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.9.23

スパッタリング法によるInP基板上のGe0.75Sn0.25エピタキシャル成長

壁谷汰知、柴山茂久、高木孝明、坂下満男、黒澤昌志、中塚理

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.9.23

Al/GeSn(111)エピタキシャル層構造からの偏析による極薄GeSn形成

松本泰河、柴山茂久、大田晃生、横川凌、黒澤昌志、坂下満男、中塚理

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.9.22

Seed-layer driven solid phase epitaxy of amorphous Ge1-xSnx layers on Si(001) substrates toward in-plane strain control International conference

Tatsuma Hiraide, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023.9.7

Experimental observation of negative differential resistance in GeSn/GeSiSn double barrier structure toward resonant tunneling diode applications International conference

Shuto Ishimoto, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023.9.7

Optoelectronic properties of Ge1−xSnx/high-Si-content SiyGe1−y− zSnz double quantum wells formed by low-temperature MBE growth and post deposition annealing International conference

Shigehisa Shibayama, Shiyu Zhang, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023.9.7

Low-temperature thermoelectric power-factor enhancement of n-type Ge-rich Ge1-x-ySixSny layers International conference

Itsuki Sugimura, Masaya Nakata, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023.9.7

Giant thermoelectric power of n-type Si1-xSnx layers grown on FZ-Si(001) substrates International conference

Tatsuki Oiwa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023.9.7

高濃度n型ドープSi1-xSnx薄膜の低温熱電物性評価

大岩樹、柴山茂久、坂下満男、中塚理、片瀬貴義、黒澤昌志

第7回フォノンエンジニアリング研究会 2023.8.5

N-type characteristics of undoped Ge0.967Sn0.033 fabricated on bulk n-Ge International conference

N. Shimizu, Y. Wang, A. Honda, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang

The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023) 2023.5.22

The layer transfer of Ge-lattice-matched SiGeSn epitaxial films International conference

Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen-Hsin Chang, Shiyu Zhang, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023) 2023.5.22

Low-temperature Thermoelectric Properties of GeSn Alloys Films International conference

M. Kurosawa, T. Katase, Y. Imai, M. Nakata, M. Kimura, T. Kamiya, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka

The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023) 2023.5.22

Heteroepitaxial Growth of High Substitutional Sn-content Ge1−xSnx Layer Lattice-matched on InP Substrate International conference

Osamu Nakatsuka, Komei Takagi, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita

The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023) 2023.5.22

Epitaxy and heterostructure of germanium tin-related group-IV alloy semiconductors for future electronic and optoelectronic applications Invited International conference

Osamu Nakatsuka, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, and Mitsuo Sakashita

2023 International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC VS TFT 8) 2023.5.15

固相成長法によるSi(001)基板上の伸長歪みGe1-xSnx薄膜の形成

平出達磨、大岩樹、柴山茂久、坂下満男、中塚理、黒澤昌志

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.3.16

GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードの室温動作に向けた構造設計

石本修斗、坂下満男、黒澤昌志、中塚理、柴山茂久

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.3.17

高Sn組成Ge1-xSnx(111)エピタキシャル薄膜の高品質形成

森俊輔、柴山茂久、加藤芳規、坂下満男、黒澤昌志、中塚理

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.3.16

高濃度n型ドープSi1-xSnx薄膜で観測された巨大熱電能

大岩樹、柴山茂久、坂下満男、中塚理、片瀬貴義、黒澤昌志

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.3.16

半絶縁性基板上Ge1-xSnx薄膜の低温熱電物性

今井志明、中田壮哉、木村公俊、片瀬貴義、神谷利夫、柴山茂久、坂下満男、中塚理、黒澤昌志

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.3.16

Heteroepitaxy of Ge1-xSnx with a high Sn content over 25% on InP(001) toward group-IV infrared detector International conference

Komei Takagi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.1.24

Challenge and new opportunity of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx heterostructures for optoelectronic and electronic applications Invited International conference

Shigehisa Shibayama, Shiyu Zhang, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.1.23

Epitaxial Germanide/Germanium Contact: Its Impact on Schottky Barrier Height Invited International conference

Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Masashi Kurosawa

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.1.23

N-type characteristics of undoped GeSn in the low Sn concentration region International conference

N. Shimizu, Y. Wang, A. Honda, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.1.23

Arising ferroelectric properties in ZrO2 thin film down to 4 nm International conference

Shota Ikeguchi, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.1.24

Development of accurate characterization technique of electrical properties in Ge1-xSnx-based group-IV epitaxial layers International conference

Taichi Mori, Shigehisa Shibayama, Kohei Nishizawa, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.1.24

Crystalline and electrical properties of Ge1-x-ySixSny epitaxial layers - Effect of Si incorporation and H2 irradiation - International conference

Kohei Nishizawa, Shigehisa Shibayama, Taichi Mori, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023.1.24

EXAFSによるZrO2薄膜の強誘電性発現機構の理解

池口祥太、永野丞太郎、坂下満男、黒澤昌志、中塚理、柴山茂久

11th NUSR Symposium, 名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム(2022) 2023.1.16

Ge1-xSnx系Ⅳ族半導体混晶エピタキシャル層の電気的欠陥密度の評価

西澤康平、坂下満男、黒澤昌志、中塚理、柴山茂久

第22回日本表面真空学会中部支部学術講演会 2022.12.17

Research and Development of GeSn-related Group-IV Semiconductor Heterostructures for Optoelectronic Applications Invited International conference

Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita

Syposium on Light emission and Photonics of Group IV semiconductor Nanostructures (LPGN) 2022.12.14

Synthesis of multilayer two-dimensional group-IV flakes and nanosheets International conference

M. Kurosawa, M. Itoh, Y. Ito, K. Okada, A. Ohta, M. Araidai, K. O. Hara, Y. Ando, S. Yamada, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka

33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33) 2022.11.15

Impact of Strain Structure in Epitaxial HfGe2/n-Ge(001) Contact on Morphology and Schottky Barrier Height International conference

Osamu Nakatsuka, Kentaro Kasahara, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Masashi Kurosawa

Advanced Metallization Conference 2022 2022.10.14

Study on doping by ion implantation of Si1-xSnx epitaxial layers International conference

Tatsuki Oiwa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022) 2022.9.27

Molecular beam epitaxy of Si1-xSnx layers with 10%-Sn content on Si1-yGey buffers International conference

Kazuaki Fujimoto, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022) 2022.9.27

Formation of ferroelectric ZrO2 film in ultra-thin region by sputtering method International conference

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022) 2022.9.27

高抵抗Si(111)基板上における多層シリカンナノシートの形成

伊藤善常、柴山茂久、坂下満男、中塚理、黒澤昌志

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022.9.21

Al/Ge(111)構造上に偏析した極薄Ge結晶相の転写

松下圭吾、大田晃生、柴山茂久、田岡紀之、牧原克典、宮崎誠一

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022.9.21

熱安定性の高いGe1-xSnx量子ドットの自己形成

橋本薫、柴山茂久、安坂幸師、黒澤昌志、坂下満男、中塚理

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022.9.21

Si(111)上における直接遷移Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル層の形成

森俊輔、柴山茂久、坂下満男、黒澤昌志、中塚理

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022.9.21

InP基板上の超高Sn組成Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル層の結晶性改善

高木孝明、柴山茂久、黒澤昌志、坂下満男、中塚理

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022.9.21

電子・光デバイス応用に向けたPt/GeSn接合のショットキー特性調査

清水昇、王一、山本圭介、張師宇、柴山茂久、中塚理、王冬

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022.9.21

Molecular Beam Epitaxy of CaGe2 Layers on Si(111) Substrate International conference

Kazuya Okada, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka, and Masashi Kurosawa

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2022.9.7

Sn-drivevn Self-formation of GeSn Nanodots on Insulator for Multi-layered Quantum Dots Structure International conference

Kaoru Hashimoto, Shigehisa Shibayama, Koji Asaka, Masashi Kurosawa, and Osamu NakatsukaKaoru Hashimoto, Shigehisa Shibayama, Koji Asaka, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2022.9.7

Electrical characteristics of metal/GeSn contacts in lateral Schottky diodes International conference

N. Shimizu, Y. Wang, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang

The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials 2022.8.3

Substrate engineering for strain-controlled high-Sn-content Ge1-xSnx epitaxy International conference

Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita

The 6th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2022 (APAC-Silicide 2022) 2022.8.1

多層量子ドット構造実現に向けた絶縁体上へのGe1-xSnxナノドットの自己形成

橋本薫、柴山茂久、安坂幸師、中塚理

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 2022.6.21

酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 Invited

柴山茂久、土井拓馬、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 2022.6.21

量子ドット実現に向けた超高Sn組成GeSnの自己組織化形成

橋本薫、柴山茂久、安坂幸師、中塚理

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会 2022.3.25

4H-SiC(0001)トレンチMOSFETへの機械的応力による移動度変化

彦坂直利、籠島瑛二、柴山茂久、坂下満男、富田英幹、西脇剛、藤原広和、中塚理、竹内和歌奈

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会 2022.3.24

Formation of Ge1-xSnx/SixGe1-x-ySny double quantum wells structure and its photoluminescence mechanism

Shiyu Zhang, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka

2022.3.26

スパッタリング法による強誘電性ZrO2極薄膜の形成

永野丞太郎、柴山茂久、坂下満男、中塚理

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会 2022.3.24

極薄GeSiSn/GeSn/GeSiSn二重障壁構造の形成およびその電気的特性

柴山茂久、Galih lamadana Suwito、中塚理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第27回） 2022.1.28

機械的な応力が4H-SiC(0001)トレンチMOSFETの移動度に与える影響

彦坂直利、竹内和歌奈、籠島瑛二、柴山茂久、坂下満男、富田英幹、西脇剛、藤原広和、中塚理

先進パワー半導体分科会　第8回講演会 2021.12.10

シンクロトロンナノビームX線回折を用いた4H-SiC(0001)トレンチMOSFETの局所歪の可視化

竹内和歌奈、籠島瑛二、隅谷和嗣、今井康彦、柴山茂久、坂下満男、木村滋、富田英幹、西脇剛、藤原広和、中塚理

先進パワー半導体分科会　第8回講演会 2021.12.10

Enhancement of the Field -effect Mobility of 4H-SiC Buried Channel n-MOSFETs by Using Al2O3 as a Gate Insulator International conference

Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Noriyuki Taoka, Mitsuo Sakashita, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka

2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2021) 2021.11.16

Schottky barrier height lowering for metal/n-type 4H-SiC contacts using low work function metals International conference

Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021) 2021.11.5

金属堆積後熱処理による低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBH低減

土井拓馬、柴山茂久、坂下満男、清水三聡、中塚理

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021.9.12

エピタキシャルHfGe2/n-Ge(001)コンタクトの微細化による界面平坦性および電気伝導特性の均一性向上

笠原健太郎、柴山茂久、坂下満男、中塚理

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021.9.10

Characterization of Local Strain in 4H-SiC Trench MOSFET by Synchrotron Nanobeam X-ray Diffraction International conference

Wakana Takeuchi, Eiji Kagoshima, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Shigeru Kimura, Hidemoto Tomita, Tsuyoshi Nishiwaki, Hirokazu Fujiwara, and Osamu Nakatsuka

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) 2021.9.8

Improved interface uniformity of epitaxial HfGe2/Ge(001) contact by microfabrication and its electron conduction property International conference

Kentaro Kasahara, Kazuki Senga, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka

The 20th International Workshop on Junction Technology 2021 (IWJT2021) 2021.6.11

Effects of post-formation teratment on electrical properties in 4H-SiC MOS capacitors Invited International conference

Wakana Takeuchi, Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka

THERMEC'2021 - International Conference on Processing & Manufacturing of advanced Materials 2021.6

ウェット熱処理によるZrO2薄膜の強誘電相発現機構

柴山茂久、永野丞太郎、安坂幸師、坂下満男、中塚理

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会 2021.3.16

界面層挿入が低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBHに与える影響

土井拓馬、柴山茂久、坂下満男、清水三聡、中塚理

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会 2021.3.18

高温堆積におけるZrO2薄膜結晶相の下地依存性

永野丞太郎、柴山茂久、坂下満男、中塚理

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会 2021.3.16

Epitaxial growth of strain-relaxed and high-Sn-content n-Ge1-xSnx on Si(111) substrate with Ge buffer layer International conference

An Huang, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT) 2021.3.10

Heterostructure design favorable for n+-Ge1-xSnx pseudo-direct transition layer for optoelectronic application International coauthorship International conference

Shiyu Zhang, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021) 2021.3.10

HfO2-ZrO2系の強誘電相発現におけるウェット熱処理の効果

柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第26回） 2021.1.22

低仕事関数金属/4H-SiC界面におけるMIGSの影響

土井拓馬、柴山茂久、坂下満男、清水三聡、中塚理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第26回） 2021.1.23

低仕事関数金属を用いたn型4H-SiCに対する低ショットキー障壁コンタクトの実現

土井拓馬、柴山茂久、坂下満男、清水三聡、中塚理

先進パワー半導体分科会　第7回講演会 2020.12.9

Understanding wet annealing effect on phase transition and ferroelectric phase formation for Hf1-xZrxO2 film International conference

Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, O. Nakatsuka

2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020) 2020.9.28

コンタクト抵抗率低減のための金属/Ⅳ族半導体界面制御技術 Invited

中塚理、柴山茂久、坂下満男

第84回半導体・集積回路技術シンポジウム 2020.9.16

Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design Invited International conference

Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Mistuo Sakashita

Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME2020) 2020.8

ウェット熱処理によるZrO2薄膜の特異な強誘電相発現機構

柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

エピタキシャル HfGe2形成による金属/n-Geコンタクト抵抗率の低減

千賀一輝、柴山茂久、中塚理

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

界面平坦性から見た極薄金属酸化Al2O3/4H-SiC構造の有用性

土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

低温ウェット熱処理による強誘電性のアンドープZrO2薄膜の形成

柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第25回）

低温プロセスによる金属/4H-SICコンタクトのショットキー障壁高さ制御手法の検討

柴山茂久、橋本健太郎、土井拓馬、中塚理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第25回）

室温での極薄金属膜酸化法による基板酸化を抑制した良質なAl2O3/4H-SiC界面の実現

土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第25回）

(Invited) heteroepitaxy and strain engineering of germanium-silicon-tin ternary alloy semiconductor thin films for energy band design

Nakatsuka O.

ECS Transactions

ウェット酸素熱処理による強誘電性ZrO2薄膜の形成

柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理

第19回日本表面真空学会中部支部学術講演会

良質なAl2O3/4H-SiC MOS界面形成における4H-SiC表面構造の重要性

土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理

先進パワー半導体分科会　第6回講演会

In-situ Sb Doping into Ge1-xSnx Epitaxial Layer toward Enhancement of Photoluminescence Intensity International conference

Masahiro Fukuda, Jihee Jeon, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

The 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) 2019.11.29

Crystal Growth and Characterization of Group-IV Alloy Semiconductor Heterostructures for Future Electronic Devices Invited International conference

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and S. Zaima

The 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII)

Ferroelectric Phase Evolution of Undoped ZrO2 Thin Films by Wet O2 Annealing Process International conference

Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka

2019 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2019)

Saturation of Activated Sb Atom in Heavily Sb-Doped Ge Epitaxial Layers International conference

Jihee Jeon, Shigehisa Shibayama, Shigeaki Zaima, Osamu Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 2019.11.3

Development of in-situ cyclic metal layer oxidation to form abrupt Al2O3/4H-SiC interface International conference

T. Doi, S. Shibayama, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, M. Shimizu, and O. Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019)

Model development of MOCVD growth for realizing high-Sn-content Ge1-xSnx epitaxial layer ~ What physical properties are required for precursors? ~ International conference

Y. Miki, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019)

Optoelectronic Property of GeSn and GeSiSn Heterostructure International conference

M. Fukuda, M. Sakashita, S. Shibayama, M. Kurosawa, S. Zaima, and O. Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019)

金属薄膜酸化法によるAl2O3/4H-SiC(0001)界面特性の改善

土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理

第7回応用物理学会SC東海地区学術講演会 2019 （JSAP SCTS 2019）

SiCxOy界面層導入による金属/4H-SiCコンタクトのSBH制御 Control

橋本健太郎、土井拓馬、柴山茂久、中塚理

第7回応用物理学会SC東海地区学術講演会 2019 （JSAP SCTS 2019） "名古屋大（名古屋）"

Saturation of Sb1+ Concentration in Heavily Sb-doped n+-Ge Epitaxial Layers International conference

J. Jeon, S. Shibayama, and O. Nakatsuka

Advanced Metallization Conference 2019 (ADMETA2019): 29th Asian Session Conference

高濃度SbドープによるGe1-xSnxのフォトルミネッセンス発光強度の増大

福田雅大、全智禧、坂下満男、柴山茂久、黒澤昌志、中塚理

第78回応用物理学会秋季学術講演会

In-situ cyclic metal layer oxidation for future improving interface properties of Al2O3/4H-SiC(0001) gate stacks International conference

Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials 2019.9.5

Strain Relaxation Enhancement of Ge1-x-ySixSny Epitaxial Layer on Ge Substrate Using Ion-Implantation Method International conference

H. Sofue, M. Fukuda, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials

Fermi level pinninng at metal/4H-SiC contact induced by SiCxOy interalyer International conference

Kentaro Hashimoto, Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials 2019.9.4

GeSn and GeSiSn Heterostructures for Optoelectronic Applications Invited International conference

O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Kurosawa, M. Sakashita, S. Shibayama, and S. Zaima

2019 IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series (IEEE/SUM)

Ultra-low resistance contact for n-type Ge1-xSnx with in-situ Sb heavily doping and nickel stanogermanide formation

J. Jeon, A. Suzuki, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka

イオン注入法によるⅣ族半導体混晶薄膜の歪緩和促進機構について

祖父江秀隆、福田雅大、柴山茂久、財満鎭明、中塚理

シリコン材料・デバイス研究会(SDM)

Further reduction of Schottky barrier height of Hf-germanide/n-Ge(001) contacts by forming epitaxial HfGe2 International conference

K. Senga, S. Shibayama, M. Sakashita, S. Zaima, and O. Nakatsuka

19th International Workshop on Junction Technology 2019

Development and challenges of group-IV semiconductors for nanoelectronic applications Invited International conference

S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Shibayama

The 11th International Conference on High Performance Ceramics (CICC-11)

Formation of Strain-relaxed Ge1-x-ySixSny Epitaxial Layer using Ion-implanted Ge Substrate International conference

H. Sofue, M. Fukuda, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science ISPlasma2019/IC-PLANTS2019

Raman分光法を用いたイオン注入Ge基板の結晶損傷評価

祖父江秀隆、福田雅大、柴山茂久、中塚理、財満鎭明

2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

HfO2-ZrO2系薄膜の反強誘電性の発現過程について

柴山茂久、坂下満男、中塚理、財満鎭明

2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

Saturated concentration of activated Sb in Sb-doped Ge epitaxial thin films

J. Jeon, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

ポスト酸素ラジカル処理によるAl2O3/SiC界面のSi炭酸化物の脱炭素化

土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第24回）

高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および電子特性評価

福田雅大、坂下満男、柴山茂久、黒澤昌志、中塚理、財満鎭明

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第24回）

エピタキシャルHfGe2/Ge(001)界面の形成によるショットキー障壁高さ制御

千賀一輝、中塚理、坂下満男、柴山茂久、財満鎭明

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第24回）

Development of germanium-tin-related semiconductor heterostructures for energy band design in electronic and optoelectronic applications

Nakatsuka O.

ECS Transactions

Al2O3/4H-SiC界面層への酸素ラジカル照射における反応機構

土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明

第16回日本表面科学会中部支部学術講演会

Formation of Nickel Stanogermanide/Heavily Doped n+-Ge1-xSnx Structure with Ultra-Low Contact Resistivity International conference

J. Jeon, A. Suzuki, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Intergration"

Study of factors to limit increasing Sn content in Ge1-xSnx for MOCVD method International conference

Y. Miki, W. Takeuchi, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Intergration"

Understanding of ferroelectric phase formation mechanism for un-doped ZrO2 Invited International conference

S. Shibayama, T. Nishimura, S. Migita, and A. Toriumi

12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Intergration"

Al2O3/SiCに対する酸素ラジカル処理による界面反応機構

土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明

第6回応用物理学会SC東海地区学術講演会 2018 （JSAP SCTS 2018）

インピーダンス解析による強誘電性HfO2における分極反転過程の観察

安田脩平、柴山茂久、西村知紀、矢嶋赳彬、右田真司、鳥海明

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

Al2O3/SiC形成後の酸素ラジカル処理による界面特性の改善

土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

Effect of internal-strain caused by monoclinic phase foramtion on ferroelectric phase formation of ZrO2 International conference

S. Shibayama, T. Nishimura, X. Tian, S. Migita, and A. Toriumi

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials

Junctionless ferroelectric FET with doped HfO2 on n+-TiO2 for three-terminal nonvolatile switch International conference

L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials

High on/off ratio (>10) ferroelectric tunnel junctions (FTJs) with ultrathin Y-doped HfO2 International conference

X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials

Atomically flat interface formation on Ge(111) in oxidation process International conference

T. Nishimura, S. Takemura, X. Wang, S. Shibayama, T. Yajima, and A. Toriumi

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials

Ferroelectric and anti-ferroelectric phase control of un-doped ZrO2 International conference

S. Shibayama, T. Nishimura, S. Migita, and A. Toriumi

2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference (IFAAP 2018)

Ge酸化に伴う表面平坦性の劣化と酸化機構の変化

竹村千里、柴山茂久、西村知紀、矢嶋赳彬、鳥海明

第65回応用物理学会春季学術講演会

Improvement of Remanent Polarization and Endurance Characteristics in Thin Ferroelectric Y-doped HfO2

X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

HfxZr1-xO2が広い濃度領域で強誘電性を示す起源について

柴山茂久、西村知紀、右田真司、鳥海明

第65回応用物理学会春季学術講演会

アンドープZrO2薄膜における強誘電性の実現

柴山茂久、西村知紀、右田真司、鳥海明

第65回応用物理学会春季学術講演会

パルスレーザーアニールによるHfO2薄膜の非平衡結晶化

森優樹、柴山茂久、矢嶋赳彬、西村知紀、右田真司、鳥海明

第65回応用物理学会春季学術講演会

Nucleation-Driven Ferroelectric Phase Formation in ZrO2 Thin Films -What is Different in ZrO2 from HfO2 ?- International conference

S. Shibayama, T. Nishimura, S. Migita, and A. Toriumi

2nd Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2018

Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties Invited

X. Tian, L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties International conference

X. Tian, L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

2017 IEEE International Electron Devices Meeting

Thickness-dependent ferroelectric phase evolution in doped HfO2 International conference

L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials

Direct Evidence of 3-nm-thick Ferroelectric HfO2 International conference

X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials

Dopant-independent maximum Pr of doped ferroelectric HfO2

L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

Ferroelectric tunnel junctions with ultrathin Y2O3-doped HfO2

X. Tian, S. Shibayama, L. Xu, S. Migita, and A. Toriumi

HfO2膜の強誘電相形成における熱履歴の重要性

柴山茂久、徐倫、田璇、右田真司、鳥海明

第64回応用物理学会春季学術講演会

General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation Invited

L. Xu, S. Shibayama, K. Izukashi, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

圧電応答力顕微鏡を用いたYドープHfO2の強誘電性ドメインの観察

柴山茂久、徐倫、田璇、右田真司、鳥海明

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第22回）

Ferroelectric HfO2 MIS Capacitor and MISFET on Oxide Semiconductors International conference

L. Xu, S. Shibayama, K. Izukashi, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference

General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation International conference

L. Xu, S. Shibayama, K. Izukashi, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

2016 IEEE International Electron Devices Meeting

Opportunity of Ferroelectric Phase Formation in Nitrogen-doped HfO2 International conference

L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials

Depolarization Process in Ferroelectric HfO2 Probed by Piezo-response Force Microscopy (PFM) International conference

S. Shibayama, L. Xu, X. Tian, S. Migita, and A. Toriumi

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials

Tunneling Electro-resistance Effect in Ultra-thin Ferroelectric HfO2 Junctions International conference

X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials

Effects of nitrogen bonding on para-/ferroelectric transition of HfO2 Invited

L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

Study of polarization uniformity in N-doped ferroelectric HfO2 by piezo-response force microscopy

L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

強誘電性HfO2膜における局所内部電界に起因する分極の不均質性

柴山茂久、徐倫、田璇、右田真司、鳥海明

第77回応用物理学会秋季学術講演会

圧電応答力顕微鏡を用いた強誘電性HfO2のエージング特性に関する研究 Invited

柴山茂久, 徐倫, 右田真司, 鳥海明

応用物理シリコンテクノロジー分科会第194回　研究集会「2016 VLSI特別シンポジウム」特集

Study of Wake-up and Fatigue Properties in Doped and Undoped Ferroelectric HfO2 in Conjunction with Piezo-Response Force Microscopy Analysis International conference

S. Shibayama, L. Xu, S. Migita, and A. Toriumi

2016 Symposia on VLSI Technology and Circuits

10-nm-Scale Ferroelectric Domain Distribution in Ferroelectric HfO2 Observed by Using Piezo-Response Force Microscopy International conference

S. Shibayama, L. Xu, X. Tian, S. Migita, and A. Toriumi

7th International Symposium on control of semiconductor interfaces (ISCSI-VII)/International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016)

多相HfO2膜における均一強誘電相の発現

柴山茂久, 徐倫, 右田真司, 鳥海明

2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

ラマン分光測定及びXRDによる強誘電性YドープHfO2の構造解析

厳樫一孝, 柴山茂久, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 右田真司, 鳥海明

第63回応用物理学会春季学術講演会

New finding of ferroelectricity of N doped HfO2 films

L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi

強誘電性HfO2膜における分極ドメインの減衰

柴山茂久, 徐倫, 右田真司, 鳥海明

第63回応用物理学会春季学術講演会

原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面形成および欠陥の堆積温度依存性

兼松正行, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第21回）

Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析

長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第21回）

Study of local polarization in ferroelectric HfO2 films with piezo-response force microscope (PFM) International conference

S. Shibayama, L. Xu, S. Migita, and A. Toriumi

9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectonics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration"

Control of Schottky barrier height at metal/Ge interface by insertion of GexSn1-x layer International conference

A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectonics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration"

Control of Schottky Barrier Height at Metal/Ge Interface by SnxGe1-x Interlayer International conference

A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15)

Calculation of Si1-xSnx Energy Band Structures by using Density Functional Theory Considering Atomic Configuration International conference

Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15)

超高Sn組成Sn1-xGexエピタキシャル層の形成および金属/Sn1-xGex/Geコンタクトの電気伝導特性の制御

鈴木陽洋, 中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会 2015 (JSAP SCTS 2015)

密度汎関数法によるSi1-xSnx価電子帯端準位の理論予測および実験的妥当性

長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会 2015 (JSAP SCTS 2015)

Influence of atomic layer deposition temperature of GeO2 layer on electrical properties of Ge gate stack International conference

M. Kanematsu, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2015)

Evaluation of energy band structure of Si1-xSnx by density functional theory calculation and photoelectron spectroscopy International conference

Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2015)

Ge基板上への超高Sn組成Ge1-xSnxエピタキシャル層の形成およびGe1-xSnx界面層が金属/Geコンタクトのショットキー障壁高さに及ぼす影響

鈴木陽洋, 中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 財満鎭明

第4回結晶工学未来塾

Impact of ultra-high Sn content SnxGe1-x interlayer on reducing Schottky barrier height at metal/n-Ge interface International conference

A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015)

1T-TaS2の相転移に対する温度およびゲートバイアス変調効果

柴山茂久, 方楠, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明

第76回応用物理学会秋季学術講演会

原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面の低温形成と電気的特性評価

兼松正行, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第76回応用物理学会秋季学術講演会

Ge1-xSnxエピタキシャル層中における欠陥形成に対するSn組成の影響

浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第76回応用物理学会秋季学術講演会

Reduction of Schottky barrier height with Sn/Ge contact International conference

A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

JSPS International Workshop Core-to-Core Program Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration

金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御

鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

シリコン材料・デバイス研究会(SDM)

Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果

浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

シリコン材料・デバイス研究会(SDM)

Formation of Type-I Energy Band Alignment of Ge1-x-ySixSny/Ge Heterostructure International conference

T. Yamaha, K. Kato, S. Shibayama, T. Asano, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI9)

Control of Electrically Active Defects in Ge1-xSnx Epitaxial Layers International conference

T. Asano, S. Shibayama, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI9)

Ge1-x-ySixSny/Geヘテロ構造におけるエネルギーバンド構造の解明

山羽隆, 加藤公彦, 柴山茂久, 浅野孝典, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第62回応用物理学会春季学術講演会

Ge1−xSnxエピタキシャル層中の欠陥の電気的特性

浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第62回応用物理学会春季学術講演会

GGA+U法によるSi1-xSnx材料物性の精密予測

長江祐樹, 黒澤昌志, 加藤元太, 柴山茂久, 中塚理, 財満鎭明

第62回応用物理学会春季学術講演会

Al2O3/Ge構造に対する熱酸化にともなうGe表面からのGe原子放出過程

柴山茂久, 中嶋薫, 坂下満男, 中塚理, 木村健二, 財満鎭明

第62回応用物理学会春季学術講演会　

リン酸溶液中レーザドーピングにおけるGe 基板面方位の効果

高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第62回応用物理学会春季学術講演会

金属/Ge 界面への高Sn組成Ge1−xSnx層挿入によるショットキー障壁高さの低減

鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第62回応用物理学会春季学術講演会

GeO2薄膜の正方晶形成による化学的安定性の向上

柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理― （第20回研究会）

Sn/Ge コンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減

鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理― （第20回研究会）

Devolepment of metal/Ge contacts for engineering Schottky barriers International conference

O. Nakatsuka, Y. Deng, A. Suzuki, S. Shibayama, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima

JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration

パルス MOCVD 法を用いた Ge(001)基板上における正方晶 GeO2 膜の形成

柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会 2014 （JSAP SCTS 2014）

Sn/Ge界面の結晶構造およびショットキー障壁高さのGe面方位依存性

鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会 2014 （JSAP SCTS 2014）

Low Schottky barrier height contacts with Sn electrode for various orientation n-Ge substrates International conference

A. Suzuki, D. Yunsheng, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Advanced Metallization Conference 2014

パルスMOCVD法により作製したGeO2薄膜を用いたゲートスタック構造の界面構造と電気的特性

柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

第75回応用物理学会秋季学術講演会

Si1-xSnx薄膜におけるバンドギャップナローウィングの初観測

黒澤昌志, 柴山茂久, 加藤元太, 山羽隆, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第75回応用物理学会秋季学術講演会

酸化プロセスにおける絶縁膜/Ge界面の界面準位密度を決定づける物理的要因

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

第61回応用物理学会春季学術講演会　

MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いたAl2O3/GeOx/Ge構造の電気的特性および構造評価

吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理― （第19回研究会）

低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理― （第19回研究会）

Al2O3/Ge構造の後熱酸化によるAlGeO形成にともなう界面特性の改善

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会 2013 (JSAP SCTS 2013)

Interface Properties of Al2O3/Ge MOS Structures with Thin Ge Oxide Interfacial Layer Formed by Pulsed MOCVD International conference

T. Yoshida, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices-Science and Technology- (2013 IWDTF)

Quantitative Guideline for Formation of Ge MOS Interface with Low Interface State Density International conference

S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices-Science and Technology- (2013 IWDTF)

Reduction of Interface State Density due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al2O3/Ge Interface International conference

S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

224th The Electrochemical Society (ECS) Meeting

界面反応機構に基づくAl2O3/Ge界面構造制御

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

第74回応用物理学会秋季学術講演会

テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成

吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

シリコン材料・デバイス研究会(SDM)

Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

シリコン材料・デバイス研究会(SDM)

Impacts of AlGeO Formation by Post Thermal Oxidation of Al2O3/Ge Structure on Interface Properties International conference

S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-VI)

Al2O3/Ge構造の熱酸化による界面構造変化と界面特性との相関関係

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

第60回応用物理学会春季学術講演会

AlGeO Formation near Al2O3/Ge Interface with Post Thermal Oxidation International conference

S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics

Feasibility of Ge Device Fabrication by Low Temperature Processes on ULSI Circuits Invited International conference

N. Taoka, M. Kurosawa, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics

Control of Al2O3/Ge Interfacial Structures by Post Oxidation Technique Using Oxygen Radical International conference

K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)

テトラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成

吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理― （第18回研究会）

Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理― （第18回研究会）

Interfacial Reaction Mechanism in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical International conference

K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Solid State Devices and Materials 2012 (SSDM2012)

Thermal Oxidation Mechanism of Ge through Al2O3 Layer Formed on Ge Substrate International conference

S. Shibayama, K. Kato M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

IUMRS-International Conference on Electronic Materials

テトラエトキシゲルマニウムを用いた原子層堆積法によるGe酸化膜の形成

吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会

Effect of Light Exposure and Air Exposures on Electrical Properties of GeO2/Ge and Al2O3/Ge Gate Stack Structures International conference

Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012)

Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

シリコン材料・デバイス研究会(SDM)

Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理温度依存性およびその界面反応機構

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第59回応用物理学会関係連合講演会

Al2O3/Geに対する酸素熱処理が電気的特性および化学結合状態に与える効果

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理― （第17回研究会）

Al2O3/Geゲートスタック構造に対する酸素熱処理の化学結合状態および界面特性に与える効果

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第11回日本表面科学会中部支部学術講演会

Effect of Light Exposure during Plasma Process on Electrical Properties of Au/Al2O3/Ge MOS Capacitor

Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Improvement of Al2O3/Ge Interfacial Properties by O2 Annealing International conference

S. Shibayama, K. Kato M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)

Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

シリコン材料・デバイス研究会(SDM)

Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure

Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

熱処理によるAl2O3/Ge界面構造制御

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第58回応用物理学会関係連合講演会

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