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ポスト酸素ラジカル処理によるAl2O3/SiC界面のSi炭酸化物の脱炭素化
土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第24回）
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高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および電子特性評価
福田雅大、坂下満男、柴山茂久、黒澤昌志、中塚理、財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第24回）
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エピタキシャルHfGe2/Ge(001)界面の形成によるショットキー障壁高さ制御
千賀一輝、中塚理、坂下満男、柴山茂久、財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第24回）
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Nakatsuka O.
ECS Transactions
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Al2O3/4H-SiC界面層への酸素ラジカル照射における反応機構
土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明
第16回 日本表面科学会中部支部学術講演会
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Formation of Nickel Stanogermanide/Heavily Doped n+-Ge1-xSnx Structure with Ultra-Low Contact Resistivity International conference
J. Jeon, A. Suzuki, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima
12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Intergration"
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Study of factors to limit increasing Sn content in Ge1-xSnx for MOCVD method International conference
Y. Miki, W. Takeuchi, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima
12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Intergration"
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Understanding of ferroelectric phase formation mechanism for un-doped ZrO2 Invited International conference
S. Shibayama, T. Nishimura, S. Migita, and A. Toriumi
12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Intergration"
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Al2O3/SiCに対する酸素ラジカル処理による界面反応機構
土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明
第6回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2018 （JSAP SCTS 2018）
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インピーダンス解析による強誘電性HfO2における分極反転過程の観察
安田脩平、柴山茂久、西村知紀、矢嶋赳彬、右田真司、鳥海明
2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会
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Al2O3/SiC形成後の酸素ラジカル処理による界面特性の改善
土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明
2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会
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Effect of internal-strain caused by monoclinic phase foramtion on ferroelectric phase formation of ZrO2 International conference
S. Shibayama, T. Nishimura, X. Tian, S. Migita, and A. Toriumi
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Junctionless ferroelectric FET with doped HfO2 on n+-TiO2 for three-terminal nonvolatile switch International conference
L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
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High on/off ratio (>10) ferroelectric tunnel junctions (FTJs) with ultrathin Y-doped HfO2 International conference
X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Atomically flat interface formation on Ge(111) in oxidation process International conference
T. Nishimura, S. Takemura, X. Wang, S. Shibayama, T. Yajima, and A. Toriumi
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Ferroelectric and anti-ferroelectric phase control of un-doped ZrO2 International conference
S. Shibayama, T. Nishimura, S. Migita, and A. Toriumi
2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference (IFAAP 2018)
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Ge酸化に伴う表面平坦性の劣化と酸化機構の変化
竹村 千里、柴山 茂久、西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
第65回応用物理学会春季学術講演会
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Improvement of Remanent Polarization and Endurance Characteristics in Thin Ferroelectric Y-doped HfO2
X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
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HfxZr1-xO2が広い濃度領域で強誘電性を示す起源について
柴山 茂久、西村 知紀、右田 真司、鳥海 明
第65回応用物理学会春季学術講演会
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アンドープZrO2薄膜における強誘電性の実現
柴山 茂久、西村 知紀、右田 真司、鳥海 明
第65回応用物理学会春季学術講演会