Presentations -
-
Molecular Beam Epitaxy of CaGe2 Layers on Si(111) Substrate International conference
Kazuya Okada, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka, and Masashi Kurosawa
9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2022.9.7
-
Sn-drivevn Self-formation of GeSn Nanodots on Insulator for Multi-layered Quantum Dots Structure International conference
Kaoru Hashimoto, Shigehisa Shibayama, Koji Asaka, Masashi Kurosawa, and Osamu NakatsukaKaoru Hashimoto, Shigehisa Shibayama, Koji Asaka, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2022.9.7
-
Electrical characteristics of metal/GeSn contacts in lateral Schottky diodes International conference
N. Shimizu, Y. Wang, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang
The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials 2022.8.3
-
Substrate engineering for strain-controlled high-Sn-content Ge1-xSnx epitaxy International conference
Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita
The 6th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2022 (APAC-Silicide 2022) 2022.8.1
-
多層量子ドット構造実現に向けた絶縁体上へのGe1-xSnxナノドットの自己形成
橋本 薫、柴山 茂久、安坂 幸師、中塚 理
シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 2022.6.21
-
酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 Invited
柴山 茂久、土井 拓馬、坂下 満男、田岡 紀之、清水 三聡、中塚 理
シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 2022.6.21
-
量子ドット実現に向けた超高Sn組成GeSnの自己組織化形成
橋本 薫、柴山 茂久、安坂 幸師、中塚 理
2022年第69回 応用物理学会 春季学術講演会 2022.3.25
-
4H-SiC(0001)トレンチMOSFETへの機械的応力による移動度変化
彦坂 直利、籠島 瑛二、柴山 茂久、坂下満男、富田 英幹、西脇 剛、藤原 広和、中塚 理、竹内 和歌奈
2022年第69回 応用物理学会 春季学術講演会 2022.3.24
-
Formation of Ge1-xSnx/SixGe1-x-ySny double quantum wells structure and its photoluminescence mechanism
Shiyu Zhang, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka
2022.3.26
-
スパッタリング法による強誘電性ZrO2極薄膜の形成
永野 丞太郎、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理
2022年第69回 応用物理学会 春季学術講演会 2022.3.24
-
極薄GeSiSn/GeSn/GeSiSn二重障壁構造の形成およびその電気的特性
柴山 茂久、Galih lamadana Suwito、中塚 理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第27回） 2022.1.28
-
機械的な応力が4H-SiC(0001)トレンチMOSFETの移動度に与える影響
彦坂 直利、竹内 和歌奈、籠島 瑛二、柴山 茂久、坂下満男、富田 英幹、西脇 剛、藤原 広和、中塚 理
先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021.12.10
-
シンクロトロンナノビームX線回折を用いた4H-SiC(0001)トレンチMOSFETの局所歪の可視化
竹内 和歌奈、籠島 瑛二、隅谷 和嗣、今井 康彦、柴山 茂久、坂下満男、木村 滋、富田 英幹、西脇 剛、藤原 広和、中塚 理
先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021.12.10
-
Enhancement of the Field -effect Mobility of 4H-SiC Buried Channel n-MOSFETs by Using Al2O3 as a Gate Insulator International conference
Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Noriyuki Taoka, Mitsuo Sakashita, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka
2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2021) 2021.11.16
-
Schottky barrier height lowering for metal/n-type 4H-SiC contacts using low work function metals International conference
Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021) 2021.11.5
-
金属堆積後熱処理による低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBH低減
土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理
2021年第82回 応用物理学会 秋季学術講演会 2021.9.12
-
エピタキシャルHfGe2/n-Ge(001)コンタクトの微細化による界面平坦性および電気伝導特性の均一性向上
笠原 健太郎、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理
2021年第82回 応用物理学会 秋季学術講演会 2021.9.10
-
Characterization of Local Strain in 4H-SiC Trench MOSFET by Synchrotron Nanobeam X-ray Diffraction International conference
Wakana Takeuchi, Eiji Kagoshima, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Shigeru Kimura, Hidemoto Tomita, Tsuyoshi Nishiwaki, Hirokazu Fujiwara, and Osamu Nakatsuka
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) 2021.9.8
-
Improved interface uniformity of epitaxial HfGe2/Ge(001) contact by microfabrication and its electron conduction property International conference
Kentaro Kasahara, Kazuki Senga, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka
The 20th International Workshop on Junction Technology 2021 (IWJT2021) 2021.6.11
-
Effects of post-formation teratment on electrical properties in 4H-SiC MOS capacitors Invited International conference
Wakana Takeuchi, Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
THERMEC'2021 - International Conference on Processing & Manufacturing of advanced Materials 2021.6