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SiC溶液成長におけるマクロステップ高さがインクルージョン形成に及ぼす影響
深見 勇馬, 周 惠琴, 竹本 玖生, 黨 一帆, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.3.15
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CFD simulation in solution growth aided by machine learning- Application for SiC top-seeded solution growth International conference
Toru UJIHARA
3rd International Symposium on Modeling of Crystal Growth Processes & Devices (MCGPD-2023) 2023.3.6
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AIとオペレータの『意味』を介したコミュニケーションによる結晶成長技術開発
宇治原徹
AI NEXT FORUM 2023 2023.2.16
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Large Diameter SiC Crystal Growth assisted by AI technology International conference
Toru UJIHARA
33th 2022 International Symposium on Micro-Nano Mechatronics and Human Science (MHS2022) 2022.11.30
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Development of High Thermal Conductive Ceramics and High Thermal Conductive Resins Using Fibrous Aluminum Nitride Filler Invited International conference
Toru Ujihara
10th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ2021),November 10-12, 2021 2021.11.12
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SiC溶液法における添加元素の溶液局所構造への影響の第一原理計算による解明
関翔太，河村貴宏，原田俊太，田川美穂，宇治原徹
第51回結晶成長国内会議(JCCG-51) 2022.10.31
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DNA修飾ナノ粒子の結晶成長における重水の影響
張力東，横森真麻，太田昇，関口博，原田俊太，宇治原徹，田川美穂
第51回結晶成長国内会議（JCCG-51） 2022.11.1
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SiC溶液成長における溶液の拡散がステップ成長に及ぼす影響の解明
竹本玖生，周恵琴，深見勇馬，沓掛健太郎，原田俊太，田川美穂，宇治原徹
第51回結晶成長国内会議(JCCG-51) 2022.11.1
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大口径SiC溶液成長の現状と課題
宇治原 徹, 鈴木 皓己, 古庄 智明, 沓掛 健太朗, 黨 一帆, 劉 欣博, 朱 燦, 周 惠琴, 深見 勇馬, 太田 壮音, 関 翔太, 霜田 大貴, 中西 祐貴, 島 颯一, 布野 日奈子, 上松 浩, 原田 俊太, 田川 美穂
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日 2022.9.20
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Surface Stability of reconstructions on BAs (111) surface:An Ab Initio-Based Approach
Peiyang Cai, Toru Akiyama, TomomasaKiyozawa, Takafumi Hatano, Shunta Harada,Miho Tagawa, Hiroshi Ikuta, Toru Ujihara
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日 2022.9.21
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専門家の知識を入れたものづくりのためのデータ同化（ii）-SiC溶液成長シミュレーションへの適用-
太田 壮音, 沓掛 健太朗, 竹野 思温, 烏山 昌幸, 竹内 一郎, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日 2022.9.22
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専門家の知識を入れたものづくりのためのデータ同化（i）-手法の提案-
沓掛 健太朗, 竹野 思温, 太田 壮音, 烏山 昌幸, 竹内 一郎, 宇治原 徹
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日 2022.9.22
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機械学習を用いたSiC結晶の転位増殖抑制に向けた降温条件の探索
熊谷 尚純, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日 2022.9.22
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多段プロセスに対するベイズ最適化の提案 -太陽電池プロセスを例に-
沓掛 健太朗, 中野 高志, 草川 隼也, 竹内 一郎, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日 2022.9.22
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SiC溶液法における溶媒への添加元素効果の第一原理計算による解析
関 翔太, 河村 貴宏, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日 2022.9.20
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SiC溶液成長法における中間メルトバックによる表面平坦性の改善
馬 叔陽, 朱 燦, 党 一帆, 劉 欣博, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,東北大学, 2022年9月20-26日 2022.9.20
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Analysis of Inclusion Defect Generation in SiC Solution Crystal Growth Method Using Phase-Field Model International conference
HUIQIN ZHOU , YUMA FUKAMI, YIFAN DANG, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
2022.9.20
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Simulation of Macrosteps Development and Design of Control Pattern for Solution Growth of SiC
Yifan Dang, Xinbo Liu, Yuma Fukami, Shuyang Ma, Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa,Toru Ujihara
2022.9.20
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Analysis of effect of additives in solution growth of SiC by first-principles molecular dynamics calculation International conference
Shota seki, Takahiro Kawamura, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2022） 2022.9.12
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Nucleation sites of stacking faults detected by in-operando X-ray topography for designing bipolar-degradation-free SiC MOSFETs International conference
KUMIKO KONISHI, Ryusei Fujita, Keisuke Kobayashi, Akio Yoneyama, Kotaro Ishiji, Hiroyuki Okino, Toru Ujihara, Akio Shima
19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2022） 2022.9.14