Presentations -
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Insights from 3D Modeling of SiC Solution Growth: Unidirectional Solution Flow Realization by Asymmetric Hot-zone Designs International conference
Xin Liu, Tomoaki Furusho, and Toru Ujihara
The 21st International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-21) 2025.8.5
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Numerical modeling of the step bunching formation in SiC solution growth for different flow conditions International conference
Guan Zhicheng, Liu Xin, Kutsukake Kentaro, Harada Shunta, Ujihara Toru
The 21st International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-21) 2025.8.5
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VAE-based Re-Optimization for Crystal Growth Systems under Structural Changes International conference
Takanao Sakamoto, Tomoaki Furusho, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Toru Ujihara
24th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-24)
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Solvent Inclusion and Macrostep Behavior Revealed by Impurity Distribution in Solution Growth of p-Type 4H-SiC International conference
Takahiro Ito, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Toru Ujihara
24th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-24)
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デジタルツインによるSiC溶液成長プロセス開発とその応用
宇治原 徹
先進パワー半導体分科会第 30 回研究会 2025.5.30 公益社団法人応用物理学会 先進パワー半導体分科会
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Machine Learning Technology in SiC Solution Growth Method Invited International conference
T.Ujihara
2025 Spring Meeting of The Korean Ceramic Society 2025.4.16
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P型4H-SiC溶液成長法における溶媒インクルージョンおよび結晶の不純物濃度分布の形成要因の分析
伊藤 貴洋 ，沓掛 健太朗 ，原田 俊太，宇治原 徹
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.14 公益社団法人 応用物理学会
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半導体熱処理条件の最適化における既存条件を考慮した目的関数の検討
笠原 亮太郎, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 宇治原 徹, 関 翔太, 高石 将暉, 永井勇太
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.17 公益社団法人 応用物理学会
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半導体製造における企業間を跨いだデジタルツインによるウェーハ・デバイスプロセスの全体最適化
関 翔太, 中西 佑児, 松岡 毅, 前田 進, 楠木 琢也, 永井 勇太, 永倉 大樹, 谷川 公一, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.17 公益社団法人 応用物理学会
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Development of Ultra-High Quality SiC Crystal Growth Technology Using Machine Learning Invited
2025.3.14
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絶縁放熱シートにおける形状の異なるAlN フィラーの共添加による高熱伝導化
山口昂大, 原田俊太, 沓掛健太朗, 宇治原徹
2025年年会 公益社団法人日本セラミックス協会 2025.3.6 公益社団法人 日本セラミックス協会
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Modeling and Analysis of undoped GaN using A horizontal laminar flow MOCVD reactor International conference
Takahiro Gotow, Tsutomu Sonoda, Tokio Takahashi, Hisashi Yamada, Toshihide Ide, Reiko Azumi, Mitsuaki Shimizu, Yosuke Tsunooka, Shohta Seki, Kentaro Kutsukake, and Tohru Ujihara
17ty International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma2025) 2025.3.3
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プロセス・インフォマティクスによる素材開発：SiC溶液成長への応用 Invited
宇治原 徹
2024年度 OPERANDO-OIL・COMS・量⼦ビーム計測クラブ合同研究会 2025.2.10
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Machine Learning Technology in SiC Solution Growth Method
Toru Ujihara
2025.1.31
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Study of Analytical Target Cascading applicable to total optimization of a cascade process
Ryotaro Kasahara, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Toru Ujihara
2024.12.17
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Optimization of long-time process in SiC solution growth responding to changes in crucible shape
T. Sakamoto, K. Kutsukake , S. Harada ,and T. Ujihara
2024.12.17
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数値計算を駆使したマクロステップの挙動の基礎的理解に基づくSiC溶液法技術の開発 Invited
宇治原 徹
先進パワー半導体分科会11回講演会 2024.11.26 公益社団法人応用物理学会 先進パワー半導体分科会
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SiC溶液成長における成長、エッチング、堆積界面の動的変形モデリング
劉 新、宇治原 徹
第53回結晶成長国内会議（JCCG-53） 2024.11.20 日本結晶成長学会
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第一原理分子動力学シミュレーションによるSiC溶液成長界面の解析
岩佐 澪、 福永 拓実、 河村 貴宏、 関 翔太、 原田 俊太、 宇治原 徹
第53回結晶成長国内会議（JCCG-53） 2024.11.20 日本結晶成長学会
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Modeling of GaN MOCVD toward machine learning International conference
Hisashi Yamada, Tsutomu Sonoda, Tokio Takahashi, Takahiro Gotow, Toshihide Ide, Reiko Azumi, Mitsuaki Shimizu, Shohta Seki, Kentaro Kutsukake, and Toru Ujihara
2024.11.14