Presentations -
-
Solution growth of high-quality SiC crystal International conference
Toru Ujihara
INDO-JAPAN Conference on Frontier Nano-Materials for Energy (FNE-2012)
-
Solution growth of high-quality SiC crystal - polytype control and defect elimination - International conference
Toru Ujihara
Nagoya Univ.-Tsinghua Univ.-Toyota Motor Corp.-Hokkaido Univ. -Univ. Electro. Sci. Tech. China Joint Symposium -Materials Science and Nanotechnology for the 21th Century-
-
Formation of Different Polytypes during 4H-SiC Solution Growth International conference
Shunta Harada, Alexander, Kazuaki Seki, Yuji Yamamoto, Toru Ujihara, Jun Yamasaki, Nobuo Tanaka
International Symposium on EcoTopia Science 2011 (ISETS '11)
-
溶液法を用いた4H-SiC結晶における貫通らせん転位の消滅
山本祐治, 原田俊太, 関和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 宇治原徹
公益社団法人応用物理学会 第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
-
SiC 溶液成長における貫通転位の変換過程 ーUltra-High Quality の可能性ー
宇治原徹，原田俊太，山本祐治，関和明，堀尾篤史，三橋貴仁
公益社団法人応用物理学会 第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
-
成長速度論的多形選択成長を用いた3C-SiCバルク結晶の実現
関和明, 山本祐治, 原田俊太, 宇治原徹, 竹田美和
公益社団法人応用物理学会 第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
-
Solution growth of high-quality SiC crystal for next-generation power device materials International conference
Shunta Harada, Toru Ujihara
1st Global Conference on Materials and Technology for the Future "Green Vehicle"
-
MBE法によるNdFeAs（O,F）上へのCaF2絶縁膜成長
上村彦樹, 川口昴彦, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹田美和, 生田博志
日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）
-
溶液成長における4H-SiC上での多形変化挙動
原田俊太, アレキサンダー, 関和明, 山本祐治, 宇治原徹
日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）
-
AlN溶液成長においてMg蒸気圧が融液の窒化に与える影響
水野恒平, 松原弘明, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和
日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）
-
6H-SiC上への3C-SiC溶液成長における速度論的多形選択メカニズム
関和明, 山本祐治, 原田俊太, 宇治原徹, 竹田美和
日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）
-
SiC溶液成長における転位変換過程
宇治原徹, 小澤茂太, 山本祐治, 関和明, 原田俊太
日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）
-
Polytype transformation path on 4H-SiC during top-seeded solution growth International conference
S. Harada, Alexander, K. Seki, Y. Yamamoto and T. Ujihara
2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
-
Dissociation of Screw Dislocations Assisted by Step-flow Process in SiC Solution Growth International conference
T.Ujihara, S.Kozawa, K.Seki, Y.Yamamoto, Alexander and S.Harada
-
Al融液窒化法における高密度AlN形成メカニズム
水野恒平, 松原弘明, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和
公益社団法人日本セラミックス協会 第24回秋季シンポジウム
-
Polytype-Controlled Solution Growth of 3C-SiC on 6H-SiC (0001) by Supersaturation in Si-Sc-C Ternary System International conference
September 12, The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, Ohio, USA, September 11-16
-
Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation During SiC Solution Growth International conference
September 14, The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, Ohio, USA, September 11-16
-
Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth International conference
September 12, The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, Ohio, USA, September 11-16
-
過飽和度制御による6H-SiC(0001)上への3C-SiC溶液成長
関 和明，山本祐治，原田俊太，宇治原徹，竹田美和
8月30日, 山形大学 小白川キャンパス, 山形県, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 30a-ZB-1
-
AlGaAs中間層及びSi3N4反射防止膜の導入による透過型GaAs/GaAsP歪み超格子スピン偏極フォトカソードの量子効率向上
市橋史朗，金 秀光，山本尚人，真野篤志，桑原真人，渕 真悟，宇治原徹，竹田美和
8月31日, 山形大学 小白川キャンパス, 山形県, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZA-13