Presentations -
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随伴感度解析を用いたTSSG法SiC結晶成長におけるるつぼ内熱対流の最適化
堀内鷹之, 関本敦, 岡野泰則, 宇治原徹
化学工学会 第50回秋季大会
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AI技術で結晶成長研究開発を桁違いに高速にする -SiC結 晶成長を例にして- Invited
宇治原徹
2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会
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High quality and inclusion suppression by switching flow in 3-inch SiC solution growth
C. Zhu, T. Endo , S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara
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ルチル型TiO2単結晶への周期的な面欠陥導入に伴う熱伝導率の変化
小坂直輝, 八木貴志, 田中克志, 乾晴行, 田川美穂, 宇治原徹, 原田俊太
2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会
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ベイズ最適化を用いたSiC研削条件の探索
長田圭一, 角岡洋介, 成田潔, 小泉晴比古, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会
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SiC溶液成長における熱流体解析の機械学習を用いたパラメータ影響の可視化
沓掛健太朗, 角岡洋介, 長田圭一, 安藤圭理, 林宏益, 朱燦, 鳴海大翔, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会
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機械学習によるGaN MOVPE結晶成長シミュレーション結果の予測
富澤巧, 川上賢人, 角岡洋介, 洗平昌晃, 岡本直也, 原田俊太, 芳松克則, 宇治原徹, 白石賢二
2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会
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枯渇効果を利用したDNA修飾ナノ粒子結晶のサイズ向上
小島憧子, 鷲見隼人, 磯貝卓巳, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂
2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会
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ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析 Invited
小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 恩田正一,山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会
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GaN基板からエピタキシャル膜へ伝播する転位の分類と挙動の解明
井爪将, 小久保信彦, 山田永, 恩田正一, 大原淳士, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会
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カチオンによるDNA修飾ナノ粒子の配列制御
磯貝卓巳, 鷲見隼人, 小島憧子, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂
2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会
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AlN分散樹脂における分散剤表面修飾による熱伝導率向上
安田拓実, 宇治原徹, 原田俊太, 竹内幸久
日本セラミックス協会 第31回秋季シンポジウム
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In-situ synchrotron X-ray topography observation of stacking faults in SiC International conference
F. Fujie, S. Harada, H. Suo, H. Koizumi, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara
the 14th Biennial Conference on High-Resolution X-Ray Diffraction and Imaging (XTOP 2018)
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Evaluation of Basal Plane Dislocation Behavior in the Epitaxial Layer on a 4H-SiC Wafer Fabricated by the Solution Growth Method International conference
K. Seki, K. Kusunoki, S. Harada, T. Ujihara
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018)
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Application of C face dislocation conversion technique to 2-inch SiC crystal growth International conference
X. Liu, C. Zhu, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018)
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Efficient search technique of ideal conditions in high quality SiC solution growth using prediction mogel made by machine learing International conference
Y. Tsunooka, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018)
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Control of macrostep eight by switching solution flow during solution growth of SiC International conference
T. Endo, C. Zhu, S. Harada, H. Koizumi, M. Tagawa, T. Ujihara
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018)
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“AI技術で結晶成長研究開発を桁違いに高速にする”-SiC結晶成長を例にして- Invited
宇治原 徹
第79回応用物理学会秋季学術講演会インフォーマルミーティングTIA-EXA若手研究者の集い
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“AI技術で結晶成長研究開発を桁違いに高速にする”-SiC結晶成長を例にして- Invited
宇治原 徹
第79回応用物理学会秋季学術講演会インフォーマルミーティングTIA-EXA若手研究者の集い 第１回 “今から学ぶAI・機械学習”
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Present status of machine learning technology for high quality crystal growth and the collaboration with student startups International conference
T.Ujihara
he 3rd Academic Seminar on Material Science and Engineering