Presentations -
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機械学習を活用したSiC溶液成長プロセス・ビュジュアライゼーション
宇治原徹, 畑佐豪記, 角岡洋介, 村山健太, 原田俊太, 田川美穂
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
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結晶光学軸方位分布からみたGaNやSiCの光学異常
塚本勝男, 今西正幸, 村山健太, 森勇介
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
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キラルな光場中でのキラル結晶化におけるキラリティの偏り
新家寛正, 杉山輝樹, 田川美穂, 宇治原徹, 丸山美帆子, 森勇介, 宮本克彦, 尾松孝茂
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
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数値解析を用いた誘導加熱TSSG法によるSiC結晶成長製造装置の最適化条件の探索
堀内鷹之, Wang Lei, 山本卓也, 宇治原徹, 岡野泰則
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
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機械学習による結晶成長条件の予測を用いたSiC溶液成長
林宏益, 村井良多, 朱燦, 村山健太, 角岡洋介, 畑佐豪記, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
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気相法AlNウィスカー成長における形状変化メカニズムの解明
齊藤廣志, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
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SiC溶液成長におけるプロセス・インフォマティクス
宇治原徹，角岡洋介，畑佐豪記，村山健太，村井良多，朱燦，原田俊太，田川美穂
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
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4H-SiC溶液成長法二段階成長における異種多形の析出抑制
村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
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SiC溶液成長過程における転位伝播方向制御による高品質化
原田俊太, 村山健太, 村井良多, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
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溶液法 SiC 基板を用いて作製した MOS キャパシタの評価
古庄智明, 川畑直之, 古橋壮之, 渡辺友勝, 渡邊寛, 山川聡, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会
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貫通らせん転位が極めて少ない 4H-SiC の溶液成長における多形安定化手法
村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会
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溶液成長における溶液状態の高速予測と 網羅的探索により最適化した条件での結晶成長
村井良多, 村山健太, 原田俊太, 畑佐豪記, 角岡洋介, 林宏益, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会
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SiC 溶液成長法における溶媒中の Cr 組成に対する 成長ポリタイプの面内分布及び相対存在割合の評価
鈴木皓己, 高橋大, 土本直道, 玄光龍, 太子敏則, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会
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ラマン分光法による GaN 単結晶における貫通転位の刃状成分の解析
小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 原一都, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会
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X 線トポグラフィーその場観察による 4H-SiC 積層欠陥挙動の窒素濃度依存性評価
藤榮文博, 原田俊太, 周防裕政, 加藤智久, 田川美穂, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会
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Smooth Li Electrodeposition on Single Crystal Cu Current Collectors International conference
K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara
The Electrochemical Society (232nd ECS Meeting)
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Trial of Informatics in Crystal Growth -SiC Solution Growth- International conference
T. Ujihara
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (ssdm 2017)
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High-Quality SiC Solution Growth Using Dislocation Conversion on C Face International conference
S. Xiao, S. Harada, X. Liu, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa, T. Ujihara
The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
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Two-Step Sic Solution Growth with Extremely Low-Dislocation-Density 4h-SiC Crystal for Suppression of Polytype Transformation International conference
K. Murayama, S. Harada, F. Fujie, X. Liu, R. Murai, C. Zhu, K. Hanada, M. Tagawa, T. Ujihara
The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
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High-Speed Prediction Model for Supersaturation and Flow Distribution by CFD Simulation and Machine Learning in SiC Solution Growth International conference
Y. Tsunooka, N. Kokubo, G. Hatasa, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara
The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)