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“InAsP量子ドットによる広帯域発光の波長チューニング”
三宅信輔，李祐植，河村真一，渕真悟，宇治原徹，竹田美和
第６７回応用物理学会学術講演会 立命館大学 びわこ・くさつキャンパス 30a-Y-9
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“GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化”
宇治原 徹、陳 博、安井健一、酒井良介、山本将博、中西 彊、竹田美和
"電子情報通信学会, 電子デバイス/電子部品・材料/シリコン材料・デバイス研究会, 愛知県豊橋市, 豊橋技術科学大学, 2006年5月18日-19日."
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The Wideband Light Emission around 800 nm from Ternary InAsP Quantum Dots with an Intentionally Broadened Size and Composition Distribution International conference
Internation Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM 2006), WP6, Princeton University, May 7th-11th (2006)
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Evaluation of Strain Field around SiC Particle in Poly-Crystalline Silicon" International conference
2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC4), Waikoloa , Hawaii, USA, 7-12 May (2006)
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Effect of Li doping on photoluminescence from Er,O-codoped GaAs International conference
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Room-temperature optical gain at 1.54μm from Er,O-codoped GaAs with laser pumping International conference
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「サイズ分布とAs/P組成分布に広がりを持つInAsP量子ドットによる850 nm帯広帯域発光」
三宅信輔、李祐植、宇治原徹、竹田美和
第５３回応用物理学関係連合講演会、23p-ZR-11、武蔵工業大学、
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温度勾配を設けた溶液成長による低温安定相 3C-SiC 結晶の大量成長
前川諒介、宇治原徹、竹田美和
第138回日本金属学会2006年春期大会、早稲田大学、大久保キャンパス
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"「Er, Li共添加GaAsにおけるLiのPL発光に及ぼす影響」"
宇木大輔、大西宏幸、山口岳彦、武森祐貴、小泉淳、宇治原徹、竹田美和
第５３回応用物理学関係連合講演会、23p-ZR-11、武蔵工業大学、
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"「光励起型VSL法によるEr, O共添加GaAsの利得測定」"
山口岳彦、武森祐貴、大西宏幸、小泉淳、宇治原徹、竹田美和
第５３回応用物理学関係連合講演会、23p-ZR-11、武蔵工業大学、
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「Si/SiO2基板上に形成した二元系脂質二重膜のゲル相_液晶相相分離構造の観察と制御」
鈴木翔也、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和
第５３回応用物理学関係連合講演会、23p-ZR-11、武蔵工業大学、
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「GaAs 基板上の脂質二重膜の形成における基板表面状態の影響」
宇治原徹、手老龍吾、鈴木翔也、三宅信輔、李祐植、宇理須恒雄、竹田美和
第５３回応用物理学関係連合講演会、23p-ZR-11、武蔵工業大学、
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「断面STMで観たInP-on-InGaAs界面の形状と組成分布：井戸層厚依存性」
赤沼泰彦、山川市朗、李祐植、宇治原徹、竹田美和、中村新男
第５３回応用物理学関係連合講演会、23p-ZR-11、武蔵工業大学、
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Observation and control of phase separation in binary lipid bilayer membranes on semiconductor substrate International conference
"the 6th International Symposium on Biomimetic Materials Processing (BMMP-6), Nagoya, Japan, 25-26 January (2006) "
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Electrical Properties around Grain Boundary of Poly-Crystalline Silicon for Solar Cell Evaluated Using the Conductive AFM International conference
15th PVSEC, Shanghai, China, 11-15 October (2005)
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"Growth of SiC single crystal from Si-C-(Co, Fe) ternary solution" International conference
"International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 (ICSCRM2005), Pittsburgh, PA USA, September 18-23 (2005) "
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Solution growth of SiC crystal with high growth rate using accelerated crucible rotation technique International conference
"International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 (ICSCRM2005), Pittsburgh, PA USA, September 18-23 (2005) "
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“高効率スピン偏極度電子源のための高品質半導体超格子構造の設計と成長”
陳博、渡辺修、李祐植、宇治原徹、竹田美和、山本将博、中西彊
第６６回応用物理学関係連合講演会 徳島大学 10a-ZA-11
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“選択成長により形成したInPメサ構造へのドットの形成とサイズ均一性の向上”
宇治原徹、吉田義浩、李祐植、竹田美和
第６６回応用物理学関係連合講演会 徳島大学 10a-ZA-11
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“液滴ヘテロエピタキシーにより作製したInP量子ドット積層構造のスペーサ膜厚による発光特性の変化”
李祐植、陳博、三宅信輔、宇治原徹、竹田美和
第６６回応用物理学関係連合講演会 徳島大学 10a-ZA-11