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P型4H-SiC溶液成長法における溶媒インクルージョンおよび結晶の不純物濃度分布の形成要因の分析
伊藤 貴洋 ，沓掛 健太朗 ，原田 俊太，宇治原 徹
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.14 公益社団法人 応用物理学会
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半導体熱処理条件の最適化における既存条件を考慮した目的関数の検討
笠原 亮太郎, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 宇治原 徹, 関 翔太, 高石 将暉, 永井勇太
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.17 公益社団法人 応用物理学会
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半導体製造における企業間を跨いだデジタルツインによるウェーハ・デバイスプロセスの全体最適化
関 翔太, 中西 佑児, 松岡 毅, 前田 進, 楠木 琢也, 永井 勇太, 永倉 大樹, 谷川 公一, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.17 公益社団法人 応用物理学会
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Development of Ultra-High Quality SiC Crystal Growth Technology Using Machine Learning Invited
2025.3.14
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絶縁放熱シートにおける形状の異なるAlN フィラーの共添加による高熱伝導化
山口昂大, 原田俊太, 沓掛健太朗, 宇治原徹
2025年年会 公益社団法人日本セラミックス協会 2025.3.6 公益社団法人 日本セラミックス協会
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Modeling and Analysis of undoped GaN using A horizontal laminar flow MOCVD reactor International conference
Takahiro Gotow, Tsutomu Sonoda, Tokio Takahashi, Hisashi Yamada, Toshihide Ide, Reiko Azumi, Mitsuaki Shimizu, Yosuke Tsunooka, Shohta Seki, Kentaro Kutsukake, and Tohru Ujihara
17ty International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma2025) 2025.3.3
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プロセス・インフォマティクスによる素材開発：SiC溶液成長への応用 Invited
宇治原 徹
2024年度 OPERANDO-OIL・COMS・量⼦ビーム計測クラブ合同研究会 2025.2.10
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Machine Learning Technology in SiC Solution Growth Method
Toru Ujihara
2025.1.31
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Study of Analytical Target Cascading applicable to total optimization of a cascade process
Ryotaro Kasahara, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Toru Ujihara
2024.12.17
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Optimization of long-time process in SiC solution growth responding to changes in crucible shape
T. Sakamoto, K. Kutsukake , S. Harada ,and T. Ujihara
2024.12.17
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数値計算を駆使したマクロステップの挙動の基礎的理解に基づくSiC溶液法技術の開発 Invited
宇治原 徹
先進パワー半導体分科会11回講演会 2024.11.26 公益社団法人応用物理学会 先進パワー半導体分科会
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SiC溶液成長における成長、エッチング、堆積界面の動的変形モデリング
劉 新、宇治原 徹
第53回結晶成長国内会議（JCCG-53） 2024.11.20 日本結晶成長学会
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第一原理分子動力学シミュレーションによるSiC溶液成長界面の解析
岩佐 澪、 福永 拓実、 河村 貴宏、 関 翔太、 原田 俊太、 宇治原 徹
第53回結晶成長国内会議（JCCG-53） 2024.11.20 日本結晶成長学会
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Modeling of GaN MOCVD toward machine learning International conference
Hisashi Yamada, Tsutomu Sonoda, Tokio Takahashi, Takahiro Gotow, Toshihide Ide, Reiko Azumi, Mitsuaki Shimizu, Shohta Seki, Kentaro Kutsukake, and Toru Ujihara
2024.11.14
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連続工程のためのATCを適応した最適化手法の検討
笠原 亮太郎，沓掛 健太朗，原田 俊太，宇治原 徹
第1回 半導体結晶技術に関する産学連携ワークショップ 2024.10.31
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多様な誤差を考慮した製造装置シミュレーションのデータ同化
沓掛健太朗, 竹野思温, 太田壮音, 竹内 一郎, 宇治原 徹
第37回計算力学講演会（CMD2024） 2024.10.18 一般社団法人 日本機械学会
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First-Principles Molecular Dynamics Simulations of SiC Solution Growth Interface
Iwasa Ryo, Takumi Fukunaga, Takahiro kawamura, Shota Seki, Shunta Harada, and Toru Ujihara
2024.10.2
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Molecular Dynamics Simulations of Si-Cr Solutions: Investigation of the Effect of Al Addition on SiC Solution Growth
Takumi Fukunaga, Ryo Iwasa, Takahiro Kawamura, Shota Seki, Shunta Harada, and Toru Ujihara
2024.10.2
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Numerical Simulation Study on Different Scales to Suppress Solvent Inclusion Defects in SiC Solution Crystal Growth International conference
Huiqin Zhou, Hitoshi Miura, Kentaro Kutsukake, Yifan Dang, Shunta Harada and Tour Ujihara
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2024） 2024.10.3
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8-Inch Thick SiC Crystals Grown by Solution Growth Method Combined with Digital Twin Invited International conference
Toru Ujihara, Tomoaki Furusho, Koki Suzuki, Daiki Shimoda, Keiichiro Wakamiya, Takemi Yonaha, Kazuo Kurashige, Hiroyuki Ishibashi, Kenta Murayama and Kazuhito Kamei
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2024） 2024.10.3