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ガンマ線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深さ1 eV以上の電子トラップ
青島慶人, 鐘ヶ江一孝, 堀田昌宏, 須田淳
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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Franz-Keldysh効果による光電流を利用したGaN p-n接合ダイオードにおけるアバランシェ増倍の温度依存性の測定
前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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GaN p-n接合ダイオードの再結合電流解析によるホモエピタキシャル成長p-GaNにおけるSRH寿命の評価
前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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n型GaN 中の正孔トラップ密度の定量評価に向けたサブバンドギャップ光照射時の正孔占有率の評価
鐘ヶ江一孝, 成田哲生, 冨田一義, 加地徹, 堀田昌宏, 木本恒暢, 須田淳
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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GaN自立基板上Ni/n-GaN SBDにおける障壁高さ温度特性のドナー密度依存性
村瀬亮介, 前田拓也, 鐘ヶ江一孝, 堀田昌宏, 須田淳
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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Photocurrent induced by Franz-Keldysh effect in a 4H-SiC p-n junction diode under high reverse bias voltage International conference
T. Maeda, X. L. Chi, M. Horita, J. Suda, T. Kimoto
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Measurement of Avalanche Multiplication Factor in GaN p-n Junction Diode Using Sub-Bandgap Light Absorption Due to Franz-Keldysh Effect International conference
T. Maeda, T. Narita, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
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Accurate estimation of H1 trap concentration in n-type GaN layers International conference
K. Kanegae, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
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Electrical characterization of homoepitaxial GaN layers for GaN vertical power devices Invited International conference
J. Suda, M. Horita
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サブバンドギャップ光照射を用いた GaN p-n接合ダイオードのアバランシェ増倍の測定
前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳
第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
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Franz-Keldysh effect in GaN Schottky barrier diodes and p-n junction diodes under high reverse bias voltage International conference
T. Maeda, M. Okada, M. Ueno, Y. Yamamoto, T. Narita, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
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Measurement of H1 trap concentration in MOVPE-grown homoepitaxial n-type GaN by optical isothermal capacitance transient spectroscopy using sub-bandgap photoexcitation International conference
K. Kanegae, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
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Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode consistently obtained by C-V, I-V, and IPE measurements International conference
T. Maeda, M. Okada, M. Ueno, Y. Yamamoto, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
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Mgイオン注入GaN層上におけるノーマリーオフMOSFET検討 Invited
高島信也, 田中亮, 上野勝典, 松山秀昭, 江戸雅晴, 高橋言緒, 清水三聡, 石橋章司, 中川清和, 堀田昌宏, 須田淳, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良
第149回結晶工学分科会研究会 GaN on GaNパワーデバイスにむけて ～p型GaNの結晶工学～
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Characterization of lightly-doped n- and p-type homoepitaxial GaN on free-standing substrates International conference
Horita M
IMFEDK 2017 - 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2017.7.31