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p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による特性変化の回復過程
釣本浩貴, 堀田昌宏, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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Franz-Keldysh効果を利用した光電流増倍測定によるGaNにおけるキャリアの衝突イオン化係数の推定
前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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両側空乏ベベルメサ構造を有するGaN p-n接合ダイオードにおける均一なアバランシェ破壊の実現および平行平板破壊電界の評価
前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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ベベルメサ構造GaN p-n接合ダイオードの電界分布シミュレーション
前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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Quartz-free-HVPE成長n型GaN層における補償アクセプタの起源解明
鐘ヶ江一孝, 藤倉序章, 乙木洋平, 今野泰一郎, 吉田丈洋, 堀田昌宏, 木本恒暢, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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SiNキャップ層高温熱処理によりGaN中に導入される深い準位
古田悟夢, 堀田昌宏, 田中成明, 岡徹, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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横型ショットキーダイオード構造のC-V測定による低ドープn型GaNの実効ドナー密度の評価の精度に関する検討
六野祥平, 坂尾佳祐, 堀田昌宏, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキー障壁高さの温度係数の電極金属依存性
村瀬亮介, 前田拓也, 鐘ヶ江一孝, 堀田昌宏, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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ガンマ線照射によるAl2O3/GaN MOSダイオードの容量-電圧特性の変化
青島慶人, 金木奨太, 堀田昌宏, 須田淳, 橋詰保
第66回応用物理学会春季学術講演会
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Overview of carrier compensation in n-type and p-type GaN layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy Invited International conference
T. Narita, K. Tomita, Y. Tokuda, T. Kogiso, N. Ikarashi, N. Sawada, M. Horita, J. Suda, T. Kachi
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Parallel-Plane Breakdown Fields of 2.8-3.5 MV/cm in GaN-on-GaN p-n Junction Diodes with Double-Side-Depleted Shallow Bevel Termination International conference
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
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n型GaN中の正孔トラップ密度の定量評価
鐘ヶ江一孝, 成田哲生, 冨田一義, 加地徹, 堀田昌宏, 木本恒暢, 須田淳
先進パワー半導体分科会 第5回講演会
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DLTS studies of quartz-free-HVPE-grown homoepitaxial n-type GaN Invited International conference
K. Kanegae, H. Fujikura, Y. Otoki, T. Konno, T. Yoshida, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
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Electron traps formed by gamma-ray irradiation in homoepitaxial n-type GaN International conference
K. Aoshima, K. Kanegae, M. Horita, J. Suda
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Hole occupancy ratio of H1 trap in homoepitaxial n-type GaN under sub-bandgap light irradiation International conference
K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
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Temperature Dependence of Avalanche Multiplicationin GaN PN Diodes Measured by Light Absorption Due to Franz-Keldysh Effect International conference
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
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Shockley-Read-Hall Lifetime in Homoepitaxial p-GaN Extracted from the Recombination Current in GaN p-n Junction Diodes International conference
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
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Temperature dependence of Avalanche Multiplication in GaN PN Diodes Measured by Using Sub-bandgap Light Irradiation
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
第37回電子材料シンポジウム
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p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧およびゲート電流の変化
釣本浩貴, 堀田昌宏, 須田淳
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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4H-SiC p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因したフォノンアシスト光吸収
前田拓也, 遅熙倫, 堀田昌宏, 須田淳, 木本恒暢
第79回応用物理学会秋季学術講演会