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2 色のサブバンドギャップ光を用いた過渡容量分光法によるn型GaN成長層中の炭素関連欠陥密度の高速定量手法
鐘ヶ江 一孝，成田 哲生，冨田 一義，加地 徹，堀田 昌宏，木本 恒暢，須田 淳
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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<11-20>方向に電界印加した4H-SiC p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因したフォノンアシスト光吸収
前田 拓也，遅 熙倫，田中 一，堀田 昌宏，須田 淳，木本 恒暢
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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PMA処理を行ったAl2O3/GaN MOSダイオードにおけるガンマ線照射によるフラットバンド電圧の負方向シフトの膜厚依存性
青島 慶人，堀田 昌宏，金木 奨太，須田 淳，橋詰 保
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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様々な電極金属のn 型ホモエピタキシャルGaN SBD における障壁高さ温度係数の比較とそれに対する熱処理の効果
村瀬 亮介，前田 拓也，鐘ヶ江 一孝，須田 淳，堀田 昌宏
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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高圧アニールによるMgイオン注入GaNのアクセプタ形成の実証
櫻井 秀樹，山田 真嗣，高良 昭彦，堀田 昌宏，Bockowski Michal，須田 淳，加地 徹
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode Invited
前田 拓也，岡田 政也，上野 昌紀，山本 喜之，木本 恒暢，堀田 昌宏，須田 淳
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧シフトとその測定パルス幅依存性
釣本 浩貴，堀田 昌宏，須田 淳
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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ショットキー接合のC-V測定によるp型GaNの実効アクセプタ密度評価の精度に関する理論的検討
六野 祥平，堀田 昌宏，須田 淳
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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High Avalanche Capability in GaN p-n Junction Diodes Realized by Shallow BeveledMesa Structure Combined with Lightly Mg-Doped p-Layers International conference
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
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Quick measurement method of carbon-related defect concentration in n-type GaN by dual-color-sub-bandgaplight-excited isothermal capacitance transient spectroscopy International conference
K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
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Estimation of Impact Ionization Coefficient in GaN and Its Temperature Dependence by Photomultiplication Measurements Utilizing FranzKeldysh Effect International conference
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
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Photon energy dependence of photoionization cross section ratio of electron to hole for the carbon-related hole trap in n-type GaN International conference
K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
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Deep Level Traps Introduced in GaN Layers by High-Temperature Thermal Treatment with SiN Cap Layers International conference
S. Furuta, M. Horita, N. Tanaka, T. Oka, J. Suda
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Determination Methods of H1 Trap Concentration in N-Type GaN Schottky Barriers via Sub-Bandgap-Light Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy International conference
K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
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Growth of P-Type GaN Layers with Low Mg Concentrations by Using MOVPE and the Application to Vertical Power Devices (Invited) Invited International conference
T. Narita, K. Tomita, Y. Tokuda, T. Kogiso, T. Maeda, M. Horita, M. Kanechika, H. Ueda, T. Kachi, J. Suda
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Clear Evidence of P-Type Formation by Hall-Effect Measurements of Mg-Ion Implanted GaN Activated with Ultra-High-Pressure Annealing International conference
H. Sakurai, M. Omori, S. Yamada, A. Koura, H. Suzuki, T. Narita, K. Kataoka, M. Horita, M. Boćkowski, J. Suda, T. Kachi
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Impact of Gamma-Ray Irradiation on Device Characteristics of p-GaN/ AlGaN/GaN Normally-Off High-Electron-Mobility Transistors International conference
K. Tsurimoto, M. Horita, J. Suda
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Impact of Gamma-Ray Irradiation on Capacitance-Voltage Characteristics of Al2O3/GaN MOS Diodes with Post-Metallization Annealing International conference
K. Aoshima, M. Horita, S. Kaneki, J. Suda, T. Hashizume
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Estimation of Impact Ionization Coefficient in GaN by Photomultiplication Measurement Utilizing Franz-Keldysh Effect International conference
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
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GaNエピ基板上MOS特性の制御
上野勝典, 松山秀昭, 田中亮, 高島信也, 江戸雅晴, 堀田昌宏, 須田淳, 中川清和
電気学会 電子・情報・システム部門(C部門) 電子デバイス研究会