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超高圧アニールを用いたMgイオン注入GaNのp型伝導制御 Invited
櫻井秀樹，成田哲生，晝川十史，山田真嗣，片岡恵太，Malgorzata Iwinska，堀田昌宏，五十嵐信行，Michal Bockowski，須田淳，加地徹
第49回結晶成長国内会議
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Impact of The Schottky Barrier Height on Deep-level Transient Spectroscopy of Gamma-ray-irradiated ntype GaN
K. Aoshima, M. Horita, J. Suda
第39回電子材料シンポジウム
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Impacts of High Temperature Annealing Above 1400 degree C Under N2 Overpressure to Activate Acceptors in Mg-Implanted GaN International conference
H. Sakurai, T. Narita, K. Hirukawa, S. Yamada, A. Koura, K. Kataoka, M. Horita, N. Ikarashi, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi
2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
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DLTS法によるAl2O3/n型GaN MOS界面準位の評価
青島 慶人，堀田 昌宏，須田 淳，橋詰 保
第65回応用物理学会春季学術講演会
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超高圧アニールによるMg&Nシーケンシャルイオン注入GaNのアクセプタ形成の実証
櫻井 秀樹，成田 哲生，晝川 十史，山田 真嗣，高良 昭彦，片岡 恵太，堀田 昌宏，Bockowski Michal，須田 淳，加地 徹
第65回応用物理学会春季学術講演会
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Mgイオン注入p型GaNの超高圧アニール温度の検討
晝川 十史，櫻井 秀樹，藤倉 序章，堀田 昌宏，Bockowski Michal，乙木 洋平，加地 徹，須田 淳
第65回応用物理学会春季学術講演会
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RIEによって生成されたn型GaN中の深い準位
鐘ヶ江 一孝，山田 真嗣，堀田 昌宏，木本 恒暢，須田 淳
第65回応用物理学会春季学術講演会
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常圧で活性化熱処理したMg注入GaN層のホール効果測定
田中 亮，高島 信也，上野 勝典，江戸 雅晴，堀田 昌宏，須田 淳
第65回応用物理学会春季学術講演会
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SiNキャップ層高温熱処理によりGaN表面付近に導入される電子トラップの深さ方向分布の熱処理時間依存性
古田 悟夢，堀田 昌宏，田中 成明，岡 徹，須田 淳
第65回応用物理学会春季学術講演会
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GaNの電子・正孔の衝突イオン化係数の測定
前田 拓也，成田 哲生，山田 真嗣，加地 徹，木本 恒暢，堀田 昌宏，須田 淳
第65回応用物理学会春季学術講演会
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リン処理を施したSiC(0001)/SiO2界面における反転層電子のユニバーサル移動度の評価
伊藤 滉二，堀田 昌宏，須田 淳，木本 恒暢
第65回応用物理学会春季学術講演会
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光過渡容量分光法によるn型GaN中の正孔トラップ密度の高速かつ精密定量手法
鐘ヶ江 一孝，成田 哲生，冨田 一義，加地 徹，堀田 昌宏，木本 恒暢，須田 淳
先進パワー半導体分科会第6回講演会
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PMA処理を行ったAl2O3/n-GaN MOSダイオードにおいてガンマ線照射により形成されるAl2O3膜中及び界面トラップ
青島慶人，堀田昌宏，金木奨太，須田淳，橋詰保
先進パワー半導体分科会第6回講演会
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Impact Ionization Coefficients in GaN Measured by Above- and Sub-Eg Illuminations for p−/n+ Junction International conference
T. Maeda, T. Narita, S. Yamada, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
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Record breakdown fields of 2.8-3.5 MV/cm in GaN p-n junction diodes
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
第38回電子材料シンポジウム
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Development of accurate and quick measurement method for hole trap density in n-type GaN layers by optical isothermal capacitance transient spectroscopy
K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
第38回電子材料シンポジウム
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Electron traps formed by gamma-ray irradiation in homoepitaxial n-type GaN
K. Aoshima, K. Kanegae, M. Horita, J. Suda
第38回電子材料シンポジウム
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Depth Profiles of Deep Levels Generated by ICP-RIE in 4H-SiC International conference
K. Kanegae, T. Okuda, M. Horita, J. Suda, T. Kimoto
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Photocurrent induced by Franz-Keldysh effect in 4H-SiC p-n junction diodes under high electric field along <11-20> direction International conference
T. Maeda, X. Chi, H. Tanaka, M. Horita, J. Suda, T. Kimoto
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リン処理を施したSiC MOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層アクセプタ密度依存性
伊藤 滉二，堀田 昌宏，須田 淳，木本 恒暢
第80回応用物理学会秋季学術講演会