Presentations -
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Establishment of reliability and high performance for an AlSiO/GaN MOSFET formed by ALD and post-deposition annealing Invited International conference
Narita, T., Ito, K., Kataoka, K., Tomita, K., Iguchi, H., Iwasaki, S., Kano, E., Ikarashi, N., Horita, M., Kikuta, D.
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 2023.12.2
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Depth Analysis of Acceptor and Compensating Donor Concentrations in Mg-implanted p-GaN with Ultra-High-Pressure Annealing International conference
Sumida, K. , Horita, M. , Kachi, T. , Suda, J.
14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023.11.14
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Annealing behavior of deep levels induced by ultra-low-dose Si-ion implantation and subsequent annealing in homoepitaxial n-type GaN International conference
Iguchi, H. , Horita, M. , Suda, J.
14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023.11.16
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超低濃度Siイオン注入を行ったn型GaNエピタキシャル層上に作製したショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性
井口紘子，堀田昌宏，須田淳
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.9.21
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Radiation-induced deep-level traps in homoepitaxial GaN layers Invited International conference
Suda, J., Aoshima, K., Horita, M.
The 32nd International Conference on Defects in Semiconductors 2023.9.11
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GaNパワー半導体プロセスにおけるMOVPE成長特有の不純物の理解と制御 Invited
成田哲生，冨田一義，徳田豊，堀田昌宏，山田真嗣，五十嵐信行，加地徹
応用物理学会 結晶工学分科会 第159回研究会 2023.6.13
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縦型GaNパワーデバイスの高性能化に向けたMOS界面、イオン注入技術の進展と課題 Invited
成田 哲生，伊藤 健治，菊田 大悟，冨田 一義，堀田 昌宏，Maciej Matys，五十嵐 信行，Michal Bockowski，上殿 明良，須田 淳，加地 徹
日本学術振興会R032産業イノベーションのための結晶成長委員会 2023.3.10
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GaNパワーデバイスの特性に影響するエピ・基板の欠陥評価 Invited
成田 哲生，長里 喜隆，兼近 将一，近藤 健，上杉 勉，冨田 一義，池田 智史，渡辺 弘紀，庄司 智幸，山口 聡，木本 康司，小嵜 正芳，岡 徹，小島 淳，堀田 昌宏，加地 徹，須田 淳
日本学術振興会 結晶加工と評価技術 第145委員会 第178回研究会 2023.1.18
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Depth profiling of a donor-like defect induced by ultra-low-dose Si-ion implantation and subsequent annealing in homoepitaxial n-type GaN International conference
H. Iguchi, M. Horita, and J. Suda
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022.10.10
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Successful p-type activation of Mg-implanted GaN combined with sequential N implantation and atmospheric pressure anneal with AlN cap International conference
R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, M. Horita, and J. Suda
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022.10.14
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Temperature Dependence of Impact Ionization Coefficients in GaN International conference
T. Maeda, T. Narita, S. Yamada, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, and J. Suda
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022.10.14
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Quantitative Relationship between Carbon Concentration and H1 Hole Trap Density in n-Type GaN Homoepitaxial Layers International conference
K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022.10.14
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Correlation between non-ionizing energy loss and production rates of an electron trap at EC– (0.12-0.20) eV formed by various energetic particles in gallium nitride International conference
K. Aoshima, M. Horita, and J. Suda
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022.10.12
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Investigation of Annealing Conditions of Mg-implanted GaN by Ultra-High-Pressure Annealing for Further Reduction of Annealing Pressure International conference
K. Sumida, K. Hirukawa, H. Sakurai, K. Sierakowski, M. Horita, M. Bockowski, T. Kachi and J. Suda
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022.10.11
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Correlation between non-ionizing energy loss and production rates of an electron trap formed by various types of radiation in gallium nitride International conference
K. Aoshima, M. Horita, and J. Suda
The Radiation and Its Effects on Components and Systems Conference 2022 2022.10.4
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Improvement of Channel Mobility in AlSiO/GaN MOSFETs using Thin Interfacial Layers to Reduce Border Traps International conference
K. Ito, K. Tomita, D. Kikuta, M. Horita, and T. Narita
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022.9.28
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SiC (0001), (11-20), (1-100) MOSFETにおけるHall移動度のボディ層濃度依存性 Invited
伊藤 滉二，田中 一，堀田 昌宏，須田 淳，木本 恒暢
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022.9.21
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超低濃度Siイオン注入GaNにおけるトラップ密度深さ方向分布のアニール温度依存性
井口 紘子，堀田 昌宏，須田 淳
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022.9.23
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高エネルギー粒子線照射により窒化ガリウム中に形成される電子トラップの生成レートとNIELの相関
青島 慶人，堀田 昌宏，須田 淳
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022.9.23
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様々なドーピング密度を有するGaN p+-nおよびp-n+接合ダイオードの絶縁破壊電界
前田 拓也，成田 哲生，山田 真嗣，加地 徹，木本 恒暢，堀田 昌宏，須田 淳
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022.9.22