Presentations -
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窒化ガリウム中の点欠陥と深い準位の評価 Invited
堀田 昌宏, 須田 淳
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第29回研究会 2025.3.11
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Electron traps with extremely long capture time constant related to threading dislocations in n-type GaN with oxygen ion implantation and annealing International conference
Hayashi, K., Horita, M., Tanaka, R., Takashima, S., Ueno, K., Suda, J.
12th International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 2024.11.5
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Identification of deep levels originating from nitrogen interstitials in n-type GaN International conference
Endo, M., Suda, J., Horita, M.
12th International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 2024.11.7
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Characterization of Extrinsic and Intrinsic Point Defects in Homoepitaxial GaN Invited International conference
Suda, J., Horita, M.
12th International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 2024.11.7
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GaNパワーデバイス研究開発の最新動向 Invited
堀田 昌宏, 須田 淳
第88回半導体・集積回路技術シンポジウム 2024.8.26
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ホモエピタキシャル成長n 型GaNにおいて電子線照射によりE_C − 1 eV 付近に形成される窒素変位関連トラップの熱アニール挙動
遠藤彗，堀田昌宏，須田淳
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.3.24
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酸素イオン注入n型GaNで観測される実効ドナー密度変動と長い捕獲時定数を持つトラップの関係性
林慶祐，堀田昌宏，田中亮，高島信也，上野勝典，須田淳
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.3.24
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ホモエピタキシャル成長n型GaN中の格子間窒素が形成する2つの準位の特定
遠藤彗，堀田昌宏，須田淳
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.3.24
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Characterization of nitrogen-displacement-related traps in GaN Invited International conference
Horita, M. , Suda, J.
14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023.11.14
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Hall-effect Measurement of Homoepitaxial N-type GaN with Nitrogen-displacement-related Point Defects Formed by Electron Beam Irradiation International conference
Kojima, C. , Horita, M. , Suda, J.
14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023.11.17
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Evaluation of recombination centers originating from nitrogen-displacement-related defects in homoepitaxial n-type and p-type GaN International conference
Endo, M. , Horita, M. , Suda, J.
14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023.11.17
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[講演奨励賞受賞記念講演] 電子線照射により窒素変位関連欠陥を選択的に導入したホモエピタキシャル成長GaN中の再結合中心の評価 Invited
遠藤彗，堀田昌宏，須田淳
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.9.22
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Thermal annealing behavior of nitrogen-displacement-related defects in homoepitaxial n-type GaN International conference
Endo, M., Horita, M., Suda, J.
The 32nd International Conference on Defects in Semiconductors 2023.9.14
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ホモエピタキシャル成長GaN 中の窒素原子変位に関連した再結合中心の評価
遠藤彗，堀田昌宏，須田淳
第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2023.6.16
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GaN中のN変位関連欠陥が形成するトラップの評価 Invited
堀田昌宏，須田淳
第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2023.6.15
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電子線照射により窒素変位関連欠陥を選択的に導入したホモエピタキシャル成長GaN p-n接合ダイオードの再結合電流解析
遠藤 彗，堀田 昌宏，須田 淳
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.3.17
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GaN pn接合の容量過渡分光法においてフィリングパルス0 V印加にもかかわらず観測される少数キャリアシグナルの起源
清水 威杜，大橋 拓斗，冨田 一義，堀田 昌宏，須田 淳
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.3.17
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137 keVの電子線照射で意図的に窒素関連欠陥準位を導入したn型GaNのホール効果測定
小島 千寛，堀田 昌宏，須田 淳
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.3.17
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GaN中点欠陥が形成するトラップの評価 Invited
堀田 昌宏，須田 淳
ワイドギャップ半導体学会第9回研究会 2022.12.16
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Si concentration dependence of nitrogen-related electron traps introduced by electron beam irradiations to homoepitaxial n-type GaN International conference
M. Endo, M. Horita, and J. Suda
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022.10.12
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N極性面上低温成膜Ge添加GaNスパッタ膜の電気的特性評価
遠藤 彗，堀田 昌宏，須田 淳
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022.9.23
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Nitrogen-displacement-related hole traps in homoepitaxial p-type GaN
Meguru Endo, Masahiro Horita, Jun Suda
2021.9.11
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Correlation between concentrations of iron and EC – 0.6 eV electron trap in n-type GaN grown by MOVPE International conference
M. Horita, T. Narita, K. Kachi, and J. Suda
20th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 2022.7.14
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Characterization of a photoionization cross section ratios of electron traps in n-type GaN by optical ICTS using sub-bandgap-light irradiation
Meguru Endo, Masahiro Horita, Jun Suda
2022.3.23
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Investigation of Electron Traps in Homoepitaxial n-type GaN Grown by MOVPE International conference
Masahiro Horita and Jun Suda
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 2021.11.6
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Nitrogen-displacement-related Hole Traps in N-type GaN with Electron Beam Irradiations in the Energy Range from 100 to 400 keV International conference
Meguru Endo, Masahiro Horita, Kazutaka Kanegae, and Jun Suda
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021
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Nitrogen-displacement-related hole traps in MOVPE-grown homoepitaxial p-type GaN
Meguru Endo, Masahiro Horita, Jun Suda
The 40th Electronic Materials Symposium 2021.10.11
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Nitrogen-displacement-related hole traps introduced by electron beam irradiations in MOVPE-grown homoepitaxial p-type GaN International conference
Meguru Endo, Masahiro Horita, and Jun Suda
31st International Conference on Defects in Semiconductors 2021.7.26 31st International Conference on Defects in Semiconductors Conference Committees
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酸素イオン注入によりn型GaN中に形成される電子トラップ
柴田優一，堀田昌宏，田中亮，高島信也，上野勝典，須田淳
第68回応用物理学会春季学術講演会
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Hole Traps Introduced by Electron Beam Irradiation in Homoepitaxial n-type GaN and Its Irradiation Energy Dependence
M. Endo, M. Horita, K. Kanegae, J. Suda
第39回電子材料シンポジウム
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MOVPE成長n型GaNに存在するE3トラップの起源検討
堀田昌宏，成田哲生，加地徹，須田淳
第81回応用物理学会秋季学術講演会
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電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの照射エネルギー依存性
遠藤 彗，鐘ヶ江 一孝，堀田 昌宏，須田 淳
第65回応用物理学会春季学術講演会
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Nitrogen and gallium displacement related deep levels introduced by electron-beam irradiation in MOVPE-grown homoepitaxial n-type GaN
M. Horita, J. Suda
第38回電子材料シンポジウム
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Evaluation of hole traps introduced by electron beam irradiation in homoepitaxial n-type GaN
M. Endo, K. Kanegae, M. Horita, J. Suda
第38回電子材料シンポジウム
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電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの評価
遠藤 彗，鐘ヶ江 一孝，堀田 昌宏，須田 淳
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の低温における挙動
遠藤彗, 堀田昌宏, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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GaN -MOSFETのHall測定
上野勝典, 松山秀昭, 田中亮, 高島信也, 江戸雅晴, 堀田昌宏, 須田淳, 中川清和
第66回応用物理学会春季学術講演会
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ホモエピタキシャル成長n型GaN中に2 MeV電子線照射により形成される深い準位
堀田昌宏, 成田哲生, 加地徹, 上杉勉, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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DLTSおよびHall測定による GaNエピ層の欠陥準位評価 Invited
堀田昌宏, 須田淳
第6回パワーデバイス用Siおよび関連半導体材料に関する研究会
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Deep levels introduced by electron beam irradiation in the energy range from 100 keV to 2 MeV in MOVPE-grown homoepitaxial n-type GaN Invited International conference
M. Horita, T. Narita, T. Kachi, T. Uesugi, J. Suda
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Energy dependence of deep level formation by electron-beam irradiation in homoepitaxial n-type GaN
M. Horita, J. Suda
第37回電子材料シンポジウム
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電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の形成エネルギーしきい値
堀田昌宏, 須田淳
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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マルチウェハリアクタによって4インチサファイア基板上にMOVPE成長した低ドープn型GaNの実効ドナー密度分布
坂尾佳祐, 堀田昌宏, 須田淳, 朴冠錫, 山岡優哉, 矢野良樹, 松本功
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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Si-doped GaN Growth as a Drift Layer of Vertical Power Devices by Using Production Scale Metalorganic Chemical Vapor Deposition International conference
G. Piao, Y. Yano, Y. Yamaoka, T. Tabuchi, K. Matsumoto, K. Sakao, K. Kanegae, M. Horita, J. Suda
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Reduction of Compensating Donor Concentration by Sequential N-ion Implantation in Mg-ion Implanted p-GaN International conference
Sumida, K., Kataoka, K., Narita, T., Horita, M., Kachi, T., Suda, J.
12th International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 2024.11.5
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Characterization of GaN vertical JBS diodes fabricated by channeled implantation of Mg ions and subsequent ultra-high-pressure annealing International conference
Kitagawa, K., Matys, M., Uesugi, T., Horita, M., Kachi, T., Suda, J.
12th International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 2024.11.6
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Hirayama, Y., Shimizu, M., Hikosaka, T., Nago, H., Kajiwara, Y., Nunoue, S., Horita, M., and Suda, J.
Current Transport Mechanism of Carbon-doped GaN Schottky Barrier Diodes Grown on Si substrates
2024.10.3
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Study of excess donor-like defects introduced by Si-ion implantation and subsequent annealing in n-type homoepitaxial GaN layers International conference
Iguchi, H., Kataoka, K., Horita, M., Narita, T., Tomita, K., Suda, J.
24th International Conference on Ion Implantation Technology 2024 2024.9.25
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Mgイオン注入p-GaNにおける注入領域および拡散領域のNイオン連続注入による補償ドナー濃度低減効果 Invited
角田 健輔, 片岡 恵太, 成田 哲生, 堀田 昌宏, 加地 徹, 須田 淳
第85回応用物理学秋季学術講演会 2024.9.16
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イオン注入により形成されるドナー型欠陥の起源解明に向けた低ドーズAlイオン注入GaNの実効ドナー密度の深さ方向分布の評価
井口 紘子, 堀田 昌宏, 片岡 恵太, 成田 哲生, 渡邉 浩崇, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 須田 淳
第85回応用物理学秋季学術講演会 2024.9.19
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Si基板上炭素ドープGaNショットキーバリアダイオードの電流輸送機構の検討
平山 祐輔, 清水 真理子, 彦坂 年輝, 名古 肇, 梶原 瑛祐, 布上 真也, 堀田 昌宏, 須田 淳
第85回応用物理学秋季学術講演会 2024.9.19
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Mgチャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオードにおける電流-電圧特性の注入量依存性 Invited
北川 和輝, Maciej Matys, 上杉 勉, 堀田 昌宏, 加地 徹, 須田 淳
第85回応用物理学秋季学術講演会 2024.9.16
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Engineering of Channel Mobility and Threshold Voltage in AlSiO/AlN/p-type GaN Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors Invited International conference
Narita, T., Ito, K., Kanechika, M., Iguchi, H., Iwasaki, S., Kikuta, D., Kano, E., Ikarashi, N., Tomita, K., Horita, M., Suda, J., Kachi, T.
2024 International Conference on Solid State Devices and Materials 2024.9.4
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Engineering of Interface Charges in AlSiO/AlN/p-type GaN-MOSFETs to Control Threshold Voltage Stability and Channel Mobility Invited International conference
Narita, T., Ito, K., Iguchi, H., Iwasaki, S., Kikuta, D., Kano, E., Ikarashi, N., Tomita, K., Horita, M., Suda, J.
15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2024.8.29
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Engineering of Channel Mobility, Threshold Voltage and Reliability in GaN MOSFETs Using AlSiO/AlN Gate Stacks Formed By Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition Invited International conference
Narita, T., Ito, K., Iguchi, H., Kikuta, D., Iwasaki, S., Kataoka, K., Kano, E., Ikarashi, N., Kanechika, M., Tomita, K., Horita, M., Suda, J.
GaN Marathon 2024 2024.6.11
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ワイドバンドギャップ半導体の点欠陥の定量 Invited
鐘ケ江 一孝, 堀田 昌宏, 西中 浩之, 木本 恒暢, 須田 淳
第16回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2024.5.30
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Mgイオン注入p-GaNにおけるNイオン連続注入の補償ドナー濃度低減効果
角田健輔，片岡恵太，成田哲生，堀田昌宏，加地徹，須田淳
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.3.25
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Mgチャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオード
北川和輝，Maciej Matys，上杉勉，加地徹，堀田昌宏，須田淳
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.3.25
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プラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を用いたAlSiO/p-GaN MOSFETの分極制御 Invited
伊藤健治，成田哲生，井口紘子，岩崎四郎，菊田大悟，狩野絵美，五十嵐信行，冨田一義，堀田昌宏，須田淳
シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 2024.1.31
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Polarization Engineering in AlSiO/p-type GaN MOSFETs Using AlN Interlayers Formed by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition International conference
Ito., K, Narita, T., Iguchi, H., Iwasaki, S., Kikuta, D., Kano, E., Ikarashi, N., Tomita, K.,Horita, M., Suda, J.
69th Annual IEEE International Electron Devices Meeting 2023.12.9
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Establishment of reliability and high performance for an AlSiO/GaN MOSFET formed by ALD and post-deposition annealing Invited International conference
Narita, T., Ito, K., Kataoka, K., Tomita, K., Iguchi, H., Iwasaki, S., Kano, E., Ikarashi, N., Horita, M., Kikuta, D.
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 2023.12.2
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Depth Analysis of Acceptor and Compensating Donor Concentrations in Mg-implanted p-GaN with Ultra-High-Pressure Annealing International conference
Sumida, K. , Horita, M. , Kachi, T. , Suda, J.
14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023.11.14
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Annealing behavior of deep levels induced by ultra-low-dose Si-ion implantation and subsequent annealing in homoepitaxial n-type GaN International conference
Iguchi, H. , Horita, M. , Suda, J.
14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023.11.16
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超低濃度Siイオン注入を行ったn型GaNエピタキシャル層上に作製したショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性
井口紘子，堀田昌宏，須田淳
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.9.21
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Radiation-induced deep-level traps in homoepitaxial GaN layers Invited International conference
Suda, J., Aoshima, K., Horita, M.
The 32nd International Conference on Defects in Semiconductors 2023.9.11
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GaNパワー半導体プロセスにおけるMOVPE成長特有の不純物の理解と制御 Invited
成田哲生，冨田一義，徳田豊，堀田昌宏，山田真嗣，五十嵐信行，加地徹
応用物理学会 結晶工学分科会 第159回研究会 2023.6.13
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縦型GaNパワーデバイスの高性能化に向けたMOS界面、イオン注入技術の進展と課題 Invited
成田 哲生，伊藤 健治，菊田 大悟，冨田 一義，堀田 昌宏，Maciej Matys，五十嵐 信行，Michal Bockowski，上殿 明良，須田 淳，加地 徹
日本学術振興会R032産業イノベーションのための結晶成長委員会 2023.3.10
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GaNパワーデバイスの特性に影響するエピ・基板の欠陥評価 Invited
成田 哲生，長里 喜隆，兼近 将一，近藤 健，上杉 勉，冨田 一義，池田 智史，渡辺 弘紀，庄司 智幸，山口 聡，木本 康司，小嵜 正芳，岡 徹，小島 淳，堀田 昌宏，加地 徹，須田 淳
日本学術振興会 結晶加工と評価技術 第145委員会 第178回研究会 2023.1.18
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Depth profiling of a donor-like defect induced by ultra-low-dose Si-ion implantation and subsequent annealing in homoepitaxial n-type GaN International conference
H. Iguchi, M. Horita, and J. Suda
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022.10.10
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Successful p-type activation of Mg-implanted GaN combined with sequential N implantation and atmospheric pressure anneal with AlN cap International conference
R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, M. Horita, and J. Suda
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022.10.14
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Temperature Dependence of Impact Ionization Coefficients in GaN International conference
T. Maeda, T. Narita, S. Yamada, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, and J. Suda
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022.10.14
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Quantitative Relationship between Carbon Concentration and H1 Hole Trap Density in n-Type GaN Homoepitaxial Layers International conference
K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022.10.14
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Correlation between non-ionizing energy loss and production rates of an electron trap at EC– (0.12-0.20) eV formed by various energetic particles in gallium nitride International conference
K. Aoshima, M. Horita, and J. Suda
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022.10.12
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Investigation of Annealing Conditions of Mg-implanted GaN by Ultra-High-Pressure Annealing for Further Reduction of Annealing Pressure International conference
K. Sumida, K. Hirukawa, H. Sakurai, K. Sierakowski, M. Horita, M. Bockowski, T. Kachi and J. Suda
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022.10.11
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Correlation between non-ionizing energy loss and production rates of an electron trap formed by various types of radiation in gallium nitride International conference
K. Aoshima, M. Horita, and J. Suda
The Radiation and Its Effects on Components and Systems Conference 2022 2022.10.4
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Improvement of Channel Mobility in AlSiO/GaN MOSFETs using Thin Interfacial Layers to Reduce Border Traps International conference
K. Ito, K. Tomita, D. Kikuta, M. Horita, and T. Narita
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022.9.28
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SiC (0001), (11-20), (1-100) MOSFETにおけるHall移動度のボディ層濃度依存性 Invited
伊藤 滉二，田中 一，堀田 昌宏，須田 淳，木本 恒暢
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022.9.21
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超低濃度Siイオン注入GaNにおけるトラップ密度深さ方向分布のアニール温度依存性
井口 紘子，堀田 昌宏，須田 淳
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022.9.23
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高エネルギー粒子線照射により窒化ガリウム中に形成される電子トラップの生成レートとNIELの相関
青島 慶人，堀田 昌宏，須田 淳
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022.9.23
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様々なドーピング密度を有するGaN p+-nおよびp-n+接合ダイオードの絶縁破壊電界
前田 拓也，成田 哲生，山田 真嗣，加地 徹，木本 恒暢，堀田 昌宏，須田 淳
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022.9.22
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High Mobility in SiC MOSFETs with Heavily-Doped p-Bodies Invited International conference
T. Kimoto, K. Tachiki, K. Ito, K. Mikami, M. Kaneko, M. Horita, and J. Suda
14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2022.8.30
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Why does the electron trap concentration at EC –0.6 eV have an inverse correlation with the carbon one in n-type GaN layers? International conference
T. Narita, M. Horita, K. Tomita, K. Kachi, and J. Suda
20th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 2022.7.11
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Annealing temperature dependence of depth distribution of net donor density in ultra-low concentration Si-ion implanted GaN
Hiroko Iguchi, Masahiro Horita, Jun Suda
2022.3.23
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Effective Vertical Field Dependence of Hall Mobility for SiC MOSFETs with Various Gate Oxides
Koji Ito, Masahiro Horita, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto
2022.3.24
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Origin of peak observed in reverse current-voltage characteristics of homoepitaxial GaN pn junction mesa diodes
Takuto Ohashi, Masakazu Kanechika, Takeshi Kondo, Tsutomu Uesugi, Kazuyoshi Tomita, Masahiro Horita, Jun Suda
2022.3.23
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AlSiOゲート酸化膜を用いたGaNパワーMOSFETの進展と課題 Invited
成田 哲生, 伊藤 健治, 菊田 大悟, 冨田 一義, 堀田 昌宏, 加地 徹
第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2022.1.29
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Reduction of Temperature and Pressure in Ultra-High-Pressure Annealing for Activation of Mg-Implanted ptype GaN
The 8th Meeting on Advanced Power Semiconductors 2021.12.9
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Origin of Hysteresis in Reverse Current-Voltage Characteristics of GaN pn Junction Mesa Diodes
The 8th Meeting on Advanced Power Semiconductors 2021.12.9
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Dependence of Channel Mobility on Doping Concentration of p-body in Phosphorus-Treated SiC MOSFETs
The 8th Meeting on Advanced Power Semiconductors 2021.12.10
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Hole traps formed by gamma-ray irradiation in homoepitaxial p-type GaN International conference
Keito Aoshima, Masahiro Horita, and Jun Suda
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021
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Isothermal Annealing Study on Mg-implanted Homoepitaxial GaN International conference
Kensuke Sumida, Kazufumi Hirukawa, Hideki Sakurai, Masahiro Horita, Michal Bockowski, Tetsu Kachi, Jun Suda
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021
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Universal Mobility in SiC MOSFETs with Very Low Interface State Density International conference
Koji Ito, Masahiro Horita, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto
13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2021.10.26
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SiO2/n-GaN MOS structures with low interface state density formed by plasma-enhanced atomic layer deposition method International conference
Keito Aoshima, Noriyuki Taoka, Masahiro Horita, Jun Suda
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials 2021.9.9
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AlSiO/p型GaN MOSFETにおける移動度制限因子の解析
成田哲生，伊藤健治，冨田一義，堀田昌宏，菊田大悟
第68回応用物理学会春季学術講演会
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GaNにおける電子・正孔の衝突イオン化係数の温度依存性
前田拓也，成田哲生，山田真嗣，加地徹，木本恒暢，堀田昌宏，須田淳
第68回応用物理学会春季学術講演会
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リン処理を施したSiC MOSFETにおける実効移動度のボディ電位依存性
伊藤滉二，堀田昌宏，須田淳，木本恒暢
第68回応用物理学会春季学術講演会
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DLTS法によるn型GaN中の深い準位評価に対してショットキー障壁高さが与える影響の定量的解析
青島慶人，堀田昌宏，須田淳
第68回応用物理学会春季学術講演会
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Mgイオン注入GaNの超高圧アニールによるMgとHの熱拡散
櫻井秀樹，成田哲生，晝川十史，角田健輔，山田真嗣，片岡恵太，堀田昌宏，五十嵐信行，M. Bockowski，須田淳，加地徹
第68回応用物理学会春季学術講演会
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Mgイオン注入p型GaNにおける超高圧アニール温度の低減化に向けた検討
晝川十史，櫻井秀樹，藤倉序章，堀田昌宏，M. Bockowski，乙木洋平，加地徹，須田淳
第68回応用物理学会春季学術講演会
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MOVPE法によるn型GaNドリフト層形成と残留不純物制御 Invited
成田哲生，堀田昌宏，冨田一義，加地徹，須田淳
第49回結晶成長国内会議
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超高圧アニールを用いたMgイオン注入GaNのp型伝導制御 Invited
櫻井秀樹，成田哲生，晝川十史，山田真嗣，片岡恵太，Malgorzata Iwinska，堀田昌宏，五十嵐信行，Michal Bockowski，須田淳，加地徹
第49回結晶成長国内会議
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Impact of The Schottky Barrier Height on Deep-level Transient Spectroscopy of Gamma-ray-irradiated ntype GaN
K. Aoshima, M. Horita, J. Suda
第39回電子材料シンポジウム
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Impacts of High Temperature Annealing Above 1400 degree C Under N2 Overpressure to Activate Acceptors in Mg-Implanted GaN International conference
H. Sakurai, T. Narita, K. Hirukawa, S. Yamada, A. Koura, K. Kataoka, M. Horita, N. Ikarashi, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi
2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
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DLTS法によるAl2O3/n型GaN MOS界面準位の評価
青島 慶人，堀田 昌宏，須田 淳，橋詰 保
第65回応用物理学会春季学術講演会
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超高圧アニールによるMg&Nシーケンシャルイオン注入GaNのアクセプタ形成の実証
櫻井 秀樹，成田 哲生，晝川 十史，山田 真嗣，高良 昭彦，片岡 恵太，堀田 昌宏，Bockowski Michal，須田 淳，加地 徹
第65回応用物理学会春季学術講演会
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Mgイオン注入p型GaNの超高圧アニール温度の検討
晝川 十史，櫻井 秀樹，藤倉 序章，堀田 昌宏，Bockowski Michal，乙木 洋平，加地 徹，須田 淳
第65回応用物理学会春季学術講演会
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RIEによって生成されたn型GaN中の深い準位
鐘ヶ江 一孝，山田 真嗣，堀田 昌宏，木本 恒暢，須田 淳
第65回応用物理学会春季学術講演会
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常圧で活性化熱処理したMg注入GaN層のホール効果測定
田中 亮，高島 信也，上野 勝典，江戸 雅晴，堀田 昌宏，須田 淳
第65回応用物理学会春季学術講演会
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SiNキャップ層高温熱処理によりGaN表面付近に導入される電子トラップの深さ方向分布の熱処理時間依存性
古田 悟夢，堀田 昌宏，田中 成明，岡 徹，須田 淳
第65回応用物理学会春季学術講演会
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GaNの電子・正孔の衝突イオン化係数の測定
前田 拓也，成田 哲生，山田 真嗣，加地 徹，木本 恒暢，堀田 昌宏，須田 淳
第65回応用物理学会春季学術講演会
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リン処理を施したSiC(0001)/SiO2界面における反転層電子のユニバーサル移動度の評価
伊藤 滉二，堀田 昌宏，須田 淳，木本 恒暢
第65回応用物理学会春季学術講演会
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光過渡容量分光法によるn型GaN中の正孔トラップ密度の高速かつ精密定量手法
鐘ヶ江 一孝，成田 哲生，冨田 一義，加地 徹，堀田 昌宏，木本 恒暢，須田 淳
先進パワー半導体分科会第6回講演会
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PMA処理を行ったAl2O3/n-GaN MOSダイオードにおいてガンマ線照射により形成されるAl2O3膜中及び界面トラップ
青島慶人，堀田昌宏，金木奨太，須田淳，橋詰保
先進パワー半導体分科会第6回講演会
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Impact Ionization Coefficients in GaN Measured by Above- and Sub-Eg Illuminations for p−/n+ Junction International conference
T. Maeda, T. Narita, S. Yamada, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
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Record breakdown fields of 2.8-3.5 MV/cm in GaN p-n junction diodes
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
第38回電子材料シンポジウム
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Development of accurate and quick measurement method for hole trap density in n-type GaN layers by optical isothermal capacitance transient spectroscopy
K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
第38回電子材料シンポジウム
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Electron traps formed by gamma-ray irradiation in homoepitaxial n-type GaN
K. Aoshima, K. Kanegae, M. Horita, J. Suda
第38回電子材料シンポジウム
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Depth Profiles of Deep Levels Generated by ICP-RIE in 4H-SiC International conference
K. Kanegae, T. Okuda, M. Horita, J. Suda, T. Kimoto
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Photocurrent induced by Franz-Keldysh effect in 4H-SiC p-n junction diodes under high electric field along <11-20> direction International conference
T. Maeda, X. Chi, H. Tanaka, M. Horita, J. Suda, T. Kimoto
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リン処理を施したSiC MOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層アクセプタ密度依存性
伊藤 滉二，堀田 昌宏，須田 淳，木本 恒暢
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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2 色のサブバンドギャップ光を用いた過渡容量分光法によるn型GaN成長層中の炭素関連欠陥密度の高速定量手法
鐘ヶ江 一孝，成田 哲生，冨田 一義，加地 徹，堀田 昌宏，木本 恒暢，須田 淳
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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<11-20>方向に電界印加した4H-SiC p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因したフォノンアシスト光吸収
前田 拓也，遅 熙倫，田中 一，堀田 昌宏，須田 淳，木本 恒暢
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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PMA処理を行ったAl2O3/GaN MOSダイオードにおけるガンマ線照射によるフラットバンド電圧の負方向シフトの膜厚依存性
青島 慶人，堀田 昌宏，金木 奨太，須田 淳，橋詰 保
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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様々な電極金属のn 型ホモエピタキシャルGaN SBD における障壁高さ温度係数の比較とそれに対する熱処理の効果
村瀬 亮介，前田 拓也，鐘ヶ江 一孝，須田 淳，堀田 昌宏
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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高圧アニールによるMgイオン注入GaNのアクセプタ形成の実証
櫻井 秀樹，山田 真嗣，高良 昭彦，堀田 昌宏，Bockowski Michal，須田 淳，加地 徹
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode Invited
前田 拓也，岡田 政也，上野 昌紀，山本 喜之，木本 恒暢，堀田 昌宏，須田 淳
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧シフトとその測定パルス幅依存性
釣本 浩貴，堀田 昌宏，須田 淳
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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ショットキー接合のC-V測定によるp型GaNの実効アクセプタ密度評価の精度に関する理論的検討
六野 祥平，堀田 昌宏，須田 淳
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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High Avalanche Capability in GaN p-n Junction Diodes Realized by Shallow BeveledMesa Structure Combined with Lightly Mg-Doped p-Layers International conference
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
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Quick measurement method of carbon-related defect concentration in n-type GaN by dual-color-sub-bandgaplight-excited isothermal capacitance transient spectroscopy International conference
K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
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Estimation of Impact Ionization Coefficient in GaN and Its Temperature Dependence by Photomultiplication Measurements Utilizing FranzKeldysh Effect International conference
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
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Photon energy dependence of photoionization cross section ratio of electron to hole for the carbon-related hole trap in n-type GaN International conference
K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
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Deep Level Traps Introduced in GaN Layers by High-Temperature Thermal Treatment with SiN Cap Layers International conference
S. Furuta, M. Horita, N. Tanaka, T. Oka, J. Suda
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Determination Methods of H1 Trap Concentration in N-Type GaN Schottky Barriers via Sub-Bandgap-Light Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy International conference
K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
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Growth of P-Type GaN Layers with Low Mg Concentrations by Using MOVPE and the Application to Vertical Power Devices (Invited) Invited International conference
T. Narita, K. Tomita, Y. Tokuda, T. Kogiso, T. Maeda, M. Horita, M. Kanechika, H. Ueda, T. Kachi, J. Suda
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Clear Evidence of P-Type Formation by Hall-Effect Measurements of Mg-Ion Implanted GaN Activated with Ultra-High-Pressure Annealing International conference
H. Sakurai, M. Omori, S. Yamada, A. Koura, H. Suzuki, T. Narita, K. Kataoka, M. Horita, M. Boćkowski, J. Suda, T. Kachi
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Impact of Gamma-Ray Irradiation on Device Characteristics of p-GaN/ AlGaN/GaN Normally-Off High-Electron-Mobility Transistors International conference
K. Tsurimoto, M. Horita, J. Suda
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Impact of Gamma-Ray Irradiation on Capacitance-Voltage Characteristics of Al2O3/GaN MOS Diodes with Post-Metallization Annealing International conference
K. Aoshima, M. Horita, S. Kaneki, J. Suda, T. Hashizume
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Estimation of Impact Ionization Coefficient in GaN by Photomultiplication Measurement Utilizing Franz-Keldysh Effect International conference
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
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GaNエピ基板上MOS特性の制御
上野勝典, 松山秀昭, 田中亮, 高島信也, 江戸雅晴, 堀田昌宏, 須田淳, 中川清和
電気学会 電子・情報・システム部門(C部門) 電子デバイス研究会
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p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による特性変化の回復過程
釣本浩貴, 堀田昌宏, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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Franz-Keldysh効果を利用した光電流増倍測定によるGaNにおけるキャリアの衝突イオン化係数の推定
前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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両側空乏ベベルメサ構造を有するGaN p-n接合ダイオードにおける均一なアバランシェ破壊の実現および平行平板破壊電界の評価
前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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ベベルメサ構造GaN p-n接合ダイオードの電界分布シミュレーション
前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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Quartz-free-HVPE成長n型GaN層における補償アクセプタの起源解明
鐘ヶ江一孝, 藤倉序章, 乙木洋平, 今野泰一郎, 吉田丈洋, 堀田昌宏, 木本恒暢, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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SiNキャップ層高温熱処理によりGaN中に導入される深い準位
古田悟夢, 堀田昌宏, 田中成明, 岡徹, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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横型ショットキーダイオード構造のC-V測定による低ドープn型GaNの実効ドナー密度の評価の精度に関する検討
六野祥平, 坂尾佳祐, 堀田昌宏, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキー障壁高さの温度係数の電極金属依存性
村瀬亮介, 前田拓也, 鐘ヶ江一孝, 堀田昌宏, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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ガンマ線照射によるAl2O3/GaN MOSダイオードの容量-電圧特性の変化
青島慶人, 金木奨太, 堀田昌宏, 須田淳, 橋詰保
第66回応用物理学会春季学術講演会
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Overview of carrier compensation in n-type and p-type GaN layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy Invited International conference
T. Narita, K. Tomita, Y. Tokuda, T. Kogiso, N. Ikarashi, N. Sawada, M. Horita, J. Suda, T. Kachi
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Parallel-Plane Breakdown Fields of 2.8-3.5 MV/cm in GaN-on-GaN p-n Junction Diodes with Double-Side-Depleted Shallow Bevel Termination International conference
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
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n型GaN中の正孔トラップ密度の定量評価
鐘ヶ江一孝, 成田哲生, 冨田一義, 加地徹, 堀田昌宏, 木本恒暢, 須田淳
先進パワー半導体分科会 第5回講演会
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DLTS studies of quartz-free-HVPE-grown homoepitaxial n-type GaN Invited International conference
K. Kanegae, H. Fujikura, Y. Otoki, T. Konno, T. Yoshida, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
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Electron traps formed by gamma-ray irradiation in homoepitaxial n-type GaN International conference
K. Aoshima, K. Kanegae, M. Horita, J. Suda
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Hole occupancy ratio of H1 trap in homoepitaxial n-type GaN under sub-bandgap light irradiation International conference
K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
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Temperature Dependence of Avalanche Multiplicationin GaN PN Diodes Measured by Light Absorption Due to Franz-Keldysh Effect International conference
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
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Shockley-Read-Hall Lifetime in Homoepitaxial p-GaN Extracted from the Recombination Current in GaN p-n Junction Diodes International conference
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
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Temperature dependence of Avalanche Multiplication in GaN PN Diodes Measured by Using Sub-bandgap Light Irradiation
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
第37回電子材料シンポジウム
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p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧およびゲート電流の変化
釣本浩貴, 堀田昌宏, 須田淳
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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4H-SiC p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因したフォノンアシスト光吸収
前田拓也, 遅熙倫, 堀田昌宏, 須田淳, 木本恒暢
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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ガンマ線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深さ1 eV以上の電子トラップ
青島慶人, 鐘ヶ江一孝, 堀田昌宏, 須田淳
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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Franz-Keldysh効果による光電流を利用したGaN p-n接合ダイオードにおけるアバランシェ増倍の温度依存性の測定
前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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GaN p-n接合ダイオードの再結合電流解析によるホモエピタキシャル成長p-GaNにおけるSRH寿命の評価
前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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n型GaN 中の正孔トラップ密度の定量評価に向けたサブバンドギャップ光照射時の正孔占有率の評価
鐘ヶ江一孝, 成田哲生, 冨田一義, 加地徹, 堀田昌宏, 木本恒暢, 須田淳
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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GaN自立基板上Ni/n-GaN SBDにおける障壁高さ温度特性のドナー密度依存性
村瀬亮介, 前田拓也, 鐘ヶ江一孝, 堀田昌宏, 須田淳
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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Photocurrent induced by Franz-Keldysh effect in a 4H-SiC p-n junction diode under high reverse bias voltage International conference
T. Maeda, X. L. Chi, M. Horita, J. Suda, T. Kimoto
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Measurement of Avalanche Multiplication Factor in GaN p-n Junction Diode Using Sub-Bandgap Light Absorption Due to Franz-Keldysh Effect International conference
T. Maeda, T. Narita, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
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Accurate estimation of H1 trap concentration in n-type GaN layers International conference
K. Kanegae, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
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Electrical characterization of homoepitaxial GaN layers for GaN vertical power devices Invited International conference
J. Suda, M. Horita
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サブバンドギャップ光照射を用いた GaN p-n接合ダイオードのアバランシェ増倍の測定
前田拓也, 成田哲生, 上田博之, 兼近将一, 上杉勉, 加地徹, 木本恒暢, 堀田昌宏, 須田淳
第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
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Franz-Keldysh effect in GaN Schottky barrier diodes and p-n junction diodes under high reverse bias voltage International conference
T. Maeda, M. Okada, M. Ueno, Y. Yamamoto, T. Narita, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
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Measurement of H1 trap concentration in MOVPE-grown homoepitaxial n-type GaN by optical isothermal capacitance transient spectroscopy using sub-bandgap photoexcitation International conference
K. Kanegae, M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
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Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode consistently obtained by C-V, I-V, and IPE measurements International conference
T. Maeda, M. Okada, M. Ueno, Y. Yamamoto, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda
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Mgイオン注入GaN層上におけるノーマリーオフMOSFET検討 Invited
高島信也, 田中亮, 上野勝典, 松山秀昭, 江戸雅晴, 高橋言緒, 清水三聡, 石橋章司, 中川清和, 堀田昌宏, 須田淳, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良
第149回結晶工学分科会研究会 GaN on GaNパワーデバイスにむけて ～p型GaNの結晶工学～
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Characterization of lightly-doped n- and p-type homoepitaxial GaN on free-standing substrates International conference
Horita M
IMFEDK 2017 - 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2017.7.31