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窒化ガリウム中の点欠陥と深い準位の評価 Invited
堀田 昌宏, 須田 淳
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第29回研究会 2025.3.11
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Electron traps with extremely long capture time constant related to threading dislocations in n-type GaN with oxygen ion implantation and annealing International conference
Hayashi, K., Horita, M., Tanaka, R., Takashima, S., Ueno, K., Suda, J.
12th International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 2024.11.5
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Identification of deep levels originating from nitrogen interstitials in n-type GaN International conference
Endo, M., Suda, J., Horita, M.
12th International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 2024.11.7
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Characterization of Extrinsic and Intrinsic Point Defects in Homoepitaxial GaN Invited International conference
Suda, J., Horita, M.
12th International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 2024.11.7
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GaNパワーデバイス研究開発の最新動向 Invited
堀田 昌宏, 須田 淳
第88回半導体・集積回路技術シンポジウム 2024.8.26
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ホモエピタキシャル成長n 型GaNにおいて電子線照射によりE_C − 1 eV 付近に形成される窒素変位関連トラップの熱アニール挙動
遠藤彗，堀田昌宏，須田淳
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.3.24
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酸素イオン注入n型GaNで観測される実効ドナー密度変動と長い捕獲時定数を持つトラップの関係性
林慶祐，堀田昌宏，田中亮，高島信也，上野勝典，須田淳
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.3.24
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ホモエピタキシャル成長n型GaN中の格子間窒素が形成する2つの準位の特定
遠藤彗，堀田昌宏，須田淳
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.3.24
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Characterization of nitrogen-displacement-related traps in GaN Invited International conference
Horita, M. , Suda, J.
14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023.11.14
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Hall-effect Measurement of Homoepitaxial N-type GaN with Nitrogen-displacement-related Point Defects Formed by Electron Beam Irradiation International conference
Kojima, C. , Horita, M. , Suda, J.
14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023.11.17
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Evaluation of recombination centers originating from nitrogen-displacement-related defects in homoepitaxial n-type and p-type GaN International conference
Endo, M. , Horita, M. , Suda, J.
14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023.11.17
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[講演奨励賞受賞記念講演] 電子線照射により窒素変位関連欠陥を選択的に導入したホモエピタキシャル成長GaN中の再結合中心の評価 Invited
遠藤彗，堀田昌宏，須田淳
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.9.22
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Thermal annealing behavior of nitrogen-displacement-related defects in homoepitaxial n-type GaN International conference
Endo, M., Horita, M., Suda, J.
The 32nd International Conference on Defects in Semiconductors 2023.9.14
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ホモエピタキシャル成長GaN 中の窒素原子変位に関連した再結合中心の評価
遠藤彗，堀田昌宏，須田淳
第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2023.6.16
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GaN中のN変位関連欠陥が形成するトラップの評価 Invited
堀田昌宏，須田淳
第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2023.6.15
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電子線照射により窒素変位関連欠陥を選択的に導入したホモエピタキシャル成長GaN p-n接合ダイオードの再結合電流解析
遠藤 彗，堀田 昌宏，須田 淳
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.3.17
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GaN pn接合の容量過渡分光法においてフィリングパルス0 V印加にもかかわらず観測される少数キャリアシグナルの起源
清水 威杜，大橋 拓斗，冨田 一義，堀田 昌宏，須田 淳
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.3.17
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137 keVの電子線照射で意図的に窒素関連欠陥準位を導入したn型GaNのホール効果測定
小島 千寛，堀田 昌宏，須田 淳
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.3.17
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GaN中点欠陥が形成するトラップの評価 Invited
堀田 昌宏，須田 淳
ワイドギャップ半導体学会第9回研究会 2022.12.16
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Si concentration dependence of nitrogen-related electron traps introduced by electron beam irradiations to homoepitaxial n-type GaN International conference
M. Endo, M. Horita, and J. Suda
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022.10.12