Presentations -
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Energy dependence of deep level formation by electron-beam irradiation in homoepitaxial n-type GaN
M. Horita, J. Suda
第37回電子材料シンポジウム
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電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の形成エネルギーしきい値
堀田昌宏, 須田淳
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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マルチウェハリアクタによって4インチサファイア基板上にMOVPE成長した低ドープn型GaNの実効ドナー密度分布
坂尾佳祐, 堀田昌宏, 須田淳, 朴冠錫, 山岡優哉, 矢野良樹, 松本功
第79回応用物理学会秋季学術講演会
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Si-doped GaN Growth as a Drift Layer of Vertical Power Devices by Using Production Scale Metalorganic Chemical Vapor Deposition International conference
G. Piao, Y. Yano, Y. Yamaoka, T. Tabuchi, K. Matsumoto, K. Sakao, K. Kanegae, M. Horita, J. Suda
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Reduction of Compensating Donor Concentration by Sequential N-ion Implantation in Mg-ion Implanted p-GaN International conference
Sumida, K., Kataoka, K., Narita, T., Horita, M., Kachi, T., Suda, J.
12th International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 2024.11.5
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Characterization of GaN vertical JBS diodes fabricated by channeled implantation of Mg ions and subsequent ultra-high-pressure annealing International conference
Kitagawa, K., Matys, M., Uesugi, T., Horita, M., Kachi, T., Suda, J.
12th International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 2024.11.6
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Hirayama, Y., Shimizu, M., Hikosaka, T., Nago, H., Kajiwara, Y., Nunoue, S., Horita, M., and Suda, J.
Current Transport Mechanism of Carbon-doped GaN Schottky Barrier Diodes Grown on Si substrates
2024.10.3
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Study of excess donor-like defects introduced by Si-ion implantation and subsequent annealing in n-type homoepitaxial GaN layers International conference
Iguchi, H., Kataoka, K., Horita, M., Narita, T., Tomita, K., Suda, J.
24th International Conference on Ion Implantation Technology 2024 2024.9.25
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Mgイオン注入p-GaNにおける注入領域および拡散領域のNイオン連続注入による補償ドナー濃度低減効果 Invited
角田 健輔, 片岡 恵太, 成田 哲生, 堀田 昌宏, 加地 徹, 須田 淳
第85回応用物理学秋季学術講演会 2024.9.16
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イオン注入により形成されるドナー型欠陥の起源解明に向けた低ドーズAlイオン注入GaNの実効ドナー密度の深さ方向分布の評価
井口 紘子, 堀田 昌宏, 片岡 恵太, 成田 哲生, 渡邉 浩崇, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 須田 淳
第85回応用物理学秋季学術講演会 2024.9.19
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Si基板上炭素ドープGaNショットキーバリアダイオードの電流輸送機構の検討
平山 祐輔, 清水 真理子, 彦坂 年輝, 名古 肇, 梶原 瑛祐, 布上 真也, 堀田 昌宏, 須田 淳
第85回応用物理学秋季学術講演会 2024.9.19
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Mgチャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオードにおける電流-電圧特性の注入量依存性 Invited
北川 和輝, Maciej Matys, 上杉 勉, 堀田 昌宏, 加地 徹, 須田 淳
第85回応用物理学秋季学術講演会 2024.9.16
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Engineering of Channel Mobility and Threshold Voltage in AlSiO/AlN/p-type GaN Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors Invited International conference
Narita, T., Ito, K., Kanechika, M., Iguchi, H., Iwasaki, S., Kikuta, D., Kano, E., Ikarashi, N., Tomita, K., Horita, M., Suda, J., Kachi, T.
2024 International Conference on Solid State Devices and Materials 2024.9.4
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Engineering of Interface Charges in AlSiO/AlN/p-type GaN-MOSFETs to Control Threshold Voltage Stability and Channel Mobility Invited International conference
Narita, T., Ito, K., Iguchi, H., Iwasaki, S., Kikuta, D., Kano, E., Ikarashi, N., Tomita, K., Horita, M., Suda, J.
15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2024.8.29
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Engineering of Channel Mobility, Threshold Voltage and Reliability in GaN MOSFETs Using AlSiO/AlN Gate Stacks Formed By Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition Invited International conference
Narita, T., Ito, K., Iguchi, H., Kikuta, D., Iwasaki, S., Kataoka, K., Kano, E., Ikarashi, N., Kanechika, M., Tomita, K., Horita, M., Suda, J.
GaN Marathon 2024 2024.6.11
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ワイドバンドギャップ半導体の点欠陥の定量 Invited
鐘ケ江 一孝, 堀田 昌宏, 西中 浩之, 木本 恒暢, 須田 淳
第16回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2024.5.30
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Mgイオン注入p-GaNにおけるNイオン連続注入の補償ドナー濃度低減効果
角田健輔，片岡恵太，成田哲生，堀田昌宏，加地徹，須田淳
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.3.25
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Mgチャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオード
北川和輝，Maciej Matys，上杉勉，加地徹，堀田昌宏，須田淳
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.3.25
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プラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を用いたAlSiO/p-GaN MOSFETの分極制御 Invited
伊藤健治，成田哲生，井口紘子，岩崎四郎，菊田大悟，狩野絵美，五十嵐信行，冨田一義，堀田昌宏，須田淳
シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 2024.1.31
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Polarization Engineering in AlSiO/p-type GaN MOSFETs Using AlN Interlayers Formed by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition International conference
Ito., K, Narita, T., Iguchi, H., Iwasaki, S., Kikuta, D., Kano, E., Ikarashi, N., Tomita, K.,Horita, M., Suda, J.
69th Annual IEEE International Electron Devices Meeting 2023.12.9