Presentations -
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N極性面上低温成膜Ge添加GaNスパッタ膜の電気的特性評価
遠藤 彗，堀田 昌宏，須田 淳
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022.9.23
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Nitrogen-displacement-related hole traps in homoepitaxial p-type GaN
Meguru Endo, Masahiro Horita, Jun Suda
2021.9.11
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Correlation between concentrations of iron and EC – 0.6 eV electron trap in n-type GaN grown by MOVPE International conference
M. Horita, T. Narita, K. Kachi, and J. Suda
20th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 2022.7.14
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Characterization of a photoionization cross section ratios of electron traps in n-type GaN by optical ICTS using sub-bandgap-light irradiation
Meguru Endo, Masahiro Horita, Jun Suda
2022.3.23
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Investigation of Electron Traps in Homoepitaxial n-type GaN Grown by MOVPE International conference
Masahiro Horita and Jun Suda
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 2021.11.6
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Nitrogen-displacement-related Hole Traps in N-type GaN with Electron Beam Irradiations in the Energy Range from 100 to 400 keV International conference
Meguru Endo, Masahiro Horita, Kazutaka Kanegae, and Jun Suda
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021
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Nitrogen-displacement-related hole traps in MOVPE-grown homoepitaxial p-type GaN
Meguru Endo, Masahiro Horita, Jun Suda
The 40th Electronic Materials Symposium 2021.10.11
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Nitrogen-displacement-related hole traps introduced by electron beam irradiations in MOVPE-grown homoepitaxial p-type GaN International conference
Meguru Endo, Masahiro Horita, and Jun Suda
31st International Conference on Defects in Semiconductors 2021.7.26 31st International Conference on Defects in Semiconductors Conference Committees
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酸素イオン注入によりn型GaN中に形成される電子トラップ
柴田優一，堀田昌宏，田中亮，高島信也，上野勝典，須田淳
第68回応用物理学会春季学術講演会
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Hole Traps Introduced by Electron Beam Irradiation in Homoepitaxial n-type GaN and Its Irradiation Energy Dependence
M. Endo, M. Horita, K. Kanegae, J. Suda
第39回電子材料シンポジウム
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MOVPE成長n型GaNに存在するE3トラップの起源検討
堀田昌宏，成田哲生，加地徹，須田淳
第81回応用物理学会秋季学術講演会
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電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの照射エネルギー依存性
遠藤 彗，鐘ヶ江 一孝，堀田 昌宏，須田 淳
第65回応用物理学会春季学術講演会
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Nitrogen and gallium displacement related deep levels introduced by electron-beam irradiation in MOVPE-grown homoepitaxial n-type GaN
M. Horita, J. Suda
第38回電子材料シンポジウム
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Evaluation of hole traps introduced by electron beam irradiation in homoepitaxial n-type GaN
M. Endo, K. Kanegae, M. Horita, J. Suda
第38回電子材料シンポジウム
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電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの評価
遠藤 彗，鐘ヶ江 一孝，堀田 昌宏，須田 淳
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の低温における挙動
遠藤彗, 堀田昌宏, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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ホモエピタキシャル成長n型GaN中に2 MeV電子線照射により形成される深い準位
堀田昌宏, 成田哲生, 加地徹, 上杉勉, 須田淳
第66回応用物理学会春季学術講演会
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GaN -MOSFETのHall測定
上野勝典, 松山秀昭, 田中亮, 高島信也, 江戸雅晴, 堀田昌宏, 須田淳, 中川清和
第66回応用物理学会春季学術講演会
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DLTSおよびHall測定による GaNエピ層の欠陥準位評価 Invited
堀田昌宏, 須田淳
第6回パワーデバイス用Siおよび関連半導体材料に関する研究会
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Deep levels introduced by electron beam irradiation in the energy range from 100 keV to 2 MeV in MOVPE-grown homoepitaxial n-type GaN Invited International conference
M. Horita, T. Narita, T. Kachi, T. Uesugi, J. Suda