Presentations -
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Radical, ion, and photon’s effects on material damage in plasma etching International conference
S. Nunomura, T. Tsutsumi and M. Hori
9th Asia-Pacific Conference on Plasma Physics
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Transport mechanism of active species in high-aspect-ratio hole during plasma etching Invited International conference
T. Tsutsumi, T. Kurushima, M. Sekine, M. Hori, and K. Ishikawa
9th Asia-Pacific Conference on Plasma Physics
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Aspect Ratio Resolved Mass Spectrometry for Sticking Probability of Neutral Sppecies in High Aspect Ratio Hole Invited International conference
Takumi Kurushima, Takayoshi Tsutsumi, Makoto Sekine, Masaru Hori, Kenji Ishikawa
AVS71
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窒化チタンの熱サイクル原子層エッチングにおける塩化プロセスのIn-Situ表面反応解析によるメカニズム解明
平井 俊也, 篠田 和典, グエン ティ トゥイ ガー, 井上 健一, 堤 隆嘉, 石川 健治
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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Si0.7Ge0.3/Si/Si0.7Ge0.3積層構造のCF4/H2プラズマエッチングにより形成したSiナノシートの欠陥評価
尾崎 孝太朗, 今井 祐輔, 今井 友貴, 堤 隆嘉, 石川 健治, 山本 裕司, Wen Wei-Chen, 牧原 克典
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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エッチングガス解離過程の光電子－光イオンコインシデンスによる分析
トラン トラン グエン, 岩山 洋士, 林 俊雄, 井上 健一, 堤 隆嘉, 石川 健治
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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ラジカル種の深さ依存性がSiエッチング中の側壁保護に与える影響の調査
土岡 柊斗, 井上 健一, 堤 隆嘉, 関根 誠, 石川 健治
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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気相中ラジカル組成比がCFxの付着確率に及ぼす影響
来島 拓海, 堤 隆嘉, 関根 誠, 井上 健一, 石川 健治
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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プラズマエッチングによるダイヤモンドトレンチ形状の精密制御
大矢 拓人, トラン トラン グエン, グエンティ トゥイ ガー, 井上 健一, 堤 隆嘉, 石川健治2
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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電子線支援原子層エッチングにおけるフッ素化GaN 表面の反応性評価
島津 大隼, 平井 俊也, 堤 隆嘉, 関根 誠, 井上 健一, 石川 健治
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ～酸化膜のクライオエッチング～
布村 正太, 今井 祐輔, HSIAO Shih-Nan, 堤 隆嘉, 堀 勝
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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機械学習を活用した中性種スペクトルのリアルタイム解析(2)
高橋 康太朗, 安藤 悠介, 堤 隆嘉, 井上 健一, 関根 誠, 石川 健治
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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Mechanism of plasma chlorination on TiN surface during atomic layer etching using in-situ surface analysis International conference
Shunya Hirai1, Kazunori Shinoda, Thi-Thuy-Nga Nguyen, Kenichi Inoue, Takayoshi Tsutsumi, and Kenji Ishikawa
International Plasma Technology Joint Conference 2025 (IPTJC2025)
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Prediction Method of Mass Spectrum of Neutral Species Spectrum by Optical Emission Spectroscopy in Hydrocarbon Plasma Using Random Forest Regression Model International conference
Kotaro Takahashi, Yusuke Ando, Takayoshi Tsutsumi, Kenichi Inoue, Makoto Sekine and Kenji Ishikawa
International Plasma Technology Joint Conference 2025 (IPTJC2025)
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Control of Trench-Feature Profile in Plasma Etching Fabrication for Diamond Field Effect Transistors International conference
Takuto Oya, Tran Trung Nguyen, Thi-Thuy-Nga Nguyen, Kenichi Inoue, Takayoshi Tsutsumi, and Kenji Ishikawa
International Plasma Technology Joint Conference 2025 (IPTJC2025)
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Influence of radical species on sidewall protection during Si etching based on experimental and computational analysis International conference
Shuto Tsuchioka, Taito Yoshie, Tran Trung Nguyen, Thi-Thuy-Nga Nguyen, Kenichi Inoue, Takayoshi Tsutsumi, and Kenji Ishikawa
International Plasma Technology Joint Conference 2025 (IPTJC2025)
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Effect of H₂O on surface reactions in SiO₂ cryogenic etching with HF plasma International conference
Y. Imai, S.-N. Hsiao, M. Sekine, T.Tsutsumi, K. Inoue, R. Suda, Y. Iijima, Y. Kihara, M.Hori, K. Ishikawa
International Plasma Technology Joint Conference 2025 (IPTJC2025)
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In-Situ Observation of Surface Reaction and Advanced Process for Damage-Less Atomic Layer Etching International conference
Takayoshi Tsutsumi, Makoto Sekine, Masaru Hori, Kenji Ishikawa
AVS 25th International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2025)
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Fragmentation of valence electronic states of C3HF5 studied by photoelectron photoion coincidence (PEPICO) techniques International conference
Trung-Nguyen Tran, Hiroshi Iwayama, Toshio Hayashi, Ken-ichi Inoue, Takayoshi Tsutsumi, and Kenji Ishikawa1
26th International Symposium on Plasma Chemistry
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Estimation of HF gas temperature in low temperature plasma using infrared absorption spectroscopy International conference
Yusuke Imai, Takayoshi Tsutsumi, Kenichi Inoue, Shih-Nan Hsiao, Makoto Sekine, Kenji Ishikawa
26th International Symposium on Plasma Chemistry