講演・口頭発表等 - 黒澤 昌志
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Ge1−xSnx細線の偏析溶融成長：冷却速度の影響
中尾天哉, 西嶋泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 黒澤昌志
第67回応用物理学会春季学術講演会
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SbドープGe1−x−ySixSny三元混晶薄膜の熱電物性制御
中田壮哉, 詹天卓, 富田基裕, 渡邉孝信, 中塚理, 黒澤昌志
第67回応用物理学会春季学術講演会
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GaドープSi1-xSnx薄膜で観測した巨大ゼーベック熱電能の理解
佐藤啓, 洗平昌晃, 中塚理, 黒澤昌志
第67回応用物理学会春季学術講演会
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近接蒸着法によるCaSi2とCaGe2の成膜
原康祐, 瀧澤周平, 山中淳二, 黒澤昌志, 有元圭介
第67回応用物理学会春季学術講演会
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多結晶SiGe薄膜を用いた熱電変換デバイスの設計
小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, 野村政宏
第67回応用物理学会春季学術講演会
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多結晶Si1-x-yGexSny三元混晶薄膜の熱電特性制御
中塚理, 彭英, 苗蕾, 高杰, 刘呈燕, 黒澤昌志, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第25回）
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分子線エピタキシー法による Si1-xSnx 薄膜の形成
丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第25回）
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In-situ Sb Doping into Ge1−xSnx Epitaxial Layer toward Enhancement of Photoluminescence Intensity 国際会議
M. Fukuda, J. Jeon, M. Sakashita, S. Shibayama, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka
8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII)
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Crystal Growth and Characterization of Group-IV Alloy Semiconductor Heterostructures for Future Electronic Devices 国際会議
O. Nakatsuka, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita and S. Zaima
8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII)
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Improvement of thermoelectric properties of Si1-x-yGexSny thin films by ion implantation and rapid thermal annealing 国際会議
Y. Peng, L. Miao, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019)
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Theoretical Investigation of Self-organization Behavior of Si0.5Sn0.5 Nano-particles 国際会議
Y. Nagae, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019)
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Thermoelectric properties of silicon germanium wires with a composition gradient 国際会議
M. Nakata, O. Nakatsuka, M. Tomita, T. Watanabe, and M. Kurosawa
International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development Satellite (iLIM-s)
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Optoelectronic Property of GeSn and GeSiSn Heterostructure 国際会議
M. Fukuda, M. Sakashita, S. Shibayama, M. Kurosawa, S. Zaima, and O. Nakatsuka
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019)
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Growth of Hetero-epitaxial Al on Ge(111) and Segregation of Ge Crystal by Annealing 国際会議
M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki
32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2019)
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白金二窒化物薄膜の超高圧合成と物性
飯塚友規，丹羽健，黒澤昌志, 佐々木拓也，中塚理，長谷川正
第60回高圧討論会
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Preparation of Ge1-xSnx-based Uni-leg Thermoelectric Generator 国際会議
M. Kurosawa, M. Tomita, and T. Watanabe
The 4th International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-4)
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Power-conscious Energy Harvester Based on Si-CMOS Technology 国際会議
T. Watanabe, M. Tomita, Z. Tianzhuo, and M. Kurosawa
The 4th International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-4)
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Temperature dependence of thermoelectric properties of Ge1−xSnx layers grown by molecular beam epitaxy 国際会議
M. Kurosawa, M. Nakata, K. Ide, T. Katase, and T. Kamiya
The 4th International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-4)
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高濃度SbドープによるGe1-xSnxのフォトルミネッセンス発光強度の増大
福田雅大, 全智禧, 坂下満男, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理
第80回応用物理学会秋季学術講演会
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イオン注入法を用いた面内組成傾斜n型Si1-xGex細線の形成
中田壮哉, 西嶋大樹, 清水智, 角田功, 富田基裕, 渡邊孝信, 中塚理, 黒澤昌志
第80回応用物理学会秋季学術講演会