講演・口頭発表等 - 黒澤 昌志
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溶融SiGeの偏析成長による濃度傾斜型SGOI構造の形成
松村亮，東條友樹，横山裕之，黒澤昌志，佐道泰造，宮尾正信
2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会
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溶融GOI層の非直線成長とひずみ発生
加藤立奨，黒澤昌志，横山裕之，東條友樹，佐道泰造，宮尾正信
2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会
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SiGeミキシング誘起溶融成長法による網目状GOI層のコヒーレント成長
東條友樹，横山裕之，加藤立奨，黒澤昌志，都甲薫，佐道泰造，宮尾正信
2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会
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Low temperature (~250oC) Layer Exchange Crystallization of Si1-xGex (x=0-1) on insulator for Advanced Flexible Devices 国際会議
J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)
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Single-crystalline (110)-oriented Ge strips on insulating substrates by SiGe-mixing triggered rapid-melting-growth from artificial Si-micro-seeds 国際会議
M. Kurosawa, N. Kawabata, R. Kato, T. Sadoh, and M. Miyao
7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)
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Enhancement of SiN-Induced Compressive and Tensile Strains in Si-Pillars by Modulation of SiN Network Structures 国際会議
T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, M. Miyao
7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)
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Low temperature (~250oC) crystallization of poly-SiGe films by gold-induced layer-exchange technique for flexible electronics 国際会議
J.-H. Park, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh
2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2011)
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Low-temperature formation of (111)Si1-xGex (0<x<1) on insulator by Al-induced crystallization 国際会議
M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2011)
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Au-catalyst induced low temperature (~250C) layer exchange crystallization for SiGe on insulator 国際会議
J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
219th Electrochemical Society (ECS) Meeting
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Lateral-liquid phase epitaxy of (101) Ge-on-insulator from Si template by metal-induced crystallization 国際会議
M. Kurosawa, N. Kawabata, R. Kato, T. Sadoh, and M. Miyao
219th Electrochemical Society (ECS) Meeting
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AIC初期過程におけるSi0.5Ge0.5薄膜の微細構造解析
犬塚純平，光原昌寿，板倉賢，西田稔，黒澤昌志，佐道泰造，宮尾正信
2011年（平成23年）春季 第58回応用物理学関係連合講演会
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偏光ラマン分光法によるIV族半導体のひずみ評価〜1軸・2軸ひずみの分離とその応用〜
黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
2011年（平成23年）春季 第58回応用物理学関係連合講演会
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SiGeミキシング誘起溶融成長法とMILC法の重畳による人工単結晶GOI(110)の創製
黒澤昌志, 川畑直之, 加藤立奨, 佐道泰造, 宮尾正信
2011年（平成23年）春季 第58回応用物理学関係連合講演会
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SiGeミキシング誘起溶融成長法で形成したGOI細線のひずみ評価
加藤立奨, 黒澤昌志, 都甲薫, 佐道泰造, 宮尾正信
2011年（平成23年）春季 第58回応用物理学関係連合講演会
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金属誘起反応を用いたSi1-xGex/絶縁膜(x:0～1)の低温結晶成長
佐道泰造, 黒澤昌志, 川畑直之, パク・ジョンヒョク, 都甲薫, 宮尾正信
2011年（平成23年）春季 第58回応用物理学関係連合講演会
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エキシマレーザアニールによるSiN誘起ローカル歪みの増強
佐道泰造, 黒澤昌志, 部家彰, 松尾直人, 宮尾正信
2011年（平成23年）春季 第58回応用物理学関係連合講演会
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次世代フレキシブルデバイスの為の多結晶Si1-xGex(x=0-1)/絶縁膜の極低温層交換成長(~250oC)
パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 川畑直之, 宮尾正信, 佐道泰造
2011年（平成23年）春季 第58回応用物理学関係連合講演会
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Si1-xGex (0<x<1) oriented-growth on transparent-insulating-substrates by Al-induced layer-exchange crystallization 国際会議
M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao
International Thin-Film Transistor Conference 2011 (ITC'11)
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Gold-Induced Crystallization of Si at Low-Temperature (<250C) for Flexible Electronics 国際会議
J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
International Conference on Enabling Science and Nanotechnology (ESciNano 2010)
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Al誘起結晶化初期過程におけるSiGe薄膜の微細構造解析
犬塚純平, 光原昌寿, 板倉賢, 西田稔, 池田賢一, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
平成22年度 応用物理学会九州支部学術講演会