講演・口頭発表等 - 黒澤 昌志
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Crystalline and Electrical Properties of in-situ Sb-Doped Ge1-xSnx Epitaxial Layers 国際会議
J. Jeon, T. Asano, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
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Formation of GeSn layer sandwiched with strain-controlled GeSiSn layers 国際会議
M. Fukuda, T. Yamaha, T. Asano, S. Fujinami, Y. Shimura, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
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InP(001)基板上における高 Sn 組成 Si1-xSnx 層の固相エピタキシャル成長
加藤元太, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
第15回 日本表面科学会中部支部 学術講演会
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First-principles study on two-dimensional crystals of group IV element on insulating film 国際会議
M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi
23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)
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Si and Ge Ultrathin Films by Ag-Induced Layer-Exchange Growth 国際会議
M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, and S. Zaima
23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)
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絶縁膜上のIV族系二次元結晶に関する第一原理計算
洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二
2015年真空・表面科学合同講演会
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Ag誘起層交換成長法によるSi極薄膜の形成
黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明
2015年真空・表面科学合同講演会
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Control of Schottky barrier height of metal/Ge interface by SnxGe1-x interlayer 国際会議
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, S. Zaima
International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS'15)
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Silicon-tin semiconductors for near-infrared optoelectronic device applications 国際会議
M. Kurosawa, M. Kato, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS'15)
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Calculation of Si1-xSnx Energy Band Structures by using Density Functional Theory Considering Atomic Configuration 国際会議
Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS'15)
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Electrical characteristics of Ge pn-junction diodes prepared by using liquid immersion laser doping 国際会議
K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS'15)
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X-ray microdiffraction characterization of local strain distribution in GeSn/Ge nanostructures 国際会議
S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima
International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS'15)
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固相成長法による Si1-x-ySnxCy 薄膜の形成および結晶・光学物性評価
矢野翔大, 山羽隆, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 志村洋介, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会2015
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超高 Sn 組成 SnxGe1-x エピタキシャル層の形成および金属/SnxGe1-x/Geコンタクトの電気伝導特性の制御
鈴木陽洋, 中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会2015
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密度汎関数法による Si1–xSnx 価電子帯端準位の理論予測および実験的妥当性
長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会2015
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In-situ Sb ドープ Ge1-xSnx エピタキシャル層の結晶性および電気的特性
全智禧, 浅野孝典, 志村洋介, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会2015
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Crystal growth and energy band engineering of group-IV semiconductor thin films for nanoelectronic applications 国際会議
O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, Y. Shimura, M. Sakashita, and S. Zaima
International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN2015)
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Recent Progress of Silicon Tin Alloys for Advanced Semiconductor Devices 国際会議
M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN2015)
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Evaluation of energy band structure of Si1-xSnx by density functional theory calculation and photoelectron spectroscopy 国際会議
Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
2015 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (2015 IWDTF)
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Ge基板上への超高Sn組成Ge1−xSnxエピタキシャル層の形成およびGe1−xSnx界面層が金属/Geコンタクトのショットキー障壁高さに及ぼす影響
鈴木陽洋, 中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 財満鎭明
応用物理学会 結晶工学分科会主催 第4回結晶工学未来塾