講演・口頭発表等 - 黒澤 昌志
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絶縁基板上におけるIV族半導体薄膜の結晶方位制御技術：二次元物質への展開
黒澤昌志, 洗平昌晃, 伊藤公一, 大田晃生, 財満鎭明
科学技術交流財団 第３回「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」研究会
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水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnx層中Sbの高活性化
高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第22回）
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GeSiSn/GeSn/GeSiSn積層構造の形成および結晶物性の評価
福田雅大, 山羽隆, 浅野孝典, 藤浪俊介, 志村洋介, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
第16回 日本表面科学会中部支部学術講演会
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First-Principles Study on Germanene and Stanene on α-Alumina 国際会議
M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi
24th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM24)
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IV族半導体上に蒸着したAg薄膜の化学構造評価と反応制御
伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一
2016年真空・表面科学合同講演会
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Si(001)基板上に形成したn型Ge1-xSnx薄膜の熱電特性評価
岩橋泰正, 黒澤昌志, 財満鎭明
2016年真空・表面科学合同講演会
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Si(001)基板上におけるSi1-xSnx薄膜の固相エピタキシャル成長
稲石優, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
2016年真空・表面科学合同講演会
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Formation of heavily Sb doped poly-Ge1-xSnx layer using pulsed laser annealing in water 国際会議
K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
JSPS Meeting 2016 : Workshop on "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration"
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Growth of SiSn heteroepitaxial layers with very high Sn contents on InP(001) 国際会議
M. Kurosawa, M. Kato, O. Nakatsuka, and S. Zaima
JSPS Meeting 2016 : Workshop on "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration"
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Si および SiGe 上に形成した Ag 表面の化学分析
伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一
第 4 回 応用物理学会スチューデントチャプター東海地区学術講演会
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GeSiSn/GeSn/GeSiSn二重ヘテロ構造形成およびGeSiSn層の歪が結晶性へ与える影響
福田雅大, 山羽隆, 浅野孝典, 志村洋介, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
第 4 回 応用物理学会スチューデントチャプター東海地区学術講演会
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Low temperature crystallization of SiSn binary alloys 国際会議
M. Kurosawa, M. Kato, O. Nakatsuka, and S. Zaima
The 1st International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-1)
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Electronic States of two-dimensional crystals of group IV element on α-Al2O3(0001) surfaces 国際会議
M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi
13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
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Thermoelectric properties of Ge-rich GeSn films grown on insulators 国際会議
M. Kurosawa, K. Liu, M. Izawae, I. Tsunoda, and S. Zaima
PRiME 2016/230th Electrochemical Society (ECS) Meeting
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Heavy Sb-doping for poly-GeSn on insulator using pulsed laser annealing in water 国際会議
K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International Conference on Solid State Devices and Materials 2016 (SSDM2016)
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Investigation of effects of inner stress with Sn incorporation on energy band of Si1–xSnx using density functional theory and photoelectron spectroscopy 国際会議
Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
International Conference on Solid State Devices and Materials 2016 (SSDM2016)
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Challenges in Engineering Materials Properties for GeSn Nanoelectronics 国際会議
S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita
E-MRS Fall Meeting
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Si1–xSnx価電子帯端オフセットの第一原理計算
長江祐樹, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
第77回応用物理学会秋季学術講演会
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アルミナ表面上のゲルマネンおよびスタネンの電子状態
洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二
日本物理学会 2016年秋季大会
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Operation of inverter and ring oscillator of ultrathin-body poly-Ge CMOS
鎌田善己, 小池正浩, 黒澤悦男, 黒澤昌志, 太田裕之, 中塚理, 財満鎭明, 手塚勉
第77回応用物理学会秋季学術講演会