講演・口頭発表等 - 黒澤 昌志
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Large grain growth of poly-GeSn on insulator by pulsed laser annealing in water 国際会議
M. Kurosawa, N. Taoka, H. Ikenoue, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International Conference on Solid State Devices and Materials 2013 (SSDM2013)
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Reduction of Schottky Barrier Height for n-type Ge Contact by using Sn Electrode 国際会議
A. Suzuki, S. Asaba, J. Yokoi, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, K. Kato, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima
International Conference on Solid State Devices and Materials 2013 (SSDM2013)
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Sn/n型Geコンタクトにおけるショットキー障壁高さの低減
鈴木陽洋，朝羽俊介，横井淳，中塚理，黒澤昌志，坂下満男，田岡紀之，財満鎭明
第74回応用物理学会秋季学術講演会
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Sn導入による非晶質SiGe混晶薄膜の低温結晶化
山羽隆，荒平貴光，黒澤昌志，田岡紀之，中塚理，財満鎭明
第74回応用物理学会秋季学術講演会
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過飽和状態制御による多結晶Si1-xSnx/絶縁膜の大粒径成長
黒澤昌志，荒平貴光，山羽隆，田岡紀之，中塚理，財満鎭明
第74回応用物理学会秋季学術講演会
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高Sn組成Ge1-xSnxエピタキシャル層の光学特性
保崎航也，小山剛史，黒澤昌志，田岡紀之，中塚理，岸田英夫，財満鎭明
第74回応用物理学会秋季学術講演会
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GOI基板上に形成したGe1-xSnxエピタキシャル層の電気特性評価
大村拓磨，浅野孝典，黒澤昌志，田岡紀之，坂下満男，中塚理，財満鎭明
第74回応用物理学会秋季学術講演会
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Potential of GeSn and GeSiSn for Future Nanoelectronic Device Applications 国際会議
S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, and M. Sakashita
JSPS Core-to Core Program Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
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Influence of Ge Substrate Orientation on Crystalline Structures of Ge1−xSnx Epitaxial Layers 国際会議
T. Asano, S. Kidowaki, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)
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Lateral Growth Enhancement of Poly-Ge1−xSnx on SiO2 using a Eutectic Reaction 国際会議
M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima
8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)
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3-Dimensionally-Graded SiGe-on-Insulator Stacked Structures by Successive Rapid-Melting Growth 国際会議
Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko,T. Sadoh, and M. Miyao
8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)
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Formation and Characterization of Locally Strained Ge1−xSnx/Ge Microstructures 国際会議
S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima
8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)
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Coherent Lateral-Growth of Ge over Insulating Film by Rapid-Melting-Crystallization 国際会議
T. Sadoh, M. Kurosawa, K. Toko, and M. Miyao
8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)
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Dynamics Analysis of Rapid-Melting Growth using SiGe on Insulator 国際会議
R. Matsumura, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)
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Si1-xGex/絶縁膜(x:0～1)の金属触媒成長 ―成長低温化と結晶方位制御―
佐道泰造, パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 都甲薫, 宮尾正信
2013年（平成25年） 第60回応用物理学会 春季学術講演会
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SiGeミキシング誘起溶融成長法における成長速度の解析―電気的特性の横方向分布との相関―
松村亮，東條友樹，黒澤昌志，佐道泰造，宮尾正信
2013年（平成25年） 第60回応用物理学会 春季学術講演会
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水中レーザーアニール法による多結晶Ge1-xSnx薄膜の低温形成
黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 池上浩, 財満鎭明
2013年（平成25年） 第60回応用物理学会 春季学術講演会
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Ge1-x-ySixSny エピタキシャル層/n-Ge(001)ヘテロ接合の電気的特性
朝羽俊介，山羽隆，黒澤昌志，坂下満男，田岡紀之，中塚理，財満鎭明
2013年（平成25年） 第60回応用物理学会 春季学術講演会
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Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル成長に与える基板面方位効果
黒澤昌志, 木戸脇翔平，浅野孝典, 田岡紀之, 中塚理，財満鎭明
2013年（平成25年） 第60回応用物理学会 春季学術講演会
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Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル成長に与えるSn導入効果
木戸脇翔平，浅野孝典, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理，財満鎭明
2013年（平成25年） 第60回応用物理学会 春季学術講演会