講演・口頭発表等 - 黒澤　昌志

14族原子層材料の合成プロセス技術開発と物性解明への展望

黒澤昌志

第29回VBLシンポジウム「原子層材料の科学と工学」 

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開催年月日： 2025年11月

記述言語：日本語   会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

国名：日本国  

14族半導体における新たな挑戦 ― エネルギーバーベスティング応用と2次元結晶の創製

黒澤昌志

奈良先端科学技術大学 物質科学特論A(博士前期課程)／物質理工学特別講義(博士後期課程)（共同開講） 

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開催年月日： 2025年10月

記述言語：日本語   会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

国名：日本国  

Challenges in group-IV nanosheets: Toward thermoelectric applications and 2D crystal synthesis

Masashi Kurosawa

imec seminar 

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開催年月日： 2025年7月

記述言語：英語   会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

国名：日本国  

14族元素からなる二次元物質：物性解明に向けた挑戦

黒澤昌志

第２２８回総研セミナー「原子層科学の最新動向」 

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開催年月日： 2025年6月

記述言語：日本語   会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

国名：日本国  

Material, Process, and Device Technologies of GeSn/GeSiSn Heterostructures for Optoelectronic Applications 国際会議

Osamu Nakatsuka, Tatsuro Maeda, Dong Wang, Koji Sueoka, Tomo Tanaka, Yusuke Noda, Keisuke Yamamoto, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita

248th ECS Meeting 

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開催年月日： 2025年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Formation of n-Type Ge1−XSnx Epitaxial Layer on Si(111) Substrate Using Phosphorus Ion Implantation by Yoshiki Kato 国際会議

Yoshiki Kato, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

248th ECS Meeting 

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開催年月日： 2025年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Phonon-Drag-Enhanced Thermoelectric Performance in n-Type Si1-xSnx Epitaxial Layers 国際会議

Masashi Kurosawa, Tatsuki Oiwa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka

Materials Science & Technology (MS&T25) 

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開催年月日： 2025年9月 - 2025年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Si(001)基板上n型Si薄膜におけるフォノンドラッグ効果

木村優希, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒川康良, 宇佐美徳隆, 片瀬貴義, 黒澤昌志

日本セラミックス協会 第38回秋季シンポジウム 

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Cutoff Wavelength Control of GeSn HOT Infrared Detectors by Sn Concentration 国際会議

Tomo Tanaka, Hiroyuki Ishii, Rahmat Hadi Saputro, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Tatsuro Maeda

International Conference on Solid State Devices and Materials 2025 (SSDM2025) 

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Epitaxial Growth of Ultra-High Sn Composition Ge0.5Sn0.5 and Possible Formation of Ge–Sn Ordered Bonds 国際会議

Kaito Shibata, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

International Conference on Solid State Devices and Materials 2025 (SSDM2025) 

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Room temperature operation of Ge1−xSnx/Ge1−x−ySixSny resonant tunneling diode 国際会議

Shota Torimoto, Shuto Ishimoto, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama

International Conference on Solid State Devices and Materials 2025 (SSDM2025) 

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

原子層堆積法によるGeO2層形成およびGeSnの表面パッシベーション

加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第86回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Si(001)上Ge薄膜のc-Al2O3基板への転写プロセス検討

田中真裕, Wei-Chen Wen, 山本裕司, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志

第86回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

PN接合型GeSn赤外線検出器の室温動作実証

田中朋, 石井裕之, Saputro Rahmat Hadi, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理, 前田辰郎

第86回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

トポケミカル反応により形成したメチル化ゲルマナン薄膜のフォトルミネッセンス特性

中山敦稀, 中嶋海都, 洗平昌晃, 柴山茂久, 坂下満男, 佐々木拓也, 丹羽健, 長谷川正, 中塚理, 黒澤昌志

第86回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Si1−yGeyバッファ層を用いたSi1−xSnxエピタキシャル薄膜の成長と歪み制御

伊藤創生, 黒澤昌志, Wei-Chen Wen, 山本裕司, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理

第86回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

空間相関モデルを用いたGe0.5Sn0.5エピタキシャル膜の原子配列に関する考察

横川凌, 柴田海斗, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第86回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

組成均一なGe0.5Sn0.5エピタキシャル層形成と共鳴ラマン効果の観測

柴田海斗, 柴山茂久, 横川凌, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第86回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

スパッタリング法によるSi(001)基板上への高Sn組成Ge1−xSnx層のヘテロエピタキシャル成長

後藤幸作, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第86回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

スパッタリング法によるSi(111)基板上高品質エピタキシャルGe層形成

奥田太一, 大田晃生, 横川凌, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 柴山茂久

第86回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

高抵抗Si(001)基板上におけるPドープSi薄膜の固相成長

木村優希, 柴山茂久, 坂下満男, 黒川康良, 宇佐美徳隆, 中塚理, 黒澤昌志

第86回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

室温下でのGe/Si(111)基板上GeH薄膜の高速形成

中嶋海都, 中山敦稀, Wen Wei-Chen, 山本裕司, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 洗平昌晃, 黒澤昌志

第86回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

選択的H2導入を用いた分子線エピタキシーによる結晶品質改善とGeSn/GeSiSn 共鳴トンネルダイオードの室温動作実証

鳥本昇汰, 石本修斗, 加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第86回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Effect of CaAl4–Ni source preparation on CaSi2 film synthesis by close-spaced evaporation for 2D Si nanosheet formation 国際会議

Ryota Takagaki, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Masashi Kurosawa, and Kosuke O. Hara

The 7th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2025 (APAC-Silicide 2025) 

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開催年月日： 2025年7月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Hydrogen desorption from GeH nanosheets under ultrahigh vacuum ambient towards germanene synthesizing 国際会議

Masashi Kurosawa, Kazuho Matsumoto, Masaaki Araidai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka

International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC'2025) 

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開催年月日： 2025年6月 - 2025年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Achieving High Power Factor at Low Temperatures in SiSn/Si Structures 国際会議

Tatsuki Oiwa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa

41st International Conference on Thermoelectrics & 7th Asian Conference on Thermoelectrics (ICT/ACT2025) 

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開催年月日： 2025年6月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードの室温動作実証

鳥本昇汰, 石本修斗, 加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第72回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2025年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Ge0.5Sn0.5エピタキシャル成長とGe−Sn秩序結合形成の兆候

柴田海斗, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第72回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2025年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Si(001)基板上Si1−xSnxエピタキシャル成長に堆積速度が及ぼす影響

伊藤創生, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第72回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2025年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Si(111)基板上Al/Geエピタキシャル層からの偏析による極薄Ge形成

奥田太一, 大田晃生, 横川凌, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 柴山茂久

第72回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2025年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

表面偏析法による結晶化したGeSnナノシートの形成

松本泰河, 大田晃生, 横川凌, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 柴山茂久

第72回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2025年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

メチル化ゲルマナン薄膜形成時のトポケミカルメチル化反応過程

中山敦稀, 松本一歩, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志

第72回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2025年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Impact of deposition rate on spatial homogeneity of high-Sn-content Ge1-xSnx (x~0.25) epitaxial layers in sputtering method 国際会議

Shigehisa Shibayama, Taichi Kabeya, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

ISPlasma2025/IC-PLANTS2025 

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開催年月日： 2025年3月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Formation of ultra-thin GeSn layer by segregation method through Al/GeSn(111) structure 国際会議

Taiga Matsumoto, Akio Ohta, Ryo Yokogawa, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama

JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop 

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開催年月日： 2025年3月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Low-temperature thermoelectric properties of n-type Ge1−x−ySixSny thin films 国際会議

Itsuki Sugimura, Masaya Nakata, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa

JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop 

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開催年月日： 2025年3月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Phosphorus ion implantation and activation in GeSn epitaxial layers grown on Si(111) substrate 国際会議

Yoshiki Kato, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop 

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開催年月日： 2025年3月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

ALD-GeO2界面層を用いたGeSn/Ge pnダイオードの表面パッシベーション

加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚 理, 柴山茂久

第30回電子デバイス界面テクノロジー研究会 

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開催年月日： 2025年1月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

CaGe2エピタキシャル薄膜の形成とメチル化ゲルマナンへの変換

中山敦稀, 松本一歩, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志

第11回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会 

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開催年月日： 2024年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

ALD-GeO2界面層によるGeSnの表面パッシベーション

加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚 理, 柴山茂久

第11回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会 

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開催年月日： 2024年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

分子線エピタキシー法によるCaGe2薄膜形成とメチル化ゲルマナンへの変換

中山敦稀, 松本一歩, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志

第1回 半導体結晶技術に関する産学連携ワークショップ 

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開催年月日： 2024年10月 - 2024年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

スパッタリング法を用いたSiバッファ上Si1-xSnx薄膜の結晶成長

伊藤創生, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第1回 半導体結晶技術に関する産学連携ワークショップ 

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開催年月日： 2024年10月 - 2024年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Giant thermoelectric power observed in group-IV-based films with high carrier concentrations at low temperatures 国際会議

Masashi Kurosawa, Takayoshi Katase, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka

15th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2024年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Segregation induced GeSn nanosheet formation through Al and Ge1−xSnx epitaxial layers 国際会議

Taiga Matsumoto, Akio Ohta, Ryo Yokogawa, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama

15th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2024年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Formation of methylated germanane multilayers from CaGe2 epitaxial layers on Ge(111) 国際会議

Atsuki Nakayama, Kazuho Matsumoto, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, and Masashi Kurosawa

15th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2024年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

New interests of Ge1−x−ySixSny/Ge1−xSnx heterostructures for electronic device applications 国際会議

Shigehisa Shibayama, Shuto Ishimoto, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

15th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2024年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Explorer and Development of Very-High-Sn-Content Ge1−xSnx Epitaxy for Electronic and Optoelectronic Applications 国際会議

Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita

15th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2024年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Evaluation of Band Structure of Single Crystalline Si-rich Si1-xSnx Thin Film 国際会議

H. Ishizaki, R. Yokogawa, Y. Ito, M. Kurosawa, and A. Ogura

PRiME 2024 

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開催年月日： 2024年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Recent Progress on Heteroepitaxy of Si-Sn Alloy Thin Films 国際会議

M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka

PRiME 2024 

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開催年月日： 2024年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Comprehensive study on epitaxial growth of GeSn(111) layers with high Sn content on Si(111) featuring Ge buffer layer 国際会議

S. Shibayama, S. Mori, Y. Kato, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

PRiME 2024 

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開催年月日： 2024年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

GeSiSn/GeSnヘテロ接合を用いた p型HEMTの構造設計

鳥本昇汰, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第85回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2024年9月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

分子線エピタキシー法を用いたメチル化ゲルマナン薄膜の形成

中山敦稀, 松本一歩, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志

第85回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2024年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

単結晶歪Si1-xSnxのバンド構造評価(Ⅱ)

石崎寛規, 横川凌, 箕輪卓哉, 黒澤昌志, 小椋厚志

第85回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2024年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

ALD-GeO2を用いたGeSnの表面パッシベーション

加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第85回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2024年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

高Sn組成Ge1−xSnxエピタキシャル層の結晶性に堆積速度が及ぼす影響

中塚理, 壁谷汰知, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志

第85回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2024年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

GeSiSn/GeSn二重障壁構造のエピタキシャル成長におけるH2導入効果

柴山茂久, 石本修斗, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第85回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2024年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

最先端集積回路における金属/IV族半導体界面物性制御の課題と展開

中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志

第85回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2024年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

偏析GeSn極薄結晶の形成に向けたGe1−xSnxエピタキシャル膜の表面処理

松本泰河, 大田晃生, 横川凌, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 柴山茂久

第85回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2024年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

転写を用いたInP格子整合系GeSnOI MSMフォトディテクターの試作

前田辰郎, 石井裕之, 張文馨, 高木孝明, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理

第85回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2024年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Si(111)基板上CaSi2エピタキシャル薄膜の低温熱電特性

加藤高, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, Ahmad Al Ghiffari, Rifky Syariati, 石井史之, 片瀬貴義, 黒澤昌志

日本セラミックス協会 第37回秋季シンポジウム 

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開催年月日： 2024年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

イオン注入法により形成したn型4H-SiC薄膜の低温熱電特性

椙村樹, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 和田涼太, 黒井隆, 片瀬貴義, 黒澤昌志

日本セラミックス協会 第37回秋季シンポジウム 

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開催年月日： 2024年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Efficient Reverse Current Reduction of GeSn-Based pn Diodes by Surface Passivation of ALD-GeO2 and Al2O3 Stacked Structure 国際会議

Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama

International Conference on Solid State Devices and Materials 2024 (SSDM2024) 

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開催年月日： 2024年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Fabrication of planar thermoelectric generators using phosphorus-doped silicon nanocrystals/amorphous silicon composite films 国際会議

Yasuyoshi Kurokawa, Keisuke Shibata, Shinya Kato, Masashi Kurosawa, Satoru Miyamoto, Takashi Itoh, and Noritaka Usami

International Conference on Solid State Devices and Materials 2024 (SSDM2024) 

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開催年月日： 2024年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

GeSn on Insulator Metal-Semiconductor-Metal Photodetector by Layer Transfer Technique 国際会議

Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Takaaki Takagi, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka

International Conference on Solid State Devices and Materials 2024 (SSDM2024) 

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開催年月日： 2024年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Influence of hydrogen desorption temperature on interlayer distance of multilayered GeH nanosheets under ultrahigh vacuum ambient 国際会議

Kazuho Matsumoto, Masaaki Araidai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, and Masashi Kurosawa

International Conference on Solid State Devices and Materials 2024 (SSDM2024) 

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開催年月日： 2024年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Comprehensive Study on Crystal Growth of CaSi2 Layers on Si(111) Using Solid Phase Epitaxy 国際会議

Kagiri Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, and Masashi Kurosawa

International Conference on Solid State Devices and Materials 2024 (SSDM2024) 

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開催年月日： 2024年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

近接蒸着法により作製したCaSi2薄膜の低温塩酸処理による表面形状変化

高垣僚太, 有元圭介, 山中淳二, 黒澤昌志, 原康祐

第21回シリサイド系半導体・夏の学校 

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開催年月日： 2024年7月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

粉末シリカンの電気的特性の評価

上田光秀, 大西康介, 市川智揮, 山田繁, 伊藤貴司, 黒澤昌志

第21回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第4回日本太陽光発電学会学術講演会） 

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開催年月日： 2024年7月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Planar-type SiGe thermoelectric generator with double cavity structure 国際会議

S. Koike, R. Yanagisawa, L. Jalabert, R. Anufriev, M. Kurosawa, T. Mori, and M. Nomura

Third Asian Conference on Thermal Sciences (ACTS 2024) 

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開催年月日： 2024年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

高キャリア濃度14族薄膜で生じる巨大フォノンドラッグ効果

黒澤昌志

研究会「熱電材料研究の最前線と新展開」 

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開催年月日： 2024年4月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

GaAs基板に形成したSbドープGe1-x-ySixSny薄膜の低温熱電物性

椙村樹, 中田壮哉, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志

第71回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

高抵抗Si(111)基板上へのCaSi2薄膜形成と低温熱電物性評価

加藤高, 柴山茂久, 坂下満男 , 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志

第71回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Pドープ/Bドープナノ結晶Si/アモルファスSi複合薄膜の熱電デバイス応用

柴田啓介, 加藤慎也, 黒澤昌志, 後藤和泰, 宮本聡, 伊藤孝至, 宇佐美徳隆, 黒川康良

第71回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

ダブルキャビティ構造を有するSiGe平面型熱電素子

小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, 森孝雄, 野村政宏

第71回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

GeSiSn/GeSn二重障壁構造で観測した負性微分抵抗と動作特性解析

柴山茂久, 石本修斗, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第71回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

In-situ Sbドーピングによるn型Ge0.75Sn0.25エピタキシャル層の形成

柴山茂久, 高木孝明, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第71回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

真空中加熱によるGe(111)基板上GeH薄膜の層間距離変化

松本一歩, 洗平昌晃, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志

第71回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

GeSn/GeSiSn二重障壁構造における負性微分抵抗の発現

石本修斗, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 

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開催年月日： 2024年2月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Al/GeSn(111)構造上への熱処理による極薄・高Sn組成GeSn表面偏析

柴山茂久, 松本泰河, 大田晃生, 横川凌, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 

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開催年月日： 2024年2月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

In-situ SbドーピングによるInP上n型Ge0.75Sn0.25エピタキシャル膜の形成

柴山茂久, 高木孝明, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 

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開催年月日： 2024年2月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

A new challenge in group-IV materials: energy harvesting application & 2D crystal synthesizing 国際会議

M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Thermoelectric properties of Sb-doped Ge1-x-ySixSny ternary alloy layers lattice matched to GaAs substrates 国際会議

I. Sugimura, M. Nakata, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, T. Katase, and M. Kurosawa

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Electrical activation of implanted phosphorus in GeSn epitaxial layers grown on Si(111) substrate 国際会議

Y. Kato, M. Fukuda, S. Shibayama, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Thermoelectric properties of P-doped and B-doped polycrystalline silicon thin films 国際会議

K. Shibata, S. Kato, M. Kurosawa, K. Gotoh, S. Miyamoto, T. Itoh, N. Usami, and Y. Kurokawa

2023 MRS Fall Meeting & Exhibit 

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開催年月日： 2023年11月 - 2023年12月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Crystal Growth Technology of GeSn-related Group-IV Heteroepitaxial Layers 国際会議

O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita

3rd Nucleation and Growth Research Conference 

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層へのPイオン注入と活性化

加藤芳規, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会 

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Al/GeSn(111)構造からの偏析を用いた極薄・高Sn組成GeSnの形成

松本泰河, 大田晃生, 横川凌, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会 

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードにおける負性微分抵抗の観測

石本修斗, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会 

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

スパッタリング法によるInP基板上へのエピタキシャルGe0.75Sn0.25形成

壁谷汰知, 柴山茂久, 高木孝明, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会 

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

粉末シリカンとゲルマナンの電気的特性評価

大西康介, 上田光秀, 山田繁, 伊藤貴司, 黒澤昌志

第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会 

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

First-principles study on two-dimensional materials of silicon/germanium

M. Araidai, M. Itoh, D. Ishihara, M. Kurosawa, A. Ohta, A. Yamakage, and K. Shiraishi

2023年日本表面真空学会学術講演会 

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開催年月日： 2023年10月 - 2023年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Sputtering heteroepitaxy of Ge0.75Sn0.25 layer on InP(001) substrate 国際会議

T. Kabeya, S. Shibayama, K. Takagi, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (2023 IWDTF) 

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開催年月日： 2023年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Epitaxial Growth Technique for Si1-xSnx Binary Alloy Thin Films 国際会議

M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka

244th ECS Meeting 

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開催年月日： 2023年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

近接蒸着法により成膜したCaSi2のSiHへの変換

高垣僚太, 有元圭介, 山中淳二, 黒澤昌志, 原康祐

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

SiGe薄膜におけるナノ構造作製の熱電性能に与える影響

小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, Jha Rajveer, 辻井直人, 森孝雄, 野村政宏

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Pドープ/Bドープ poly-Si薄膜の熱電特性評価

柴田啓介, 加藤慎也, 黒澤昌志, 後藤和泰, 宮本聡, 伊藤孝至, 宇佐美徳隆, 黒川康良

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

PL法及びXPSによる単結晶Si1-xSnxのバンド構造評価

石崎寛規, 横川凌, 伊藤佑太, 大岩樹, 黒澤昌志, 小椋厚志

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Si1−xSnx薄膜で観測される巨大熱電能の電子濃度依存性

大岩樹, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Ge格子整合系SixGe1-x-ySny三元混晶とその転写

前田辰郎, 石井裕之, 張文馨, 張 師宇, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

スパッタリング法によるInP基板上のGe0.75Sn0.25エピタキシャル成長

壁谷汰知, 柴山茂久, 高木孝明, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Al/GeSn(111)エピタキシャル層構造からの偏析による極薄GeSn形成

松本泰河, 柴山茂久, 大田晃夫, 横川凌, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

イオン注入法によるn型無歪Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層の形成

加藤芳規, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Optoelectronic properties of Ge1-xSnx/high-Si-content SiyGe1-y-zSnz double quantum wells formed by low-temperature MBE growth and post deposition annealing 国際会議

S. Shibayama, S. Zhang, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

International Conference on Solid State Devices and Materials 2023 (SSDM2023) 

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Low-temperature thermoelectric power-factor enhancement of n-type Ge-rich Ge1-x-ySixSny layers 国際会議

I. Sugimura, M. Nakata, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, T. Katase, and M. Kurosawa

International Conference on Solid State Devices and Materials 2023 (SSDM2023) 

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Experimental observation of negative differential resistance in GeSn/GeSiSn double barrier structure toward resonant tunneling diode applications 国際会議

S. Ishimoto, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Shibayama

International Conference on Solid State Devices and Materials 2023 (SSDM2023) 

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Giant thermoelectric power of n-type Si1-xSnx layers grown on FZ-Si(001) substrates 国際会議

T. Oiwa, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, T. Katase, and M. Kurosawa

International Conference on Solid State Devices and Materials 2023 (SSDM2023) 

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Seed-layer driven solid phase epitaxy of amorphous Ge1-xSnx layers on Si(001) substrates toward in-plane strain control 国際会議

T. Hiraide, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka

International Conference on Solid State Devices and Materials 2023 (SSDM2023) 

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

高濃度n型ドープSi1−xSnx薄膜の低温熱電物性評価

大岩樹, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志

第7回フォノンエンジニアリング研究会 

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開催年月日： 2023年8月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Fabrication and evaluation of a planar-type uni-leg SiGe thermoelectric generator 国際会議

S. Koike, R. Yanagisawa, M. Kurosawa, R. Jha, N. Tsujii, T. Mori, and M. Nomura

The 39th Annual International Conference on Thermoelectrics (ICT 2023) 

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開催年月日： 2023年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Low-temperature Thermoelectric Properties of GeSn Alloys Films 国際会議

M. Kurosawa, T. Katase, Y. Imai, M. Nakata, M. Kimura, T. Kamiya, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka

The Joint ISDTM/ICSI conference 2023 

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開催年月日： 2023年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

The layer transfer of Ge-lattice-matched SiGeSn epitaxial structures 国際会議

T. Maeda, W. H. Chang, H. Ishii, S. Zhang, S. Shibayama, M. Kurosawa, O. Nakatsuka

The Joint ISDTM/ICSI conference 2023 

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開催年月日： 2023年5月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Heteroepitaxial Growth of High Substitutional Sn-content Ge1-xSnx Layer Lattice-matched on InP Substrate 国際会議

O. Nakatsuka, K. Takagi, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita

The Joint ISDTM/ICSI conference 2023 

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開催年月日： 2023年5月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Determining the Superiority of Cavity-Free Thermoelectric Generators Composed of GeSn and Si Wires 国際会議

M. M. H. Mahfuz, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe

The Joint ISDTM/ICSI conference 2023 

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開催年月日： 2023年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Epitaxy and heterostructure of germanium tin-related group-IV alloy semiconductors for future electronic and optoelectronic applications 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, S. Shibayama, and M. Sakashita

2023 International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors 

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開催年月日： 2023年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードの室温動作に向けた構造設計

石本修斗, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第70回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

固相成長法による Si(001)基板上の伸長歪み Ge1-xSnx薄膜の形成

平出達磨, 大岩樹, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志

第70回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

高Sn組成Ge1-xSnx(111)エピタキシャル薄膜の高品質形成

森俊輔, 柴山茂久, 加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第70回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

半絶縁性基板上Ge1-xSnx薄膜の低温熱電物性

今井志明, 中田壮哉, 木村公俊, 片瀬貴義, 神谷利夫, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志

第70回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

高濃度n型ドープSi1-xSnx薄膜で観測された巨大熱電能

大岩樹, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志

第70回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Potential of Silicon-Germanium-Tin Thin Films for Future Thermoelectric Device Applications 国際会議

M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka

ISPlasma2023/IC-PLANTS2023 

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Investigating the superiority of the cavity-free architectural GeSn and Si wires-based thermoelectric generators

M. M. H. Mahfuz, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe

第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 

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開催年月日： 2023年2月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Arising ferroelectric properties in ZrO2 thin films down to 4 nm 国際会議

S. Ikeguchi, J. Nagano, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Shibayama

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Development of accurate characterization technique of electrical properties in Ge1-xSnx-based group-IV epitaxial layers 国際会議

T. Mori, S. Shibayama, K. Nishizawa, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Crystalline and electrical properties of Ge1-x-ySixSny epitaxial layers - Effect of Si incorporation and H2 irradiation - 国際会議

K. Nishizawa, S. Shibayama, T. Mori, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Heteroepitaxy of Ge1-xSnx with a high Sn content over 25% on InP(001) toward group-IV infrared detector 国際会議

K. Takagi, S. Shibayama, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

Challenge and new opportunity of Ge1−x−ySixSny/Ge1−xSnx heterostructures for optoelectronic and electronic device applications 国際会議

S. Shibayama, S. Zhang, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Epitaxial Germanide/Germanium Contact: Its Impact on Schottky Barrier Height 国際会議

O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, and M. Kurosawa

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

EXAFSによるZrO2薄膜の強誘電性発現機構の理解

池口祥太, 永野丞太郎, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

11th NUSR Symposium, 名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム(2022) 

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Ge1-xSnx系IV族半導体混晶エピタキシャル層の電気的欠陥密度の評価

西澤康平, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第22回 日本表面真空学会中部支部学術講演会 

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Research and Development of GeSn-related Group-IV Semiconductor Heterostructures for Optoelectronic Applications 国際会議

O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita

Symposium on Light emission and Photonics of Group IV semiconductor Nanostructures (LPGN) 

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Determination superiority of the cavity-free thermoelectric generators consisting of GeSn and Si wires 国際会議

M. M. H. Mahfuz, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe

Integrated Nanocomposites for Thermal and Kinetic Energy Harvesting (INTAKE) Seminar 2022 

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Synthesis of multilayer two-dimensional group-IV flakes and nanosheets 国際会議

M. Kurosawa, M. Itoh, Y. Ito, K. Okada, A. Ohta, M. Araidai, K. O. Hara, Y. Ando, S. Yamada, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka

33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33) 

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

14 族半導体ナノシートの結晶成⻑とデバイス応用

黒澤昌志

2022年度 東海NFRW・若手チャプタージョイントワークショップ 

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Spin Dependent Photocurrent Generation in Germanene-like Structure 国際会議

T. Nishijima, S. Kawa, Y. Ando, A. Ohta, J. Yuhara, M. Kurosawa, E. Shigematsu, R. Ohshima, and M. Shiraishi

The 67th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM 2022) 

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開催年月日： 2022年10月 - 2022年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Impact of Strain Structure in Epitaxial HfGe2/n-Ge(001) Contact on Morphology and Schottky Barrier Height 国際会議

O. Nakatsuka, K. Kasahara, S. Shibayama, M. Sakashita, and M. Kurosawa

Advanced Metallization Conference 2022 (ADMETA Plus 2022) 

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Investigation of Band Structure in Strained Single Crystalline Si1-xSnx 国際会議

K. Sahara, R. Yokogawa, Y. Shibayama, Y. Hibino, M. Kurosawa, and A. Ogura

242nd ECS Meeting 

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Preparation and thermoelectric characterization of boron-doped silicon nanocrystals/silicon oxide multilayers 国際会議

K. Shibata, S. Kato, M. Kurosawa, K. Gotoh, S. Miyamoto, N. Usami , and Y. Kurokawa

International Conference on Solid State Devices and Materials 2022 (SSDM2022) 

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Molecular beam epitaxy of Si1−xSnx layers with 10%-Sn content on Si1−yGey buffers 国際会議

K. Fujimoto, S. Shibayama, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

International Conference on Solid State Devices and Materials 2022 (SSDM2022) 

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Study on doping by ion implantation to Si1-xSnx epitaxial layers 国際会議

T. Oiwa, S. Shibayama, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

International Conference on Solid State Devices and Materials 2022 (SSDM2022) 

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Experimental Demonstration of The Cavity-Free GeSn and Si Wire Thermoelectric Generators 国際会議

M. M. H. Mahfuz, K. Katayama, Y. Ito, K. Fujimoto, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe

International Conference on Solid State Devices and Materials 2022 (SSDM2022) 

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

シリコン系マイクロ熱電発電デバイスの開発

渡邉孝信, 富田基裕, ハサン マフス, 黒澤昌志, 松木武雄, シルビア チュン, 王 海東

M&M2022 材料力学カンファレンス 

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

InP基板上の超高Sn組成Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル層の結晶性改善

高木孝明, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理

第83回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

ボロンドープしたシリコンナノ結晶/シリコン酸化膜積層構造の作製及び熱電特性評価

柴田啓介, 加藤慎也, 黒澤昌志, 後藤和泰, 宮本聡, 宇佐美徳隆, 黒川康良

第83回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

多結晶SiGe薄膜を用いた平面型熱電素子の作製と評価

小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, Jha Rajveer, 辻井直人, 森孝雄, 野村政宏

第83回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

高抵抗Si(111)基板上における多層シリカンナノシートの形成

伊藤善常, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志

第83回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

熱安定性の高いGe1–xSnx量子ドットの自己形成

橋本薫, 柴山茂久, 安坂幸師, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理

第83回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

単結晶歪Si1-xSnxのバンド構造評価

佐原敬太, 横川凌, 柴山裕貴, 日比野祐介, 黒澤昌志, 小椋厚志

第83回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Si(111)上における直接遷移Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル層の形成

森俊輔, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第83回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Sn-driven self-formation of Ge1−xSnx nanodots on insulator for multi-layered quantum dots structure 国際会議

K. Hashimoto, S. Shibayama, K. Asaka, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX) 

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Molecular beam epitaxy of CaGe2 layers on Si(111) substrate 国際会議

K. Okada, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX) 

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Investigation of electric and spin properties in germanium-based post graphene materials 国際会議

T. Nishijima, S. Kawa, Y. Ando, A. Ohta, J. Yuhara, M. Kurosawa, E. Shigematsu, R. Ohshima, and M. Shiraishi

IUMRS-ICYRAM2022 

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開催年月日： 2022年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Substrate engineering for strain-controlled high-Sn-content Ge1−xSnx epitaxy 国際会議

O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita

The 6th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2022 (APAC-Silicide 2022) 

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開催年月日： 2022年7月 - 2022年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Silicon Thermoelectric Energy Harvester Compatible with CMOS Technology 国際会議

T. Watanabe, M. Tomita, M. M. H. Mahfuz, M. Kurosawa, and T. Matsuki

2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD) 

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開催年月日： 2022年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Comparative Thermoelectric Performance Demonstration Between Cavity-free GeSn and Si Thermoelectric Generators

M. M. H. Mahfuz, K. Katayama, Y. Ito, K. Fujimoto, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe

第69回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Si1−xGexバッファ上におけるSi1−xSnx薄膜の結晶成長

藤本一彰, 黒澤昌志, 中塚理

第69回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

高抵抗Si(111)基板上におけるCaGe2薄膜の形成

岡田和也, 伊藤麻維, 中塚理, 黒澤昌志

第69回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

固相エピタキシャル成長法によるPドープSi1-xSnx薄膜の形成

大岩樹, 黒澤昌志, 中塚理

第69回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Formation of calcium disilicide films on Si(111) using molecular beam epitaxy 国際会議

Y. Ito, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa

ISPlasma2022/IC-PLANTS2022 

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開催年月日： 2022年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Demonstration of Cavity-free GeSn Thermoelectric Generator 国際会議

K. Katayama, M. M. H. Mahfuz, M. Nakata, Y. Ito, K. Fujimoto, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe

2021 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (2021 IWDTF) 

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開催年月日： 2021年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Design of a planar-type uni-leg SiGe thermoelectric generator 国際会議

S. Koike, R. Yanagisawa, M. Kurosawa, and M. Nomura

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021) 

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開催年月日： 2021年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

超⾼圧下における多結晶PtN2膜の合成と特性評価

丹⽻健, 飯塚友規, ⿊澤昌志, 中村優⽃, 岸⽥英夫, 中塚理, 佐々⽊拓也, G. N. Alexander, ⻑⾕川正

第62回高圧討論会 

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開催年月日： 2021年10月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Thermoelectric properties of tin-incorporated group-IV thin films 国際会議

M. Kurosawa and O. Nakatsuka

240th ECS Meeting 

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開催年月日： 2021年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

GaAs基板上におけるSi1−xSnx薄膜の結晶成長

藤本一彰, 黒澤昌志, 中塚理

第82回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

高抵抗基板上におけるCaGe2薄膜の作製

岡田和也, 伊藤麻衣, 中塚理, 黒澤昌志

第82回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

超高圧下で単結晶サファイア基板上に成長したPtN2膜の性状と物性

丹⽻健, 飯塚友規, ⿊澤昌志, 中村優⽃, 岸⽥英夫, 中塚理, 佐々⽊拓也, G. N. Alexander, ⻑⾕川正

日本金属学会 2021年秋期第169回講演大会 

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

SOI基板上におけるCaシリサイド層の形成

伊藤善常, 中塚理, 黒澤昌志

第82回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

透過型粉末X線回折による多層ゲルマナンの結晶構造評価

伊藤麻維, 洗平昌晃, 大田晃生, 中塚理, 黒澤昌志

第82回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

絶縁膜上におけるCaGe2の固相成長

大石遼, 中塚理, 黒澤昌志

第82回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Group-IV materials grown on insulator for advanced thin-film thermoelectric applications 国際会議

M. Kurosawa and O. Nakatsuka

International Conference on Solid State Devices and Materials 2021 (SSDM2021) 

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Solid-phase crystallization of ultra-thin amorphous Ge layers on insulators 国際会議

R. Oishi, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

International Conference on Solid State Devices and Materials 2021 (SSDM2021) 

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Hydrogen desorption from multilayer germanane flakes under an ultrahigh vacuum environment 国際会議

M. Itoh, M. Araidai, A. Ohta, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa

International Conference on Solid State Devices and Materials 2021 (SSDM2021) 

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Formation and Characterization of Ge1–x–YSixSny/Ge Hetero Junction Structures for Photovoltaic Cell Application 国際会議

O. Nakatsuka, S. Asaba, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima

239th ECS Meeting 

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開催年月日： 2021年5月 - 2021年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

多結晶SiGe薄膜を用いた平面型ユニレグ熱電デバイスの作製と評価

小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, 野村政宏

第68回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2021年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Si(001)基板上におけるSi1−xSnx薄膜のエピタキシャル成長

黒澤昌志, 丹下龍志, 中塚理

第68回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2021年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

近接蒸着法によるCaGe2成膜とゲルマナンへの変換

原康祐, 國枝慎, 山中淳二, 有元圭介, 伊藤麻維, 黒澤昌志

第68回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2021年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

SiGe薄膜熱電発電デバイス出力の膜厚依存性

小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, 野村政宏

日本機械学会 熱工学コンファレンス2020 

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開催年月日： 2020年10月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Evaluation of Strain-Shift Coefficients for SiSn by Raman Spectroscopy 国際会議

R. Yokogawa, M. Kurosawa, and A. Ogura

PRiME 2020 

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開催年月日： 2020年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductors for Energy Band Design 国際会議

O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita

PRiME 2020 

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開催年月日： 2020年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

Size effect of silicon nanocrystals on Seebeck coefficient of phosphorus-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers 国際会議

H. Kobayashi, S. Kato, M. Kurosawa, K. Gotoh, N. Usami, and Y. Kurokawa

International Conference on Solid State Devices and Materials 2020 (SSDM2020) 

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

Ge1-xSnx溶融成長時に生じる偏析現象の理解

中尾天哉, 西島泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 黒澤昌志

第81回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

多結晶SiGe薄膜を用いた平面型ユニレグ熱電デバイスの設計

小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, 野村政宏

第81回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

多層ゲルマナンフレークからの水素脱離

伊藤麻維, 洗平昌晃, 大田晃生, 中塚理, 黒澤昌志

第81回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

GaAs(001)基板上におけるGe1−x−ySixSny 薄膜のエピタキシャル成長

中田壮哉, 詹天卓, 富田基裕, 渡邉孝信, 中塚理, 黒澤昌志

第81回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

絶縁膜上における極薄Ge薄膜の固相成長

大石遼, 黒澤昌志, 中塚理

第81回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

UVラマン分光法による単結晶Si1-xSnxの歪換算係数導出

横川凌, 丹下龍志, 黒澤昌志, 小椋厚志

第67回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2020年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

近接蒸着法によるCaSi2とCaGe2の成膜

原康祐, 瀧澤周平, 山中淳二, 黒澤昌志, 有元圭介

第67回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2020年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

多結晶SiGe薄膜を用いた熱電変換デバイスの設計

小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, 野村政宏

第67回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2020年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

GaドープSi1-xSnx薄膜で観測した巨大ゼーベック熱電能の理解

佐藤啓, 洗平昌晃, 中塚理, 黒澤昌志

第67回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2020年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

絶縁膜上における極薄Ge1−xSnx薄膜の固相成長

大石遼, 中塚理, 黒澤昌志

第67回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2020年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Ge1−xSnx細線の偏析溶融成長：冷却速度の影響

中尾天哉, 西嶋泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 黒澤昌志

第67回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2020年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

SbドープGe1−x−ySixSny三元混晶薄膜の熱電物性制御

中田壮哉, 詹天卓, 富田基裕, 渡邉孝信, 中塚理, 黒澤昌志

第67回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2020年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

多結晶Si1-x-yGexSny三元混晶薄膜の熱電特性制御

中塚理, 彭英, 苗蕾, 高杰, 刘呈燕, 黒澤昌志, 財満鎭明

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第25回） 

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開催年月日： 2020年1月 - 2020年2月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

分子線エピタキシー法による Si1-xSnx 薄膜の形成

丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第25回） 

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開催年月日： 2020年1月 - 2020年2月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

In-situ Sb Doping into Ge1−xSnx Epitaxial Layer toward Enhancement of Photoluminescence Intensity 国際会議

M. Fukuda, J. Jeon, M. Sakashita, S. Shibayama, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) 

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開催年月日： 2019年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Crystal Growth and Characterization of Group-IV Alloy Semiconductor Heterostructures for Future Electronic Devices 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita and S. Zaima

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) 

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開催年月日： 2019年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Improvement of thermoelectric properties of Si1-x-yGexSny thin films by ion implantation and rapid thermal annealing 国際会議

Y. Peng, L. Miao, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

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開催年月日： 2019年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Theoretical Investigation of Self-organization Behavior of Si0.5Sn0.5 Nano-particles 国際会議

Y. Nagae, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

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開催年月日： 2019年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Thermoelectric properties of silicon germanium wires with a composition gradient 国際会議

M. Nakata, O. Nakatsuka, M. Tomita, T. Watanabe, and M. Kurosawa

International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development Satellite (iLIM-s) 

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開催年月日： 2019年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Optoelectronic Property of GeSn and GeSiSn Heterostructure 国際会議

M. Fukuda, M. Sakashita, S. Shibayama, M. Kurosawa, S. Zaima, and O. Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

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開催年月日： 2019年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Growth of Hetero-epitaxial Al on Ge(111) and Segregation of Ge Crystal by Annealing 国際会議

M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki

32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2019) 

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開催年月日： 2019年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

白金二窒化物薄膜の超高圧合成と物性

飯塚友規，丹羽健，黒澤昌志, 佐々木拓也，中塚理，長谷川正

第60回高圧討論会 

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開催年月日： 2019年10月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Preparation of Ge1-xSnx-based Uni-leg Thermoelectric Generator 国際会議

M. Kurosawa, M. Tomita, and T. Watanabe

The 4th International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-4) 

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開催年月日： 2019年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Power-conscious Energy Harvester Based on Si-CMOS Technology 国際会議

T. Watanabe, M. Tomita, Z. Tianzhuo, and M. Kurosawa

The 4th International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-4) 

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開催年月日： 2019年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Temperature dependence of thermoelectric properties of Ge1−xSnx layers grown by molecular beam epitaxy 国際会議

M. Kurosawa, M. Nakata, K. Ide, T. Katase, and T. Kamiya

The 4th International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-4) 

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開催年月日： 2019年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

高濃度SbドープによるGe1-xSnxのフォトルミネッセンス発光強度の増大

福田雅大, 全智禧, 坂下満男, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理

第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

イオン注入法を用いた面内組成傾斜n型Si1-xGex細線の形成

中田壮哉, 西嶋大樹, 清水智, 角田功, 富田基裕, 渡邊孝信, 中塚理, 黒澤昌志

第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

偏析溶融成長法により形成した絶縁膜上Ge1-xSnx細線の電気特性評価

中尾天哉, 西嶋泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 黒澤昌志

第80回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Evaluation of Anisotropic Stress for Laterally Graded Silicon Germanium Wires by Raman Spectroscopy 国際会議

R. Yokogawa, K. Takahashi, M. Kurosawa, M. Tomita, T. Watanabe, and A. Ogura

18th Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVII) 

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：ドイツ連邦共和国  

Influence of Dopant on Thermoelectric Properties of Si-rich Poly-Si1-xSnx Layers Grown on Insulators 国際会議

K. Sato, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa

International Conference on Solid State Devices and Materials 2019 (SSDM2019) 

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

First-Principles Study on Formation of Freestanding Silicene and Germanene 国際会議

M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi

International Conference on Solid State Devices and Materials 2019 (SSDM2019) 

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Preparation and thermoelectric characterization of phosphorus-doped silicon nanocrystals/silicon oxide multilayers 国際会議

H. Kobayashi, R. Akaishi, S. Kato, M. Kurosawa, N. Usami, and Y. Kurokawa

International Conference on Solid State Devices and Materials 2019 (SSDM2019) 

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Growth of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface 国際会議

M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki

International Conference on Solid State Devices and Materials 2019 (SSDM2019) 

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Germanene epitaxial growth by a segregation method on Ag(111) thin films 国際会議

J. Yuhara, H. Shimazu, K. Ito, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, M. Nakatake, and G. Le Lay

From the NanoWorld to StarDust (NW2SD) International Conference 

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開催年月日： 2019年7月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：フランス共和国  

GeSn and GeSiSn Heterostructures for Optoelectronic Applications 国際会議

O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and S. Zaima

2019 IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series 

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開催年月日： 2019年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：アメリカ合衆国  

組成傾斜シリコンゲルマニウム細線へのイオン注入ドーピング

中田壮哉, 西嶋大樹, 清水智, 角田功, 富田基裕, 渡邊孝信, 中塚理, 黒澤昌志

第3回応用物理学会フォノンエンジニアリング研究会 

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開催年月日： 2019年7月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成

小林征登, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 田岡紀之, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一

電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会 

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開催年月日： 2019年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Development and challenges of group-IV alloy semiconductors for nanoelectronic applications 国際会議

S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Shibayama

11th International Conference on High-Performance Ceramics (CICC-11) 

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開催年月日： 2019年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：中華人民共和国  

Tin-Incorporation Effect on Thermoelectric Properties of p-type Polycrysalline Si1-xGex layers grown on SiO2 国際会議

Y. Peng, L. Miao, J. Gao, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

11th International Conference on High-Performance Ceramics (CICC-11) 

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開催年月日： 2019年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：中華人民共和国  

Semi-ballistic thermal phonon transport in Si1-xGex nanowires 国際会議

N. Okamoto, R. Yanagisawa, M. M. Alam, K. Sawano, M. Kurosawa, and M. Nomura

Compound Semiconductor Week 2019 

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開催年月日： 2019年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

架橋ゲルマネン形成に関する第一原理計算

洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

日本表面真空学会2019年度関東支部講演大会 

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開催年月日： 2019年4月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

急速溶融成長法で作製されたSiGeワイヤの熱電特性

熊田剛大, 中村俊貴, 富田基裕, 中田壮哉, 高橋恒太, 黒澤昌志, 渡邉孝信

第66回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2019年3月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

ヘテロエピタキシャルAl/Ge(111)上に偏析した極薄Geの化学分析

小林征登, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 田岡紀之, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一

第66回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2019年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

温度と組成に依存するSi1-xGexナノワイヤ中の準弾道的熱輸送

岡本昂, 柳澤亮人, Md. Mahfuz Alam, 澤野憲太郎, 黒澤昌志, 野村政宏

第66回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2019年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

液浸ラマン分光法による組成傾斜SiGeワイヤの異方性二軸応力分布評価

横川凌, 高橋恒太, 富田基裕, 黒澤昌志, 渡邉孝信, 小椋厚志

第66回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2019年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

ノンドープ組成傾斜SiGeワイヤの微小ゼーベック係数測定

熊田剛大, 中村俊貴, 富田基裕, 中田壮哉, 高橋恒太, 黒澤昌志, 渡邉孝信

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回） 

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開催年月日： 2019年1月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

GaSb(001)基板上に形成したSi1-xSnx薄膜の結晶構造評価

丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回） 

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開催年月日： 2019年1月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および光電特性評価

福田雅大, 坂下満男, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回） 

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開催年月日： 2019年1月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

偏析法によりAg(111)表面上に創製されたゲルマネンの構造評価

志満津宏樹, 柚原淳司, 仲武昌史, 伊藤公一, 大田晃生, 洗平昌晃, 黒澤昌志, Guy Le Lay

第18回日本表面真空学会中部支部学術講演会 

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開催年月日： 2018年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Ge 2D Crystal Growth on Hetero-epitaxial Ag/Ge(111) by N2 Annealing 国際会議

A. Ohta, K. Ito, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) 

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開催年月日： 2018年12月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：アメリカ合衆国  

GeSn-related group-IV semiconductor heterostructures for electronic and optoelectronic applications 国際会議

O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima

12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2018年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

エピタキシャルAl/Ge(111)の形成と真空中熱処理による表面平坦化およびGe析出

小林征登, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 田岡紀之, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一

第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

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開催年月日： 2018年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

GaSb(001)基板上におけるSi1-xSnx薄膜の固相成長

丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

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開催年月日： 2018年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

First-Principles Study on Hydrogen Adsorption and Desorption of Silicene and Germanene 国際会議

M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi

14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

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開催年月日： 2018年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Formation and Optoelectronic Characterization of Strain-relaxed Ge1−x−ySixSny/Ge1−xSnx/Ge1−x−ySixSny Double-heterostructure 国際会議

M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

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開催年月日： 2018年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Thermoelectric Performance of Polycrystalline Si1-x-yGexSny Ternary Alloy Layer Prepared with Ion Implantation 国際会議

Y. Peng, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, J. Gao, L. Miao, and S. Zaima

14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

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開催年月日： 2018年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

次世代半導体デバイスに向けたIV族混晶薄膜の形成と物性制御

高橋恒太, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第10回半導体材料・デバイスフォーラム 

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開催年月日： 2018年10月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

First-principles study on hydrogen adsorption-desorption property and simulated STM Images of germanene

M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi

第２回 ポストグラフェン材料のデバイス開発研究会 

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開催年月日： 2018年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Why chose a diffusion method towards creation of silicene & germanene?

M. Kurosawa, A. Ohta, and M. Araidai

第２回 ポストグラフェン材料のデバイス開発研究会 

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開催年月日： 2018年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Two dimensional Ge crystal growth by annealing of Metal/Ge stack

A. Ohta, K. Ito, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

第２回 ポストグラフェン材料のデバイス開発研究会 

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開催年月日： 2018年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Composition and Strain Engineering of New Group-IV Thermoelectric Materials 国際会議

M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

AiMES 2018 Meeting 

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開催年月日： 2018年9月 - 2018年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：メキシコ合衆国  

Evaluation of Laterally Graded Silicon Germanium Wires for Thermoelectric Devices fabricated by Rapid Melting Growth 国際会議

R. Yokogawa, S. Hashimoto, K. Takahashi, S. Oba, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Watanabe, and A. Ogura

AiMES 2018 Meeting 

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開催年月日： 2018年9月 - 2018年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：メキシコ合衆国  

Formation of laterally graded SixGe1-x stripes for thermoelectric generator 国際会議

M. Nakata, K. Takahashi, T. Nishijima, S. Shimizu, I. Tsunoda, O. Nakatsuka, S. Zaima, T. Watanabe, and M. Kurosawa

The 3rd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-3) 

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

真空蒸着によるGe(111)上のAlヘテロエピタキシャル成長

小林征登, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一

第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

GaSb基板上におけるSi1-xSnx薄膜の結晶成長

丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

高Si組成歪緩和Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造の形成および光電特性評価

福田雅大, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

SiO2上に形成したGe1-xSnx多結晶薄膜の熱電特性評価

今井志明, 髙橋恒太, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志

第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

スマートウォッチを支える熱電デバイスについて考える

黒澤昌志

第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

溶融成長法によるGe1-xSnx細線の形成と電気特性評価

髙橋恒太, 今井祐太, 西嶋泰樹, 清水智, 黒澤昌志, 角田功, 中塚理, 財満鎭明

第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

熱電特性評価に向けた組成傾斜SixGe1-x細線の形成

中田壮哉, 髙橋恒太, 西嶋泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 財満鎭明, 渡邉孝信, 黒澤昌志

第79回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Ag(111)表面上に偏析したGe原子が形成する二次元構造

志満津宏樹, 柚原淳司, 仲武昌史, 伊藤公一, 大田晃生, 洗平昌晃, 黒澤昌志

日本物理学会 2018年秋季大会 

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

IV族混晶薄膜の結晶成長と熱電デバイスへの応用

黒澤昌志

第68回フロンティア材料研究所学術講演会「革新的エナジーハーベスティングに向けた創エネルギー材料とデバイスの研究開発」 

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開催年月日： 2018年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Thin film growth and characterization of group-IV alloy semiconductors for future nanoelectronic applications 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, and S. Zaima

9th International Conference on Physics and Its Applications (ICOPIA) 

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開催年月日： 2018年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：インドネシア共和国  

単結晶p型Ge0.95Sn0.05薄膜の熱電特性におけるドメインサイズの効果

今井志明, 髙橋恒太, 内田紀行, 前田辰郎, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志

第2回フォノンエンジニアリング研究グループ研究会 

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開催年月日： 2018年7月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

多結晶Ge1-xSnx薄膜熱電素子の低温形成

髙橋恒太, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志

第2回フォノンエンジニアリング研究グループ研究会 

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開催年月日： 2018年7月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Engineering optoelectronic properties of high-Sn-content GeSn, GeSiSn, and SiSn thin films 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, M. Fukuda, M. Sakashita, W. Takeuchi, and S. Zaima

IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series 2018 

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開催年月日： 2018年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：アメリカ合衆国  

GeSn-based thin film thermoelectric generators 国際会議

M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC'2018) 

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開催年月日： 2018年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：フランス共和国  

Engineering electronic properties of GeSn-related group-IV thin films for nanoelectronic applications 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima

2018 E-MRS Spring Meeting 

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開催年月日： 2018年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：フランス共和国  

Optoelectronic Characterization of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double-Heterostructure with High-Si-Content Ge1-x-ySixSny Layer 国際会議

M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima

1st Joint ISTDM/ICSI 2018 Conference 

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開催年月日： 2018年5月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：ドイツ連邦共和国  

Ultra-thin GeSn on Insulator structure through the direct bonding technique 国際会議

T. Maeda, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, M. Kurosawa, Y. Imai, O. Nakatsuka, and N. Uchida

1st Joint ISTDM/ICSI 2018 Conference 

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開催年月日： 2018年5月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：ドイツ連邦共和国  

革新的多機能センサモジュール実現に向けた新しいIV族混晶熱電物質の創製　〜ド素人が熱電の分野に飛び込んで〜

黒澤昌志

" 日本熱電学会 第23回研究会「注目の熱電プロジェクト」 

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開催年月日： 2018年5月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

ゲルマネンの水素吸脱着に関する第一原理計算

洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

日本物理学会　第73回年次大会（2018年） 

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

熱電デバイス用組成傾斜SiGeワイヤの構造評価

横川凌, 橋本修一郎, 高橋恒太, 大場俊輔, 富田基裕, 黒澤昌志, 渡邉孝信, 小椋厚志

第65回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

IV族混晶のマイクロ熱電発電デバイス応用

渡邉孝信, 橋本修一郎, 富田基裕, 黒澤昌志, 池田浩也

第65回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

熱処理によるエピタキシャルAg/Ge(111)構造の表面平坦化とGe析出量制御

伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一

第65回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造の光電特性評価

福田雅大, Denis Rainko, 坂下満男, 黒澤昌志, Dan Buca, 中塚理, 財満鎭明

第65回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

ドーパント種が水中パルスレーザアニールによるGe1-xSnx薄膜への高濃度ドーピングに及ぼす効果

髙橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第65回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Domain size effects on thermoelectric properties of p-type Ge0.95Sn0.05 layers grown on GaAs and Si substrates 国際会議

Y. Imai, K. Takahashi, N. Uchida, T. Maeda, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa

2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2018) 

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Low thermal budget fabrication of poly-Ge1-xSnx thin film thermoelectric generator 国際会議

K. Takahashi, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa

2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2018) 

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Thermoelectric Characteristics of Rapid-Melting-Grown SiGe Wires Measured by Peltier Cooling Experiment 国際会議

S. Hashimoto, K. Takahashi, S. Oba, T. Terada, M. Ogasawara, M. Tomita, M. Kurosawa, and T. Watanabe

2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2018) 

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Heavily p-type doping to Si1-xSnx layers grown on SOI substrates 国際会議

Y. Inaishi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

ISPlasma2018/IC-PLANTS2018 

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Crystal growth of GeSn-based materials and its application for thin-film thermoelectric generators 国際会議

M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

2017 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2017) 

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開催年月日： 2017年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（基調）  

国名：台湾  

Ultrathin Ge Growth on Flat Ag Surface in Hetero-Epitaxial Ag/Ge Structure by Annealing 国際会議

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

The 30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2017) 

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開催年月日： 2017年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：大韓民国  

Ultrathin Ge Growth on Ag Surface by Annealing of Hetero-Epitaxial Ag/Ge(111) 国際会議

A. Ohta, K. Ito, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8) 

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開催年月日： 2017年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Growth and Applications of Si1-xSnx Thin Films 国際会議

M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

232nd Electrochemical Society Meeting 

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開催年月日： 2017年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：アメリカ合衆国  

Characterization of Crystallinity and Energy Band Alignment of Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Heterostructure 国際会議

M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS2017) 

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開催年月日： 2017年9月 - 2017年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Crystal Growth of Ultrathin Si and Ge Layers on Ag Surfaces 国際会議

M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, and S. Zaima

The 2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-2) 

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開催年月日： 2017年9月 - 2017年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Heavy n- and p-type doping for polycrystalline Ge1-xSnx layers using pulsed laser annealing in water 国際会議

K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

The 2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-2) 

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開催年月日： 2017年9月 - 2017年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Numerical calculation of energy band offset of Si1–xSnx by density functional calculation 国際会議

Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

The 2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-2) 

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開催年月日： 2017年9月 - 2017年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Fabrication and Thermoelectric Mechanism Study of Flexible Si1-xGex Superlattice Films 国際会議

Y. Peng, L. Miao, C. Li, R. Huang, D. Urushihara, T. Asaka, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS2017) 

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開催年月日： 2017年9月 - 2017年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Growth of 2D Crystal of Group-IV Elements on Epitaxial Ag(111) 国際会議

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

International Conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017) 

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Dopants behavior in polycrystallization of heavily doped Ge1-xSnx layer using pulsed laser annealing in water 国際会議

K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017) 

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Sb-doping effect on thermal and electrical properties of Ge-rich Ge1-xSnx layers 国際会議

T. Iwahashi, M. Kurosawa, N. Uchida, Y. Ohishi, T. Maeda, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017) 

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

新しいIV族混晶熱電材料:Ge1-xSnx

黒澤昌志, 今井志明, 岩橋泰正, 高橋恒太, 中塚理, 財満鎭明

第14回日本熱電学会学術講演会 

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

混晶組成および歪制御によるGe1-xSnx/Ge1-x-ySixSnyヘテロ構造のエネルギーバンド構造制御

福田雅大, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

熱電材料応用を目指した新しい IV 族混晶(Ge1-xSnx, Si1-xSnx)の開発

黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

低温MBE法により形成したp型単結晶Ge1-xSnx薄膜の熱電特性

今井志明, 髙橋恒太, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志

第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

水中パルスレーザアニール法により形成した高濃度ドープp型/n型多結晶Ge1-xSnx薄膜の熱電特性

髙橋恒太, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志

第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

歪SOI基板上に形成したSi1-xSnx薄膜への高濃度p型ドーピング

稲石優, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

熱処理によるAg/Ge構造の表面平坦化とGe析出量制御

伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

層状化合物CaGe2を前駆体に用いたゲルマネン形成の試み

黒澤昌志, 淺枝駿冴, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明

第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

新しいIV族多元混晶薄膜の結晶成長とデバイス応用

黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

2017年真空・表面科学合同講演会 

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開催年月日： 2017年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Synthesis of p- and n-type Ge1-xSnx thin films toward new group-IV thermoelectric materials 国際会議

M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, A. Ohta, N. Uchida, Y. Ohishi, T. Maeda, O. Nakatsuka, and S. Zaima

2017 Annual International Conference on Thermoelectrics (2017ICT) 

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開催年月日： 2017年7月 - 2017年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成

伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会 

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開催年月日： 2017年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Control of lattice constant of Ge1-x-ySixSny layer for energy band engineering in Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny heterostructure 国際会議

M. Fukuda, K. Watanabe, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 

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開催年月日： 2017年5月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

Solid phase epitaxy of Si1-xSnx layers on various substrates 国際会議

M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 

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開催年月日： 2017年5月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

Formation of heavily Sb and Ga doped poly-Ge1-xSnx layers on insulator using pulsed laser annealing in water 国際会議

K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 

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開催年月日： 2017年5月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

アモルファス絶縁膜上におけるIV族二次元結晶の電子状態

洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

日本物理学会　第72回年次大会（2017年） 

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開催年月日： 2017年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

熱電素子応用を目指したn型Ge0.94Sn0.06単結晶薄膜の基礎物性評価

岩橋泰正, 黒澤昌志, 内田紀行, 大石佑治, 前田辰郎, 中塚理, 財満鎭明

第64回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2017年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnxへの高濃度ドーピング

高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第64回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2017年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

GaドープSi1-xSnx薄膜の結晶成長と電気特性評価

稲石優, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第64回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2017年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Ge上にエピタキシャル成長したAg(111)表面の平坦化および化学構造評価

伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

第64回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2017年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Geバッファ層導入によるSi(001)基板上への歪緩和Ge1-x-ySixSny層の形成

渡邉千皓, 福田雅大, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第64回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2017年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Impact of Thermal Annealing on Mophology and Chemical Bonding Features at Epitaxial Ag(111) Surface Grown on Ge(111) 国際会議

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 

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開催年月日： 2017年3月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Chemical Analysis of Epitaxial Ag(111) Surface Formed on Group-IV Semiconductor 国際会議

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

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開催年月日： 2017年2月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Solid phase crystallization of Ge0.98Sn0.02 layers on various insulating substrates 国際会議

I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

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開催年月日： 2017年2月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

絶縁膜上にあるIV族二次元結晶の電子状態解析

洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

科学技術交流財団 第３回「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」研究会 

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開催年月日： 2017年1月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

絶縁基板上におけるIV族半導体薄膜の結晶方位制御技術：二次元物質への展開

黒澤昌志, 洗平昌晃, 伊藤公一, 大田晃生, 財満鎭明

科学技術交流財団 第３回「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」研究会 

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開催年月日： 2017年1月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnx層中Sbの高活性化

高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第22回） 

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開催年月日： 2017年1月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

GeSiSn/GeSn/GeSiSn積層構造の形成および結晶物性の評価

福田雅大, 山羽隆, 浅野孝典, 藤浪俊介, 志村洋介, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第16回 日本表面科学会中部支部学術講演会 

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開催年月日： 2016年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

First-Principles Study on Germanene and Stanene on α-Alumina 国際会議

M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi

24th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM24) 

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開催年月日： 2016年12月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：アメリカ合衆国  

IV族半導体上に蒸着したAg薄膜の化学構造評価と反応制御

伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

2016年真空・表面科学合同講演会 

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開催年月日： 2016年11月 - 2016年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Si(001)基板上に形成したn型Ge1-xSnx薄膜の熱電特性評価

岩橋泰正, 黒澤昌志, 財満鎭明

2016年真空・表面科学合同講演会 

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開催年月日： 2016年11月 - 2016年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Si(001)基板上におけるSi1-xSnx薄膜の固相エピタキシャル成長

稲石優, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

2016年真空・表面科学合同講演会 

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開催年月日： 2016年11月 - 2016年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Formation of heavily Sb doped poly-Ge1-xSnx layer using pulsed laser annealing in water 国際会議

K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

JSPS Meeting 2016 : Workshop on "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration" 

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開催年月日： 2016年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：ドイツ連邦共和国  

Growth of SiSn heteroepitaxial layers with very high Sn contents on InP(001) 国際会議

M. Kurosawa, M. Kato, O. Nakatsuka, and S. Zaima

JSPS Meeting 2016 : Workshop on "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration" 

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開催年月日： 2016年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：ドイツ連邦共和国  

Si および SiGe 上に形成した Ag 表面の化学分析

伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

第 4 回 応用物理学会スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

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開催年月日： 2016年10月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

GeSiSn/GeSn/GeSiSn二重ヘテロ構造形成およびGeSiSn層の歪が結晶性へ与える影響

福田雅大, 山羽隆, 浅野孝典, 志村洋介, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第 4 回 応用物理学会スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

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開催年月日： 2016年10月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Low temperature crystallization of SiSn binary alloys 国際会議

M. Kurosawa, M. Kato, O. Nakatsuka, and S. Zaima

The 1st International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-1) 

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開催年月日： 2016年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Electronic States of two-dimensional crystals of group IV element on α-Al2O3(0001) surfaces 国際会議

M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi

13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

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開催年月日： 2016年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：イタリア共和国  

Thermoelectric properties of Ge-rich GeSn films grown on insulators 国際会議

M. Kurosawa, K. Liu, M. Izawae, I. Tsunoda, and S. Zaima

PRiME 2016/230th Electrochemical Society (ECS) Meeting 

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開催年月日： 2016年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

Heavy Sb-doping for poly-GeSn on insulator using pulsed laser annealing in water 国際会議

K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Solid State Devices and Materials 2016 (SSDM2016) 

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Investigation of effects of inner stress with Sn incorporation on energy band of Si1–xSnx using density functional theory and photoelectron spectroscopy 国際会議

Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

International Conference on Solid State Devices and Materials 2016 (SSDM2016) 

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Challenges in Engineering Materials Properties for GeSn Nanoelectronics 国際会議

S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita

E-MRS Fall Meeting 

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：ポーランド共和国  

Si1–xSnx価電子帯端オフセットの第一原理計算

長江祐樹, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

アルミナ表面上のゲルマネンおよびスタネンの電子状態

洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

日本物理学会 2016年秋季大会 

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Operation of inverter and ring oscillator of ultrathin-body poly-Ge CMOS

鎌田善己, 小池正浩, 黒澤悦男, 黒澤昌志, 太田裕之, 中塚理, 財満鎭明, 手塚勉

第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

GeSn系IV族半導体薄膜におけるSn導入の制御と効果

志村洋介, 池進一, Gencarelli Federica, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, Loo Roger, 中塚理, 財満鎭明

第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

絶縁膜上に形成したp型poly-GeSn薄膜の熱電特性評価

黒澤昌志, 劉坤, 井澤桃香, 角田功, 財満鎭明

第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

水中パルスレーザアニールを用いた多結晶GeSnへの高濃度n型ドーピング

高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Orientation Controlled Artificial Nano-crystals for Hybrid-formation of (111), (110), and (100) Ge-on-Insulator Structures 国際会議

M. Miyao, M. Kurosawa, and T. Sadoh

XIII International Conference on Nanostructured Materials (NANO 2016) 

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開催年月日： 2016年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：カナダ  

Growth and applications of GeSn-related group-IV semiconductor materials 国際会議

S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Asano, T. Yamaha, S. Ike, A. Suzuki, K. Takahashi, Y. Nagae, M. Kurosawa, W. Takeuchi, Y. Shimura, and M. Sakashita

2016 IEEE Photonics Society Summer Topicals Meeting Series 

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開催年月日： 2016年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：アメリカ合衆国  

Formation and Characterization of GeSiSn/GeSn/GeSiSn Double-Heterostructure with Strain-controlled GeSiSn layer 国際会議

M. Fukuda, T. Yamaha, T. Asano, S. Fujinami, Y. Shimura, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

8th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 

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開催年月日： 2016年6月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Interfacial Energy Controlled Low-Temperature Crystallization of Ge-rich GeSn on Insulating Substrate 国際会議

I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

8th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 

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開催年月日： 2016年6月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Development of GeSn thin film technology for electronic and optoelectronic applications 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, Y. Shimura, M. Sakashita, and S. Zaima

2016 EMN Summer Meeting 

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開催年月日： 2016年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：メキシコ合衆国  

Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価

志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会　 

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開催年月日： 2016年4月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Theoretical Studies on Electronic Structures of Silicene Ribbon and Silicene on Insulator 国際会議

K. Shiraishi, A. Hattori, S. Tanaya, M. Araidai, A. Ohta, M. Kurosawa, Y. Hatsugai, M. Sato, and Y. Tanaka

International SYMPOSIUM on Two-Dimensional Layered Materials and Art: Two Worlds Meet 

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開催年月日： 2016年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：フランス共和国  

GeSiSn/GeSn/GeSiSn二重ヘテロ構造の結晶性に対するGeSiSn層の歪の影響

福田雅大, 山羽隆, 浅野孝典, 藤浪俊介, 志村洋介, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第63回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2016年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

絶縁膜上にあるIV族系二次元結晶の電子状態解析

洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

日本物理学会 第71回年次大会（2016年） 

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開催年月日： 2016年3月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Characterization of Chemical Bonding Features of Ultrathin Ge Layer Grown by Ag-Induced Layer-Exchange Method 国際会議

A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, and S. Miyazaki

ISPlasma2016/IC-PLANTS2016 

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開催年月日： 2016年3月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Solid phase crystalization of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layers and characteriziation of its crystalline and optical properties 国際会議

S. Yano, T. Yamaha, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

ISPlasma2016/IC-PLANTS2016 

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開催年月日： 2016年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Impact of Atomic Hydrogen Irradiation on Epitaxial Growth of Ge1-xSnx and its Crystalline Property 国際会議

S. Fujinami, T. Asano, T. Koyama, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, H. Kishida, S. Zaima

ISPlasma2016/IC-PLANTS2016 

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開催年月日： 2016年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

界面エネルギー制御による絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長

吉川勲, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回） 

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開催年月日： 2016年1月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Si1–xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析

長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回） 

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開催年月日： 2016年1月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Formation of poly-Si1-x-ySnxCy ternary alloy layer and characteriziation of its crystalline and optical properties 国際会議

S. Yano, T. Yamaha, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

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開催年月日： 2016年1月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Control of Schottky barrier height at metal/Ge interface by insertion of Ge1-xSnx layer 国際会議

A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

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開催年月日： 2016年1月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Phosphorus doping into Ge with low electrical damage by liquid immersion laser doping 国際会議

K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

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開催年月日： 2016年1月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Crystalline and Electrical Properties of in-situ Sb-Doped Ge1-xSnx Epitaxial Layers 国際会議

J. Jeon, T. Asano, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

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開催年月日： 2016年1月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Formation of GeSn layer sandwiched with strain-controlled GeSiSn layers 国際会議

M. Fukuda, T. Yamaha, T. Asano, S. Fujinami, Y. Shimura, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

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開催年月日： 2016年1月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

InP(001)基板上における高 Sn 組成 Si1-xSnx 層の固相エピタキシャル成長

加藤元太, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第15回 日本表面科学会中部支部 学術講演会 

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開催年月日： 2015年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

First-principles study on two-dimensional crystals of group IV element on insulating film 国際会議

M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi

23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23) 

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開催年月日： 2015年12月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Si and Ge Ultrathin Films by Ag-Induced Layer-Exchange Growth 国際会議

M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, and S. Zaima

23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23) 

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開催年月日： 2015年12月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

絶縁膜上のIV族系二次元結晶に関する第一原理計算

洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

2015年真空・表面科学合同講演会 

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開催年月日： 2015年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Ag誘起層交換成長法によるSi極薄膜の形成

黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明

2015年真空・表面科学合同講演会 

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開催年月日： 2015年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Control of Schottky barrier height of metal/Ge interface by SnxGe1-x interlayer 国際会議

A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, S. Zaima

International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS'15) 

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開催年月日： 2015年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Silicon-tin semiconductors for near-infrared optoelectronic device applications 国際会議

M. Kurosawa, M. Kato, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS'15) 

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開催年月日： 2015年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Calculation of Si1-xSnx Energy Band Structures by using Density Functional Theory Considering Atomic Configuration 国際会議

Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS'15) 

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開催年月日： 2015年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Electrical characteristics of Ge pn-junction diodes prepared by using liquid immersion laser doping 国際会議

K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS'15) 

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開催年月日： 2015年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

X-ray microdiffraction characterization of local strain distribution in GeSn/Ge nanostructures 国際会議

S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS'15) 

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開催年月日： 2015年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

固相成長法による Si1-x-ySnxCy 薄膜の形成および結晶・光学物性評価

矢野翔大, 山羽隆, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 志村洋介, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会2015 

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開催年月日： 2015年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

超高 Sn 組成 SnxGe1-x エピタキシャル層の形成および金属/SnxGe1-x/Geコンタクトの電気伝導特性の制御

鈴木陽洋, 中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会2015 

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開催年月日： 2015年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

密度汎関数法による Si1–xSnx 価電子帯端準位の理論予測および実験的妥当性

長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会2015 

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開催年月日： 2015年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

In-situ Sb ドープ Ge1-xSnx エピタキシャル層の結晶性および電気的特性

全智禧, 浅野孝典, 志村洋介, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会2015 

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開催年月日： 2015年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Crystal growth and energy band engineering of group-IV semiconductor thin films for nanoelectronic applications 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, Y. Shimura, M. Sakashita, and S. Zaima

International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN2015) 

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開催年月日： 2015年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Recent Progress of Silicon Tin Alloys for Advanced Semiconductor Devices 国際会議

M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN2015) 

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開催年月日： 2015年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Evaluation of energy band structure of Si1-xSnx by density functional theory calculation and photoelectron spectroscopy 国際会議

Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

2015 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (2015 IWDTF)  

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開催年月日： 2015年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Ge基板上への超高Sn組成Ge1−xSnxエピタキシャル層の形成およびGe1−xSnx界面層が金属/Geコンタクトのショットキー障壁高さに及ぼす影響

鈴木陽洋, 中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 財満鎭明

応用物理学会 結晶工学分科会主催 第4回結晶工学未来塾 

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開催年月日： 2015年10月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Challenges of energy band engineering with new Sn-related group IV semiconductor materials for future integrated circuits 国際会議

S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Yamaha, T. Asano, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita

228th Electrochemical Society (ECS) Meeting 

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開催年月日： 2015年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：アメリカ合衆国  

Impact of ultra-high Sn content SnxGe1−x interlayer on reducing Schottky barrier height at metal/n-Ge interface 国際会議

A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

International Conference on Solid State Devices and Materials 2015 (SSDM2015) 

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開催年月日： 2015年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Crystal Growth of GeSn-related Group-IV Thin Films for Integrating on Si Nanoelectronics Platform 国際会議

S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Asano, T. Yamaha, Shinichi Ike, A. Suzuki, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita

International Conference on Solid State Devices and Materials 2015 (SSDM2015) 

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開催年月日： 2015年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Influence of in-situ Sb-Doping on Crystalline and Electrical Characteristics of n-type Ge1-xSnx Epitaxial Layer 国際会議

J. Jeon, T. Asano, W. Takeuchi, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Solid State Devices and Materials 2015 (SSDM2015) 

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開催年月日： 2015年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Ge1-xSnxエピタキシャル層の結晶性および電気的特性にin-situ Sbドーピングが及ぼす影響

全智禧, 浅野孝典, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2015年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Si1-xSnx薄膜の固相エピタキシャル成長に与えるSn組成の効果

加藤元太, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2015年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

GeSn多結晶膜の移動度に与える下地絶縁膜の効果

吉川勲, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2015年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ接合の形成および結晶性評価

福田雅大, 山羽隆, 浅野孝典, 藤浪俊介, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2015年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Si1-x-ySnxCy三元混晶薄膜のエピタキシャル成長および結晶性評価

山羽隆, 矢野翔太, 髙橋恒太, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2015年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

固相成長法によるSi1-x-ySnxCy多結晶薄膜の形成および結晶構造評価

矢野翔大, 山羽隆, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第76回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2015年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Reduction of Schottky barrier height with Sn/Ge contact 国際会議

A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

JSPS International Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration" 

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開催年月日： 2015年7月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：フランス共和国  

Development of polycrystalline Sn-related group-IV semiconductor thin films --Aiming for 3D-IC-- 国際会議

M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2015) 

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開催年月日： 2015年6月 - 2015年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：大韓民国  

Formation of Ge pn-junction diode by phosphorus doping with liquid immersion laser irradiation 国際会議

K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

15th International Workshop on Junction Technology (IWJT2015) 

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開催年月日： 2015年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Solid Phase Epitaxy of High Sn Content Si1-xSnx layer (x>0.2) on Ge Substrates for Optical Communication Applications 国際会議

M. Kato, Y. Nagae, M. Kurosawa, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9) 

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：カナダ  

Large Single-Crystal Ge-on-Insulator by Thermally-Assisted Si-Seeded-Pulse-Laser Annealing (≤400oC) 国際会議

T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, and M. Miyao

9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9) 

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：カナダ  

Thermophysical characterizations of Ge1-xSnx epitaxial layers aiming for thermoelectric devices 国際会議

M. Kurosawa, M. Fukuda, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9) 

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：カナダ  

高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 〜直接遷移構造化を目指して〜

黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会　 

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開催年月日： 2015年4月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

固相成長法による高SnC組成Ge1-x-ySnxCy三元混晶薄膜の形成および結晶構造評価

〇小田裕貴, 山羽隆, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第62回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2015年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

GeSn多結晶薄膜の進展 〜3D-ICを目指して〜

黒澤昌志, 池上浩, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

第62回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2015年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

熱電素子応用を目指したGeSn単結晶薄膜の熱物性評価

黒澤昌志, 福田雅大, 高橋恒太, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第62回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2015年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

積層チャネル3D-IC向け極薄Body Poly-Ge p-&n-MISFETsを用いたCMOSインバーターとリング発振器の作製および動作実証

鎌田善己, 小池正浩, 黒澤悦男, 黒澤昌志, 太田裕之, 中塚理, 財満鎭明, 手塚勉

第62回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2015年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

リン酸溶液中レーザドーピングにおけるGe基板面方位の効果

高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第62回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2015年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

GGA+U法によるSi1-xSnx材料物性の精密予測

〇長江祐樹, 黒澤昌志, 加藤元太, 柴山茂久, 中塚理, 財満鎭明

第62回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2015年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減

鈴木陽洋, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会　薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会　ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─（第20回記念研究会） 

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開催年月日： 2015年1月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Formation of strain-free Si1-x-yGexSny layers on Ge surfaces by using solid-liquid coexisting annealing 国際会議

M. Kato, M. Kurosawa, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

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開催年月日： 2015年1月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Crystal growth of Si1-xSnx alloys with high Sn contents 国際会議

M. Kurosawa, M. Kato, Y. Nagae, T. Yamaha, O. Nakatsuka, and S. Zaima

8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

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開催年月日： 2015年1月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Growth and characterization of Si1-x-ySnxCy ternary alloy thin films for solar cell application 国際会議

T. Yamaha, H. Oda, M. Kurosawa, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6) 

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開催年月日： 2014年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Growth and Characterization of Ternary Alloy Ge1-x-ySnxCy Layers 国際会議

T. Yamaha, H. Oda, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima

JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration 

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開催年月日： 2014年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：ベルギー王国  

Development of metal/Ge contacts for engineering Schottky barriers 国際会議

O. Nakatsuka, Y. Deng, A. Suzuki, S. Shibayama, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima

JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration 

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開催年月日： 2014年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：ベルギー王国  

Study of Local Strain Distribution in Ge1−xSnx/Ge Fine Structures by using Synchrotron X-ray Microdiffraction 国際会議

S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration 

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開催年月日： 2014年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：ベルギー王国  

Sn/Ge界面の結晶構造およびショットキー障壁高さのGe面方位依存性

鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会2014 

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開催年月日： 2014年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

リン酸溶液中レーザドーピングにより低温形成したGe pnダイオードの電気的特性

髙橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会2014 

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開催年月日： 2014年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

GeSnC 三元混晶薄膜の結晶成長および光学特性評価

山羽隆, 小田裕貴, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会2014 

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開催年月日： 2014年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

固相エピタキシャル成長法を用いた高Sn組成 SiSn層の形成

加藤元太, 黒澤昌志, 山羽隆, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会2014 

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開催年月日： 2014年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Low Schottky barrier height contacts with Sn electrode for various orientation n-Ge substrates 国際会議

A. Suzuki, D. Yunsheng, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Advanced Metallization Conference 2014 (ADMETA Plus 2014) 

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開催年月日： 2014年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Poly & Epitaxial Crystallization of Silicon-Tin Binary Alloys for Future Optoelectronics 国際会議

M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

16th International Conference on Thin Films (ICTF16) 

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開催年月日： 2014年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：クロアチア共和国  

Epitaxial Growth of Gesn Layers on (001), (110), and (111) Si and Ge Substrates 国際会議

O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, S. Ike, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and S. Zaima

2014 ECS (Electrochemical Society) and SMEQ (Sociedad Mexicana de Electroquímica) Joint International Meeting 

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開催年月日： 2014年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：メキシコ合衆国  

Sn/Geコンタクトにおけるショットキー障壁高さのGe面方位依存性

鈴木陽洋, 鄧云生, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Al 誘起層交換成長の物理 〜Si の面方位制御を目指して〜

黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信

第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Si1-xSnx薄膜におけるバンドギャップナローウィングの初観測

黒澤昌志, 柴山茂久, 加藤元太, 山羽隆, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

固相エピタキシャル成長法による高Sn組成(>20%)SiSn薄膜の創製

加藤元太, 黒澤昌志, 山羽隆, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

リン酸溶液中レーザドーピングによるGeダイオードの低温形成

高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第75回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Operations of CMOS Inverter and Ring Oscillator Composed of Ultra-Thin Body Poly-Ge p- and n-MISFETs for Stacked Channel 3D-IC 国際会議

Y. Kamata, M. Koike, E. Kurosawa, M. Kurosawa, H. Ota, O. Nakatsuka, S. Zaima, and T. Tezuka

International Conference on Solid State Devices and Materials 2014 (SSDM2014) 

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開催年月日： 2014年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Sub-300oC fabrication of poly-GeSn junctionless tri-gate p-FETs enabling sequential 3D integration of CMOS circuits 国際会議

M. Kurosawa, Y. Kamata, H. Ikenoue, N. Taoka, O. Nakatsuka, T. Tezuka, and S. Zaima

International Conference on Solid State Devices and Materials 2014 (SSDM2014) 

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開催年月日： 2014年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Mobility Behavior of Polycrystalline Si1-x-yGexSny Grown on Insulators 国際会議

T. Ohmura, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

15th IUMRS-International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2014) 

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開催年月日： 2014年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減

鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 中塚理, 黒澤昌志, 加藤公彦, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明

電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会　 

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開催年月日： 2014年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

絶縁膜上における IV 族半導体の低温形成　〜低融点 Sn の活用〜

黒澤昌志, 田岡紀之, 池上浩, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会　 

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開催年月日： 2014年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Epitaxial Growth and Crystalline Properties of Ge1-x-ySixSny Layers on Ge(001) Substrates 国際会議

T. Asano, T. Terashima, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014)　 

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開催年月日： 2014年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：シンガポール共和国  

Ultralow-Temperature Catalyst-Induced-Crystallization of SiGe on Plastic for Flexible Electronics 国際会議

T. Sadoh, J.-H. Park, M. Kurosawa, and M. Miyao

International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014)　 

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開催年月日： 2014年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：シンガポール共和国  

Low temperature growth of SiSn polycrystals with high Sn contents on insulating layers 国際会議

M. Kurosawa, M. Kato, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014)　 

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開催年月日： 2014年6月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：シンガポール共和国  

Impact of Sn Incorporation on Low Temperature Growth of Polycrystalline-Si1-xGex Layers on Insulators 国際会議

T. Yamaha, T. Ohmura, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014)　 

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開催年月日： 2014年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：シンガポール共和国  

Crystal Growth of Sn-related Group-IV Alloy Thin Films for Advanced Si Nanoelectronics 国際会議

S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, M. Kurosawa, T. Asano, T. Yamaha, and W. Takeuchi

International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014)　 

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開催年月日： 2014年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：シンガポール共和国  

Growth and Crystalline Properties of Ge1-x-ySnxCy Ternary Alloy Thin Films on Ge(001) Substrate 国際会議

K. Terasawa, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka,O. Nakatsuka, E. Kamiyama, R. Matsutani, R. Suwa, K. Kashima, K. Izunome, K. Sueoka, and S. Zaima

International SiGe Technology and Device Meeting 2014 (ISTDM 2014)　 

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開催年月日： 2014年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：シンガポール共和国  

Formation and Electrical Properties of Metal/Ge1-xSnx Contacts 国際会議

O. Nakatsuka, T. Nishimura, A. Suzuki, K. Kato, D. Yunsheng, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima

14th International Workshop on Junction Technology 

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開催年月日： 2014年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：中華人民共和国  

水中レーザ結晶化によるpoly-GeSnの大粒径成長とデバイス応用

黒澤昌志, 池上浩, 鎌田善己, 田岡紀之, 中塚理, 手塚勉, 財満鎭明

第61回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2014年3月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

X線マイクロ回折法による埋め込みGe1-xSnx/Ge微細構造内部の局所歪評価

池進一, 守山佳彦, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 今井康彦, 木村滋 , 手塚勉, 財満鎭明

第61回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2014年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

液相SnへのGe優先溶融を利用したSiGeSn薄膜の極低温エピタキシャル成長

加藤元太, 黒澤昌志, 山羽隆, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

第61回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2014年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Si添加によるSnドット化抑制と層交換成長への応用

黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

第61回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2014年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

固相エピタキシー法により形成したGe1-x-ySnxCy三元混晶薄膜の結晶構造

小田裕貴, 山羽隆, 寺澤謙吾, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

第61回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2014年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

高C組成Ge1-x-ySnxCy薄膜の結晶成長および結晶性評価

山羽隆, 寺澤謙吾, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

第61回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2014年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Substrate Orientation Dependence of Crystalline Structures of Epitaxial GeSn Layers 国際会議

T. Asano, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

7th International WorkShop on New Group IVSemiconductor Nanoelectronics  

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開催年月日： 2014年1月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Sn-assisted low temperature crystallization of polycrystalline Ge1-xSnx thin-films on insulating surfaces 国際会議

M. Kurosawa, T. Yamaha, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, H. Ikenoue, and S. Zaima

7th International WorkShop on New Group IVSemiconductor Nanoelectronics  

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開催年月日： 2014年1月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Si(110)上Ge1-xSnxエピタキシャル薄膜の成長機構および転位構造

木戸脇翔平，浅野孝典, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理，財満鎭明

第13回 日本表面科学会中部支部 学術講演会 

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開催年月日： 2013年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

低温固相成長GeへのSn導入による正孔移動度の向上

竹内和歌奈, 田岡紀之, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第13回 日本表面科学会中部支部 学術講演会 

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開催年月日： 2013年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

高輝度放射光X線マイクロ回折法によるGe1−xSnx/Ge微細構造内部の局所歪評価

池進一, 守山佳彦, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 今井康彦, 木村滋, 手塚勉, 財満鎭明

第13回 日本表面科学会中部支部 学術講演会 

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開催年月日： 2013年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Sn-related Group-IV Semiconductor Materials for Electronic and Optoelectronic Applications 国際会議

O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima

The 3rd International Conference on Nanoteck & Expo 

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開催年月日： 2013年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：アメリカ合衆国  

非晶質SiGe混晶薄膜の結晶化に対するSn導入効果

山羽隆, 黒澤昌志, 荒平貴光, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 

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開催年月日： 2013年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Ge1-xSnx エピタキシャル層の結晶性が発光特性に及ぼす影響

保崎航也，小山剛史，黒澤昌志，田岡紀之，中塚理，岸田英夫，財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 

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開催年月日： 2013年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Ge1-x-ySixSny/n-Ge(001)低欠陥ヘテロ接合形成と電気的特性

朝羽俊介, 山羽隆, 寺島辰也, 黒澤昌志, 坂下満男, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 

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開催年月日： 2013年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Sn/n型Ge接合界面におけるフェルミレベルピニング変調

鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 加藤公彦, 黒澤昌志, 坂下満男, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 

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開催年月日： 2013年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Ge1-x-ySnxCy 混晶薄膜のエピタキシャル成長および結晶構造評価

寺澤謙吾, 山羽隆, 小田裕貴, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 

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開催年月日： 2013年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

GeSiSn/n-Ge(001)ヘテロ接合型太陽電池の作製および光電特性評価

朝羽俊介, 山羽隆, 寺島辰也, 黒澤昌志, 坂下満男, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

第5回薄膜太陽電池セミナー2013 

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開催年月日： 2013年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

多接合型太陽電池応用に向けたGe1-x-ySnxCy三元混晶薄膜の結晶成長

寺澤謙吾, 山羽隆, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

第5回薄膜太陽電池セミナー2013 

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開催年月日： 2013年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Ge1-x-ySnxCy三元混晶薄膜の結晶成長および結晶構造評価

寺澤謙吾, 山羽隆, 小田裕貴, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

2013年応用物理学会結晶工学分科会 第2回結晶工学未来塾 

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開催年月日： 2013年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Ge(001)基板上に成長した Ge1-xSnx エピタキシャル層の結晶構造および光学特性

保崎航也，小山剛史，黒澤昌志，田岡紀之，中塚理，岸田英夫，財満鎭明

2013年応用物理学会結晶工学分科会 第2回結晶工学未来塾 

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開催年月日： 2013年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Characterization of Local Strain Structures in Heteroepitaxial Ge1−xSnx/Ge Microstructures by using Microdiffraction Method 国際会議

S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

224th Electrochemical Society (ECS) Meeting　 

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開催年月日： 2013年10月 - 2013年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials on Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic Applications: Challenges and Opportunitiesi 国際会議

O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima

224th Electrochemical Society (ECS) Meeting　 

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開催年月日： 2013年10月 - 2013年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

Low-Temperature Metal-Induced Crystallization of Orientation-Controlled SiGe on Insulator for Flexible Electronics 国際会議

T. Sadoh, J.-H. Park, M. Kurosawa, and M. Miyao

224th Electrochemical Society (ECS) Meeting　 

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開催年月日： 2013年10月 - 2013年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

Engineering of Energy Band Structure with Epitaxial Ge1-x- ySixSny/n-Ge Hetero Junctions for Solar Cell Applications 国際会議

S. Asaba, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Solid State Devices and Materials 2013 (SSDM2013) 

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Hybrid-Formation of Single- Crystalline Ge(Si, Sn)-on- Insulator Structures by Self- Organized Melting-Growth 国際会議

M. Miyao, R. Matsumura, M. Kurosawa, K. Toko, and T. Sadoh

International Conference on Solid State Devices and Materials 2013 (SSDM2013) 

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Large grain growth of poly-GeSn on insulator by pulsed laser annealing in water 国際会議

M. Kurosawa, N. Taoka, H. Ikenoue, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Solid State Devices and Materials 2013 (SSDM2013) 

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Reduction of Schottky Barrier Height for n-type Ge Contact by using Sn Electrode 国際会議

A. Suzuki, S. Asaba, J. Yokoi, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, K. Kato, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima

International Conference on Solid State Devices and Materials 2013 (SSDM2013) 

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Sn/n型Geコンタクトにおけるショットキー障壁高さの低減

鈴木陽洋，朝羽俊介，横井淳，中塚理，黒澤昌志，坂下満男，田岡紀之，財満鎭明

第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Sn導入による非晶質SiGe混晶薄膜の低温結晶化

山羽隆，荒平貴光，黒澤昌志，田岡紀之，中塚理，財満鎭明

第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

過飽和状態制御による多結晶Si1-xSnx/絶縁膜の大粒径成長

黒澤昌志，荒平貴光，山羽隆，田岡紀之，中塚理，財満鎭明

第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

高Sn組成Ge1-xSnxエピタキシャル層の光学特性

保崎航也，小山剛史，黒澤昌志，田岡紀之，中塚理，岸田英夫，財満鎭明

第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

GOI基板上に形成したGe1-xSnxエピタキシャル層の電気特性評価

大村拓磨，浅野孝典，黒澤昌志，田岡紀之，坂下満男，中塚理，財満鎭明

第74回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Potential of GeSn and GeSiSn for Future Nanoelectronic Device Applications 国際会議

S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, and M. Sakashita

JSPS Core-to Core Program Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Influence of Ge Substrate Orientation on Crystalline Structures of Ge1−xSnx Epitaxial Layers 国際会議

T. Asano, S. Kidowaki, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)　 

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Lateral Growth Enhancement of Poly-Ge1−xSnx on SiO2 using a Eutectic Reaction 国際会議

M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima

8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)　 

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

3-Dimensionally-Graded SiGe-on-Insulator Stacked Structures by Successive Rapid-Melting Growth 国際会議

Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko,T. Sadoh, and M. Miyao

8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)　 

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Formation and Characterization of Locally Strained Ge1−xSnx/Ge Microstructures 国際会議

S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)　 

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Coherent Lateral-Growth of Ge over Insulating Film by Rapid-Melting-Crystallization 国際会議

T. Sadoh, M. Kurosawa, K. Toko, and M. Miyao

8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)　 

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Dynamics Analysis of Rapid-Melting Growth using SiGe on Insulator 国際会議

R. Matsumura, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)　 

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Si1-xGex/絶縁膜(x:0～1)の金属触媒成長 ―成長低温化と結晶方位制御―

佐道泰造, パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 都甲薫, 宮尾正信

2013年（平成25年） 第60回応用物理学会 春季学術講演会　 

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開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

SiGeミキシング誘起溶融成長法における成長速度の解析―電気的特性の横方向分布との相関―

松村亮，東條友樹，黒澤昌志，佐道泰造，宮尾正信

2013年（平成25年） 第60回応用物理学会 春季学術講演会　 

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開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

水中レーザーアニール法による多結晶Ge1-xSnx薄膜の低温形成

黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 池上浩, 財満鎭明

2013年（平成25年） 第60回応用物理学会 春季学術講演会　 

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開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Ge1-x-ySixSny エピタキシャル層/n-Ge(001)ヘテロ接合の電気的特性

朝羽俊介，山羽隆，黒澤昌志，坂下満男，田岡紀之，中塚理，財満鎭明

2013年（平成25年） 第60回応用物理学会 春季学術講演会　 

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開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル成長に与える基板面方位効果

黒澤昌志, 木戸脇翔平，浅野孝典, 田岡紀之, 中塚理，財満鎭明

2013年（平成25年） 第60回応用物理学会 春季学術講演会　 

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開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル成長に与えるSn導入効果

木戸脇翔平，浅野孝典, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理，財満鎭明

2013年（平成25年） 第60回応用物理学会 春季学術講演会　 

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開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Ge1−xSnx/Ge微細構造による局所歪構造の形成と評価

池進一, 守山佳彦, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 今井康彦, 木村滋, 手塚勉, 財満鎭明

2013年（平成25年） 第60回応用物理学会 春季学術講演会　 

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開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

圧縮歪Ge1-xSnxエピタキシャル層の電気伝導特性

浅野孝典，黒澤昌志，田岡紀之，坂下満男，中塚理，財満鎭明

2013年（平成25年） 第60回応用物理学会 春季学術講演会　 

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開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Crystalline Properties of Ge1-xSnx Epitaxial Layers on Ge(110) 国際会議

T. Asano, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2013年2月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Feasibility of Ge Device Fabrication by Low Temperature Processes on ULSI Circuits 国際会議

N. Taoka, M. Kurosawa, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2013年2月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Low temperature crystallization of group-IV semiconductors induced by eutectic metals (Al, Sn) 国際会議

M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima

6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2013年2月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Sn誘起横方向成長法によるGe1-xSnx/SiO2構造の低温形成

黒澤昌志，田岡紀之，坂下満男，中塚理，宮尾正信，財満鎭明

第12回 日本表面科学会中部支部 学術講演会 

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開催年月日： 2012年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

次世代フレキシブルデバイス実現に向けた絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長

黒澤昌志，田岡紀之，坂下満男，中塚理，宮尾正信，財満鎭明

2012年応用物理学会結晶工学分科会 第1回結晶工学未来塾 

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開催年月日： 2012年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Formation of large-grain Ge(111) films on insulator by gold-induced layer-exchange crystallization at low temperature 国際会議

J.-H. Park, T. Suzuki, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh

222th Electrochemical Society (ECS) Meeting 

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開催年月日： 2012年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：アメリカ合衆国  

Formation of Graded SiGe on Insulator by Segregation-Controlled Rapid-Melting- Growth 国際会議

R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

222th Electrochemical Society (ECS) Meeting 

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開催年月日： 2012年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

Formation of Large Grain SiGe on Insulator by Si Segregation in Seedless-Rapid-Melting Process 国際会議

R. Kato, M. Kurosawa, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao

222th Electrochemical Society (ECS) Meeting 

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開催年月日： 2012年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：アメリカ合衆国  

Hybrid-Formation of Ge-on-Insulator Structures on Si Platform by SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting Growth --- A Road to Artificial Crystal --- 国際会議

M. Miyao, M. Kurosawa, K. Toko, and T. Sadoh

222th Electrochemical Society (ECS) Meeting 

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開催年月日： 2012年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：アメリカ合衆国  

Laterally Graded SiGe-on-Insulator with Universal Si Profile by Cooling-Rate-Controlled Rapid-Melting-Growth 国際会議

R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, M. Miyao

International Conference on Solid State Devices and Materials 2012 (SSDM2012) 

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Temperature dependent Al-induced crystallization of amorphous Ge thin films on glass substrates 国際会議

K. Toko, M. Kurosawa, N. Fukata, N. Saitoh, N. Yoshizawa, N. Usami, M. Miyao, and T. Suemasu

International Conference on Solid State Devices and Materials 2012 (SSDM2012) 

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

High Mobility Poly-GeSn Layer Formed by Low Temperature Solid Phase Crystallization 国際会議

W. Takeuchi,N. Taoka, M. Kurosawa, M. Fukutome, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

International Conference on Solid State Devices and Materials 2012 (SSDM2012) 

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Si Segregation Behavior in Giant SiGe Stripes on Insulator during Rapid-Melting-Growth 国際会議

R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

IUMRS Intarnational Conference on Electronic Materials (IUMRS-CEM2012) 

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Stripe-Length Dependent Laterally Graded SiGe Profiles by Rapid-Melting-Growth 国際会議

R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

E-MRS 2012 Fall Meeting 

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：ポーランド共和国  

Defect Free Multi-Structures of [SiGe/Insulator]2 on Si (100) platform 国際会議

Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao

E-MRS 2012 Fall Meeting 

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：ポーランド共和国  

Al誘起成長法によるGe薄膜/ガラスの(111)面方位制御

都甲薫，黒澤昌志，深田直樹，齋藤徳之，吉澤徳子，宇佐美徳隆，宮尾正信，末益崇

2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会 

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Sn触媒を用いた非晶質Ge薄膜/絶縁膜の低温成長

黒澤昌志，田岡紀之，坂下満男，中塚理，宮尾正信，財満鎭明

2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会 

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

低温固相結晶化による高移動度poly-GeSn層の形成

竹内和歌奈，田岡紀之，黒澤昌志，福留誉司，坂下満男，中塚理，財満鎭明

2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会 

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

大粒径SiGe結晶/絶縁膜のシードレス溶融成長

加藤立奨，黒澤昌志，松村亮，東條友樹，佐道泰造，宮尾正信

2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会 

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

SiGe溶融成長によるSGOI構造の濃度制御 -Si濃度分布に与える冷却速度効果-

松村亮，東條友樹，横山裕之，黒澤昌志，佐道泰造，宮尾正信

2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会 

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

(111)-Oriented Large-Grain Ge on Insulator by Gold-Induced Crystallization Combined with Interfacial Layer Insertion 国際会議

J.-H. Park, T. Suzuki, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh

International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays 2012 (AM-FPD'12) 

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開催年月日： 2012年7月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Multi-Layered SiGe-on-Insulator Structures by Rapid-Melting-Growth 国際会議

Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao

2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012) 

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開催年月日： 2012年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

界面酸化膜挿入型 Au 誘起層交換成長法による大粒径 Ge(111)/絶縁膜の低温成長 -界面酸化膜厚依存性-

鈴木恒晴, パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 宮尾正信, 佐道泰造

電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会　 

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開催年月日： 2012年4月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 〜Si偏析効果による大粒径化〜

加藤立奨，黒澤昌志，横山裕之，佐道泰造，宮尾正信

電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会　 

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開催年月日： 2012年4月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)結晶/絶縁膜の形成： 界面酸化膜挿入効果

パク・ジョンヒョク，鈴木恒晴，黒澤昌志，宮尾正信，佐道泰造

2012年（平成24年）春季 第59回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2012年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

溶融成長法による面方位ハイブリッドGOI構造の創製　〜Si基板上へのGe(100), (110), (111)混載〜

黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信　

2012年（平成24年）春季 第59回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2012年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

溶融横方向成長による傾斜構造GeSn/絶縁膜の形成

黒澤昌志, 東條友樹, 松村亮, 宮尾正信　

2012年（平成24年）春季 第59回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2012年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

溶融GOIの成長フロント衝突領域におけるコヒーレント格子整合

佐道泰造, 黒澤昌志, 加藤立奨, 東條友樹, 大田康晴, 都甲薫, 宮尾正信

2012年（平成24年）春季 第59回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2012年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

全率固溶型SiGe混晶におけるシードレス溶融成長

加藤立奨，黒澤昌志，横山裕之，佐道泰造，宮尾正信

2012年（平成24年）春季 第59回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2012年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

溶融成長法によるSGOI(SiGe on Insulator)多段構造の形成 -Ge/SiO2/SiGe/SiN/Si(100)構造-

東條友樹，横山裕之，松村亮，黒澤昌志，佐道泰造，宮尾正信

2012年（平成24年）春季 第59回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2012年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

レーザーアニール法によるGOI(Ge on Insulator)構造の形成

横山裕之，東條友樹，黒澤昌志，佐道泰造，部家彰，松尾直人，宮尾正信

2012年（平成24年）春季 第59回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2012年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

SiGeミキシング誘起溶融法における成長流の可視化 -SiGe偏析の活用-

東條友樹，松村亮，横山裕之，黒澤昌志，佐道泰造，宮尾正信

2012年（平成24年）春季 第59回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2012年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

溶融 SiGe成長による濃度傾斜型SGOI構造の形成　―成長速度と偏析現象―

松村亮，東條友樹，横山裕之，黒澤昌志，佐道泰造，宮尾正信

2012年（平成24年）春季 第59回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2012年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Orientation-controlled SiGe on insulator for system on panel 国際会議

M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao　

International Thin-Film Transistor Conference 2012 (ITC'12) 

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開催年月日： 2012年1月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：ポルトガル共和国  

界面変調型Au誘起層交換法による大粒径Ge結晶/絶縁膜の方位制御成長

鈴木恒晴, パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 宮尾正信, 佐道泰造

平成23年度 応用物理学会九州支部学術講演会 

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開催年月日： 2011年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Catalytic-growth of Si-based thin-films for advanced semiconductor devices 国際会議

M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao　

Taiwan Association for Coatings and Thin Films Technology 2011 (TACT2011) 

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開催年月日： 2011年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：台湾  

Orientation-Controlled Large-Grain Ge on Insulator by Au-Induced Layer-Exchange crystallization with Al2O3 Interfacial Layers 国際会議

T. Suzuki, J.-H. Park, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh　

15th International Conference on Thin Films (ICTF-15) 

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開催年月日： 2011年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Hybrid-Formation of (100), (110), and (111) Ge-on-Insulator Structures on (100) Si Platform 国際会議

M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao　

International Conference on Solid State Devices and Materials 2011 (SSDM2011) 

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開催年月日： 2011年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

溶融SiGeの偏析成長による濃度傾斜型SGOI構造の形成

松村亮，東條友樹，横山裕之，黒澤昌志，佐道泰造，宮尾正信

2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会 

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

溶融GOI層の非直線成長とひずみ発生

加藤立奨，黒澤昌志，横山裕之，東條友樹，佐道泰造，宮尾正信

2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会 

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

SiGeミキシング誘起溶融成長法による網目状GOI層のコヒーレント成長

東條友樹，横山裕之，加藤立奨，黒澤昌志，都甲薫，佐道泰造，宮尾正信

2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会 

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Low temperature (~250oC) Layer Exchange Crystallization of Si1-xGex (x=0-1) on insulator for Advanced Flexible Devices 国際会議

J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh　

7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)　 

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：ベルギー王国  

Single-crystalline (110)-oriented Ge strips on insulating substrates by SiGe-mixing triggered rapid-melting-growth from artificial Si-micro-seeds 国際会議

M. Kurosawa, N. Kawabata, R. Kato, T. Sadoh, and M. Miyao　

7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)　 

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：ベルギー王国  

Enhancement of SiN-Induced Compressive and Tensile Strains in Si-Pillars by Modulation of SiN Network Structures 国際会議

T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, M. Miyao

7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)　 

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：ベルギー王国  

Low temperature (~250oC) crystallization of poly-SiGe films by gold-induced layer-exchange technique for flexible electronics 国際会議

J.-H. Park, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh　

2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2011) 

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開催年月日： 2011年6月 - 2011年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：大韓民国  

Low-temperature formation of (111)Si1-xGex (0<x<1) on insulator by Al-induced crystallization 国際会議

M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao　

2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2011) 

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開催年月日： 2011年6月 - 2011年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：大韓民国  

Au-catalyst induced low temperature (~250C) layer exchange crystallization for SiGe on insulator　 国際会議

J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh　

219th Electrochemical Society (ECS) Meeting　 

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開催年月日： 2011年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：カナダ  

Lateral-liquid phase epitaxy of (101) Ge-on-insulator from Si template by metal-induced crystallization　 国際会議

M. Kurosawa, N. Kawabata, R. Kato, T. Sadoh, and M. Miyao　

219th Electrochemical Society (ECS) Meeting　 

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開催年月日： 2011年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：カナダ  

AIC初期過程におけるSi0.5Ge0.5薄膜の微細構造解析

犬塚純平，光原昌寿，板倉賢，西田稔，黒澤昌志，佐道泰造，宮尾正信

2011年（平成23年）春季 第58回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2011年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

偏光ラマン分光法によるIV族半導体のひずみ評価〜1軸・2軸ひずみの分離とその応用〜

黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信　

2011年（平成23年）春季 第58回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2011年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

SiGeミキシング誘起溶融成長法とMILC法の重畳による人工単結晶GOI(110)の創製

黒澤昌志, 川畑直之, 加藤立奨, 佐道泰造, 宮尾正信　

2011年（平成23年）春季 第58回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2011年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

SiGeミキシング誘起溶融成長法で形成したGOI細線のひずみ評価

加藤立奨, 黒澤昌志, 都甲薫, 佐道泰造, 宮尾正信　

2011年（平成23年）春季 第58回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2011年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

金属誘起反応を用いたSi1-xGex/絶縁膜(x:0～1)の低温結晶成長

佐道泰造, 黒澤昌志, 川畑直之, パク・ジョンヒョク, 都甲薫, 宮尾正信　

2011年（平成23年）春季 第58回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2011年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

エキシマレーザアニールによるSiN誘起ローカル歪みの増強

佐道泰造, 黒澤昌志, 部家彰, 松尾直人, 宮尾正信

2011年（平成23年）春季 第58回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2011年3月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

次世代フレキシブルデバイスの為の多結晶Si1-xGex(x=0-1)/絶縁膜の極低温層交換成長(~250oC)

パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 川畑直之, 宮尾正信, 佐道泰造

2011年（平成23年）春季 第58回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2011年3月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Si1-xGex (0<x<1) oriented-growth on transparent-insulating-substrates by Al-induced layer-exchange crystallization　 国際会議

M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao　

International Thin-Film Transistor Conference 2011 (ITC'11)　 

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開催年月日： 2011年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

Gold-Induced Crystallization of Si at Low-Temperature (<250C) for Flexible Electronics　 国際会議

J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh　

International Conference on Enabling Science and Nanotechnology (ESciNano 2010)　 

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開催年月日： 2010年12月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：マレーシア  

Al誘起結晶化初期過程におけるSiGe薄膜の微細構造解析　

犬塚純平, 光原昌寿, 板倉賢, 西田稔, 池田賢一, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信　

平成22年度 応用物理学会九州支部学術講演会　 

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開催年月日： 2010年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

フレキシブルデバイス実現に向けたSi及びGe結晶/絶縁膜の極低温成長(~250℃)　

パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 川畑直之, 宮尾正信, 佐道泰造　

平成22年度 応用物理学会九州支部学術講演会　 

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開催年月日： 2010年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Low-temperature (<250C) crystallization of Si on insulating substrate by gold-induced layer-exchange technique　 国際会議

J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh　

IEEE Region 10 International Conference 2010 (TENCON2010)　 

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開催年月日： 2010年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Layer-Exchange-Induced Low-temperature crystallization (<250oC) of Si on insulator 国際会議

J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh　

The 4th International Workshop on Electrical Engineering　 

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開催年月日： 2010年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

High-mobility Defect-free Ge Single-crystals by Rapid Melting Growth on Insulating Substrates 国際会議

M. Miyao, K. Toko, M. Kurosawa, T. Tanaka, T. Sakane, Y. Ohta, N. Kawabata, H. Yokoyama, and T. Sadoh　

International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010)　 

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開催年月日： 2010年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：中華人民共和国  

Au誘起層交換成長法によるGe結晶/絶縁膜の極低温形成(～250℃)　

パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 川畑直之, 宮尾正信, 佐道泰造　

平成22年度(第63回) 電気関係学会九州支部連合大会　 

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開催年月日： 2010年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Single-Crystalline (100) Ge Stripes with High-Mobilities Formed on Insulating Substrates by Rapid-Melting-Growth with Artificial Single-Crystal Si Seeds　 国際会議

K. Toko, H. Yokoyama, M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao　

International Conference on Solid State Devices and Materials 2010 (SSDM 2010)　 

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開催年月日： 2010年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Uniaxial and Biaxial Strain Distribution Mapping in SOI Micro-Structures by Polarized Raman Spectroscopy　 国際会議

M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao　

International Conference on Solid State Devices and Materials 2010 (SSDM 2010)　 

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開催年月日： 2010年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Defect-Free GOI (Ge on Insulator) by SiGe Mixing-Triggered Liquid-Phase Epitaxy 国際会議

M. Miyao, K. Toko, M. Kurosawa, and T. Sadoh　

International Conference on Solid State Devices and Materials 2010 (SSDM 2010)　 

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開催年月日： 2010年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Au誘起層交換成長法による多結晶Si/絶縁膜の極低温形成(～250℃)　

パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 川畑直之, 宮尾正信, 佐道泰造　

2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会　 

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開催年月日： 2010年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

偏光ラマン分光法による局所ひずみ軸のダイレクト評価

黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信　

2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会　 

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開催年月日： 2010年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Al誘起層交換法によるSiGe結晶の配向成長機構　

川畑直之, 黒澤昌志, パク・ジョンヒョク, 佐道泰造, 宮尾正信　

2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会　 

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開催年月日： 2010年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

SiGe Mixing-Triggered Melting-Growth for Orientation-Controlled Ge on Transparent Insulating Substrates　 国際会議

K. Toko, T. Tanaka, H. Yokoyama, M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao　

International SiGe Technology and Device Meeting 2010 (ISTDM'10)　 

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開催年月日： 2010年5月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：スウェーデン王国  

Al-Induced Oriented-Crystallization of Si Films on Quartz and Its Application to Epitaxial-Template for Ge Growth　 国際会議

M. Kurosawa, N. Kawabata, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao　

International SiGe Technology and Device Meeting 2010 (ISTDM'10)　 

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開催年月日： 2010年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：スウェーデン王国  

ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム　

川畑直之, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信　

電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会　 

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開催年月日： 2010年4月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

人工単結晶核を用いたSiGeミキシング誘起溶融成長法 ―GOI (Ge on Insulator)の方位制御―　

横山裕之, 川畑直之, 坂根尭, 大田康晴, 田中貴規, 黒澤昌志, 都甲薫, 佐道泰造, 宮尾正信　

2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2010年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

絶縁膜上におけるSi単結晶粒の方位制御とSiGeミキシング誘起横方向Geエピタキシャル成長　

黒澤昌志, 川畑直之, 都甲薫, 佐道泰造, 宮尾正信　

2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2010年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Al誘起結晶化Si0.5Ge0.5薄膜の微細構造解析　

犬塚純平, 板倉賢, 西田稔, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信　

2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2010年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Al誘起層交換成長法により形成したSiGe/絶縁膜の配向性制御　

川畑直之, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信　

2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2010年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

SiGeミキシング誘起溶融成長法による無欠陥/高移動度GOI (Ge on Insulator)の形成　

都甲薫, 田中貴規, 大田康晴, 坂根尭, 横山裕之, 黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信　

2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2010年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

SiGe Mixing-Triggered Liquid-Phase Epitaxy for Defect-Free GOI (Ge on Insulator) 国際会議

K. Toko, M. Kurosawa, T. Tanaka, T. Sadoh, and M. Miyao　

5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2010年1月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Interfacial Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization of Si on Insulator for Epitaxial Template　 国際会議

M. Kurosawa, N. Kawabata, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao　

5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

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開催年月日： 2010年1月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Orientation-controlled poly-SiGe on insulator by Aluminum-induced crystallization　 国際会議

M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao　

International Thin-Film Transistor Conference 2010 (ITC'10)　 

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開催年月日： 2010年1月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

High mobility of single-crystalline Ge stripes on insulator by SiGe mixing triggered liquid-phase epitaxy　 国際会議

K. Toko, H. Yokoyama, M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Tanaka, T. Sadoh, and M. Miyao　

2009 Materials Research Society Fall Meeting　 

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開催年月日： 2009年11月 - 2009年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

Orientation-Controlled poly-Si on glass by Al-induced layer exchange technique　 国際会議

M. Kurosawa, N. Kawabata, H. Yokoyama, Y. Ohta, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao　

2009 Materials Research Society Fall Meeting　 

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開催年月日： 2009年11月 - 2009年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

Orientation Control of Large Grain Poly-Si on Glass by Interfacial Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization　 国際会議

M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao　

International Conference on Solid State Devices and Materials 2009 (SSDM 2009)　 

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開催年月日： 2009年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Al誘起層交換法による高配向Si薄膜/ガラスの低温形成

川畑直之, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信　

第17回 電子情報通信学会九州支部 学生会講演会　 

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開催年月日： 2009年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Al-Induced Low Temperature Crystallization of Si1-xGex (0<x<1) by Interfacial Al Oxide Layer Control　 国際会議

M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao　

6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-6)　 

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開催年月日： 2009年5月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：アメリカ合衆国  

アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長　

黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信　

電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会　 

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開催年月日： 2009年4月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

金属触媒誘起横方向成長法による多結晶Geの極低温成長　

佐道泰造, 萩原貴嗣, 黒澤昌志, 都甲薫, 権丈淳　

2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2009年3月 - 2009年4月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

界面酸化膜制御によるSi1-xGex (0≦x≦1)混晶のAl誘起層交換成長　

黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信　

2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2009年3月 - 2009年4月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Si/Ge多層構造のAl誘起層交換成長とSi-Geミキシング　

黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信　

2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2009年3月 - 2009年4月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

AIC法で作製したSi0.5Ge0.5薄膜の微細構造解析　

犬塚純平, 板倉賢, 西田稔, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信　

2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2009年3月 - 2009年4月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

UV照射アニールによるSiN誘起ローカル歪みの増強　

田中貴規, 田中政典, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信, 山口真典, 鈴木信二, 北村徳秀　

2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2009年3月 - 2009年4月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

AIC法により作製したSiGe薄膜の微細構造評価　

犬塚純平, 板倉賢, 西田稔, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信　

第50回日本顕微鏡学会 九州支部総会・学術講演会　 

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開催年月日： 2008年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Si/Ge多層構造に於けるAl誘起層交換成長とSi/Ge相互拡散　

黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信　

2008年（平成20年）秋季 第69回応用物理学会学術講演会　 

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開催年月日： 2008年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Interfacial-Oxide Controlled Al-Induced Crystallization of Si1-xGex (x: 0-1) on Insulating Substrate 国際会議

M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, and M. Miyao

International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices 2008 (AM-FPD'08)　 

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開催年月日： 2008年7月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Low-Temperature (111)-Oriented SiGe Growth on Insulating Substrate by Al-Induced Crystallization 国際会議

T. Sadoh, Y. Tsumura, M. Kurosawa, and M. Miyao

International SiGe Technology and Device Meeting 2008 (ISTDM'08)　 

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開催年月日： 2008年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：台湾  

MgO/Si構造上における非晶質Geの固相成長

榎本雄志, 黒澤昌志, 松本達也, 上田公二, 佐道泰造, 宮尾正信　

2008年（平成20年）春季 第55回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2008年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

SiGeのAl誘起層交換成長に与える界面酸化膜効果

黒澤昌志, 津村宜孝, 佐道泰造, 宮尾正信　

2008年（平成20年）春季 第55回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2008年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Ge Fraction Dependence of Al-induced Crystallization of SiGe at Low-Temperature 国際会議

M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, and M. Miyao

International Thin-Film Transistor Conference 2008 (ITC'08)　 

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開催年月日： 2008年1月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：大韓民国  

Orientation Control of CoPt Thin Film by MgO Template　 国際会議

T. Matsumoto, M. Kurosawa, K. Ueda, T. Sadoh, and M. Miyao

International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2007 

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開催年月日： 2007年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

Si(100)基板上に於けるMgO薄膜の結晶化　

黒澤昌志, 松本達也, 上田公二, 権丈淳, 佐道泰造, 宮尾正信　

2007年（平成19年）秋季 第68回応用物理学会学術講演会　 

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開催年月日： 2007年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

[CoPt/MgO]n薄膜多層構造に於けるCoPt配向機構の検討　

松本達也, 黒澤昌志, 上田公二, 佐道泰造, 宮尾正信　

2007年（平成19年）秋季 第68回応用物理学会学術講演会　 

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開催年月日： 2007年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長に於ける触媒種効果（Ni, Co, Cu, Pd）　

萩原貴嗣,黒澤昌志, 菅野裕士, 権丈淳, 佐道泰造, 宮尾正信　

2007年（平成19年）春季 第54回応用物理学関係連合講演会　 

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開催年月日： 2007年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

水晶振動子膜厚計の製作とその評価

黒澤昌志, 若松孝

平成16年度電子情報通信学会東京支部学生会研究発表会 

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開催年月日： 2005年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国