講演・口頭発表等 - 黒澤 昌志
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積層チャネル3D-IC向け極薄Body Poly-Ge p-&n-MISFETsを用いたCMOSインバーターとリング発振器の作製および動作実証
鎌田善己, 小池正浩, 黒澤悦男, 黒澤昌志, 太田裕之, 中塚理, 財満鎭明, 手塚勉
第62回応用物理学会春季学術講演会
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リン酸溶液中レーザドーピングにおけるGe基板面方位の効果
高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会春季学術講演会
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GGA+U法によるSi1-xSnx材料物性の精密予測
〇長江祐樹, 黒澤昌志, 加藤元太, 柴山茂久, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会春季学術講演会
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Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減
鈴木陽洋, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─（第20回記念研究会）
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Formation of strain-free Si1-x-yGexSny layers on Ge surfaces by using solid-liquid coexisting annealing 国際会議
M. Kato, M. Kurosawa, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
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Crystal growth of Si1-xSnx alloys with high Sn contents 国際会議
M. Kurosawa, M. Kato, Y. Nagae, T. Yamaha, O. Nakatsuka, and S. Zaima
8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
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Growth and characterization of Si1-x-ySnxCy ternary alloy thin films for solar cell application 国際会議
T. Yamaha, H. Oda, M. Kurosawa, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6)
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Growth and Characterization of Ternary Alloy Ge1-x-ySnxCy Layers 国際会議
T. Yamaha, H. Oda, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima
JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
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Development of metal/Ge contacts for engineering Schottky barriers 国際会議
O. Nakatsuka, Y. Deng, A. Suzuki, S. Shibayama, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima
JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
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Study of Local Strain Distribution in Ge1−xSnx/Ge Fine Structures by using Synchrotron X-ray Microdiffraction 国際会議
S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima
JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
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Sn/Ge界面の結晶構造およびショットキー障壁高さのGe面方位依存性
鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会2014
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リン酸溶液中レーザドーピングにより低温形成したGe pnダイオードの電気的特性
髙橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会2014
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GeSnC 三元混晶薄膜の結晶成長および光学特性評価
山羽隆, 小田裕貴, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会2014
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固相エピタキシャル成長法を用いた高Sn組成 SiSn層の形成
加藤元太, 黒澤昌志, 山羽隆, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会2014
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Low Schottky barrier height contacts with Sn electrode for various orientation n-Ge substrates 国際会議
A. Suzuki, D. Yunsheng, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Advanced Metallization Conference 2014 (ADMETA Plus 2014)
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Poly & Epitaxial Crystallization of Silicon-Tin Binary Alloys for Future Optoelectronics 国際会議
M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
16th International Conference on Thin Films (ICTF16)
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Epitaxial Growth of Gesn Layers on (001), (110), and (111) Si and Ge Substrates 国際会議
O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, S. Ike, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and S. Zaima
2014 ECS (Electrochemical Society) and SMEQ (Sociedad Mexicana de Electroquímica) Joint International Meeting
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Sn/Geコンタクトにおけるショットキー障壁高さのGe面方位依存性
鈴木陽洋, 鄧云生, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
第75回応用物理学会秋季学術講演会
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リン酸溶液中レーザドーピングによるGeダイオードの低温形成
高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第75回応用物理学会秋季学術講演会
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Al 誘起層交換成長の物理 〜Si の面方位制御を目指して〜
黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
第75回応用物理学会秋季学術講演会