論文 - 天野 浩
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Iron acceptors in gallium nitride (GaN) 査読有り
K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, J. Schneider, B. Monemar, I. Akasaki and H. Amano.
Materials Science Forum 143-147 巻 ( 0 ) 頁： 1993/08/01 1994年
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ODMR studies of MOVPE-grown GaN epitaxial layers 査読有り
M. Kunzer, U. Kaufmann, K. Maier, J. Schneider, N. Herres, I. Akasaki and H. Amano.
Materials Science Forum 143-147 巻 ( 0 ) 頁： 87-92 1994年
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Widegap column-III nitride semiconductors for UV/blue light emitting devices 査読有り
I. Akasaki and H. Amano.
Journal of the Electrochemical Society 141 巻 ( 0 ) 頁： 2266-71 1994年
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Perspective of UV/blue light emitting devices based on column-III nitrides 査読有り
I. Akasaki and H. Amano.
Institute of Physics Conference Series 136 巻 ( 0 ) 頁： 249-56 1994年
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p-Type conduction in Mg-doped GaN and Al008Ga092N grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
T. Tanaka, A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki, and M. Koike
Appl. Phys. Lett. 65 巻 ( 0 ) 頁： 593-4 1994年
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Deep level defects in n-type GaN 査読有り
W. Goetz, N. M. Johnson, H. Amano and I. Akasaki
Appl. Phys. Lett. 65 巻 ( 0 ) 頁： 463-5 1994年
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Infrared luminescence of residual iron deep level acceptors in gallium nitride (GaN) epitaxial layers 査読有り
J. Baur, K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, J. Schneider, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm and K. Hiramatsu
Appl. Phys. Lett. 64 巻 ( 0 ) 頁： 857-9 1994年
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Optical gain of optically pumped Al01Ga09N/GaN double heterostructure at room temperature 査読有り
S. T. Kim, H. Amano, I. Akasaki and N. Koide
Appl. Phys. Lett. 64 巻 ( 0 ) 頁： 1535-6 1994年
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Room-temperature violet stimulated emission from optically pumped AlGaN/GaInN double heterostructure 査読有り
H. Amano, T. Tanaka Y. Kunii, K. Kato S. T. Kim and I. Akasaki
Appl. Phys. Lett. 64 巻 ( 0 ) 頁： 1377-9 1994年
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Room-temperature low-threshold surface-stimulated emission by optical pumping from aluminum gallium nitride/gallium nitride (Al01Ga09N/GaN) double heterostructure 査読有り
H. Amano, N. Watanabe, N. Koide and I. Akasaki.
Jpn. J. Appl. Phys. 32 巻 ( 0 ) 頁： L1000-L1002 1993年
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Radiative energy transfer in magnesium-doped gallium nitride/chromium(3+)-doped alumina (GaN:Mg/Al2O3:Cr3+) epitaxial systems 査読有り
K. Maier, J. Schneider, I. Akasaki and H. Amano.
Jpn. J. Appl. Phys. 32 巻 ( 0 ) 頁： L846-L848 1993年
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Conductivity control of gallium nitride and fabrication of UV/blue GaN light emitting devices 査読有り
I. Akasaki, H. Amano, N. Koide M. Kotaki Mand K. Manabe
Phys. B 185 巻 ( 0 ) 頁： 428-32 1993年
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Electric properties of zinc-doped gallium nitride-type light emitting diode 査読有り
M. R. H. Khan, I. Akasaki, H. Amano, N. Okazaki and K. Manabe
Phys. B 185 巻 ( 0 ) 頁： 480-4 1993年
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GaN-based UV/blue light emitting devices 査読有り
I. Akasaki, H. Amano, K. Itoh, N. Koide and K. Manabe
Inst. Phys. Conf. Ser. 129 巻 ( 0 ) 頁： 851-6 1993年
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The growth of single crystalline gallium nitride on a silicon substrate using aluminum nitride as an intermediate layer 査読有り
A. Watanabe, T. Takeuchi K. Hirosawa, H. Amano, K. Hiramatsu and I. Akasaki
J. Crystal Growth 128 巻 ( 0 ) 頁： 391-6 1993年
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The growth of thick gallium nitride film on sapphire substrate by using zinc oxide buffer layer 査読有り
T. Detchprohm, H. Amano, K. Hiramatsu and I. Akasaki
J. Crystal Growth 128 巻 ( 0 ) 頁： 384-390 1993年
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Growth of gallium nitride and aluminum gallium nitride for UV/blue p-n junction diodes 査読有り
I. Akasaki, H. Amano, H. Murakami, M. Sassa H. Kato and K. Manabe
J. Crystal Growth 128 巻 ( 0 ) 頁： 379-383 1993年
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Perspective of the UV/blue light emitting devices based on gallium nitride and related compounds 査読有り
Akasaki Isamu, Amano Hiroshi.
Optoelec. -Devices and Technol. 7 巻 ( 0 ) 頁： 49-56 1992年
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Hydride vapor phase epitaxial growth of a high quality gallium nitride film using a zinc oxide buffer layer 査読有り
Detchprohm T., Hiramatsu K., Amano H., Akasaki I.
Appl. Phys. Lett. 61 巻 ( 0 ) 頁： 2688-2690 1992年
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Cathodoluminescence properties of undoped and zinc-doped aluminum gallium nitride grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
Itoh Kenji, Amano Hiroshi, Hiramatsu Kazumasa, Akasaki Isamu.
Jpn. J. Appl. Phys. 30 巻 ( 0 ) 頁： 1604-1608 1991年