論文 - 天野 浩
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High-quality (Ga,In)N/GaN multiple quantum wells 査読有り
Koike M, Yamasaki S, Nagai S, Koide N, Asami S, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 68 巻 ( 0 ) 頁: 1403-5 1996年
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Spatially resolved photoluminescence and Raman scattering experiments on the GaN/substrate interface 査読有り
Siegle H, Thurian P, Eckey L, Hoffmann A, Thomsen C, Meyer B K, Amano H, Akasaki I, Detchprohm T, Hiramatsu K
Appl. Phys. Lett. 68 巻 ( 0 ) 頁: 1265-6 1996年
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Free exciton emission in GaN 査読有り
Kovalev D, Averboukh B, Volm D, Meyer B K, Amano H, Akaski I
Physical Review B: Condensed Matter 54 巻 ( 0 ) 頁: 2518-2522 1996年
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Free and bound excitons in thin wurtzite GaN 査読有り
Merz C, Kunzer M, Kaufmann U, Akasaki I, Amano H
Materials Science & Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology 43 巻 ( 0 ) 頁: 176-180 1996年
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Determination of the conduction band electron effective mass in hexagonal GaN 査読有り
M. Drechsler D. M. Hofmann, B. K. Meyer, T. Detchprohm, H. Amano and I. Akasaki
Jpn. J. Appl. Phys.Part : Letters 34 巻 ( 0 ) 頁: L1178-L1179 1995年
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Characterization of residual transition metal ions in GaN and AlN 査読有り
Baur J., Kaufmann U., Kunzer M., Schneider J., Amano H., Akasaki I., Detchprohm T., Hiramatsu K.
Materials Science Forum 196-201 巻 ( 0 ) 頁: 20333 1995年
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Crystal growth of column III nitrides and their applications to short wavelength light emitters 査読有り
Akasaki I, Amano H
J. Crystal Growth 146 巻 ( 0 ) 頁: 455-61 1995年
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Magneto-optical investigation of the neutral donor bound exciton in GaN 査読有り
Volm D, Streibl T, Meyer B K, Detchprohm T, Amano H, Akasaki I
Solid State Communications 96 巻 ( 0 ) 頁: 53-56 1995年
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Exciton lifetimes in GaN and GaInN 査読有り
Harris C I, Monemar B, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 67 巻 ( 0 ) 頁: 840-2 1995年
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Surface-mode stimulated emission from optically pumped GaInN at room temperature 査読有り
Kim S T, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 67 巻 ( 0 ) 頁: 267-9 1995年
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Hydrogen passivation of Mg acceptors in GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition 査読有り
Gotz W, Johnson N M, Walker J, Bour D P, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 67 巻 ( 0 ) 頁: 1966/08/01 1995年
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Photoluminescence of residual transition metal impurities in GaN 査読有り
Baur J, Kaufmann U, Kunzer M, Schneider J, Amano H, Akasaki I, Detchprohm T, Hiramatsu K
Appl. Phys. Lett. 67 巻 ( 0 ) 頁: 1140-2 1995年
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p-Type conduction in Mg-doped Ga091In009N grown by metalorganic vapor-phase epitaxy 査読有り
Yamasaki S, Asami S, Shibata N, Koike M, Manabe K, Tanaka T, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 66 巻 ( 0 ) 頁: 1112-13 1995年
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Photoemission capacitance transient spectroscopy of n-type GaN 査読有り
Gotz W, Johnson N M, Street R A, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 66 巻 ( 0 ) 頁: 1340-2 1995年
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Properties of the yellow luminescence in undoped GaN epitaxial layers 査読有り
. Hofmann D. M., Kovalev D., Steude G., Meyer B. K., Hoffmann A., Eckey L., Heitz R., Detchprom T., Amano H., Akasaki I.
Physical Review B: Condensed Matter 52 巻 ( 0 ) 頁: 16702-6 1995年
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Exciton dynamics in GaN 査読有り
. Bergman J.P., Monemar B., Amano H., Akasaki I.
Lietuvos Fizikos Zurnalas 35 巻 ( 0 ) 頁: 569-574 1995年
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GaN/GaInN/GaN double heterostructure light emitting diode fabricated using plasma-assisted molecular beam epitaxy 査読有り
Sakai Hiromitsu, Koide Takashi, Suzuki Hiroyuki, Yamaguchi Machiko, Yamasaki Shiro, Koike Masayoshi, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu
Jpn. J. Appl. Phys.Part : Letters 34 巻 ( 0 ) 頁: L1429-L1431 1995年
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Direct patterning of the current confinement structure for p-type Column-III nitrides by low-energy electron beam irradiation treatment 査読有り
Inamori Masahiko, Sakai Hiromitsu, Tanaka Toshiyuki, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu
Jpn. J. Appl. Phys. 34 巻 ( 0 ) 頁: 1190-3 1995年
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Stimulated emission by current injection from an AlGaN/GaN/GaInN quantum well device 査読有り
I. Akasaki, H. Amano, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka and M. Koike
Jpn. J. Appl. Phys. 34 巻 ( 0 ) 頁: L1517-L1519 1995年
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Polarization of light from an optically pumped (Al-Ga-N)/(Ga-In-N) double heterostructure 査読有り
S. T. Kim, T. Tanaka, H. Amano and I. Akasaki
Mater. Sci. & Eng. B 26 巻 ( 0 ) 頁: L5-L7 1994年