論文 - 黒澤 昌志
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Al-Induced Low-Temperature Crystallization of Si1-xGex (0<x<1) by Controlling Layer Exchange Process 査読有り
M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
Thin Solid Films 頁： Vol. 518,Issue 6, Supplement 1, pp. S174-S178 2010年1月
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Stress-enhancement in free-standing Si pillars through non-equilibrium dehydrogenation in SiN:H stress-liners by UV-light irradiation 査読有り
T. Tanaka, T. Sadoh, M. Kurosawa, M. Tanaka, M. Yamaguchi, S. Suzuki, T. Kitamura, and M. Miyao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 95, Issue 26, pp. 262103-1－3 2009年12月
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Orientation-controlled Si thin films on insulating substrates by Al-induced crystallization combined with interfacial-oxide layer modulation 査読有り
M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 95, Issue 13, pp. 132103-1－3 2009年9月
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アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長
黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信
電子情報通信学会 信学技報 頁： Vol. 109, No. 20, pp. 19-23 2009年4月
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Interfacial-Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization of Si1-xGex (x: 0-1) on Insulating Substrate 査読有り
M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, and M. Miyao
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 48, No. 3, pp. 03B002-1－5 2009年3月
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Ge Fraction Dependence of Al-induced Crystallization of SiGe at Low Temperatures 査読有り
M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, and M. Miyao
Journal of the Korean Physical Society 頁： Vol. 54, No. 1, pp. 451-454 2009年1月
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Low-Temperature Oriented-Growth in [CoPt/MgO]n Multi-Layer 査読有り
T. Sadoh, M. Kurosawa, M. Kimura, K Ueda, M. Koyanagi, and M. Miyao
Thin Solid Films 頁： Vol. 517, Issue 1, pp. 430-433 2008年11月