論文 - 黒澤 昌志
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First-principles investigation of phase transition from zincblende to L10 at high temperature in Si0.5Sn0.5 alloys 査読有り
Yuki Nagae, Masashi Kurosawa, Kenji Shiraishi, and Osamu Nakatsuka
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 64, No. 2, pp. 021004-1〜7 2025年2月
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Ge0.75Sn0.25 on insulator metal-semiconductor-metal photodetector by layer transfer technique 査読有り
Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen-Hsin Chang, Komei Takagi, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 64, No. 1, pp. 01SP11-1〜7 2025年1月
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Emergence of negative differential resistance through hole resonant tunneling in GeSn/GeSiSn double barrier structure 査読有り
Shigehisa Shibayama, Shuto Ishimoto, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
IEEE Journal of the Electron Devices Society 頁： Vol. 13, pp. 79-85 2025年1月
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Epitaxial growth of Ge1−xSnx thin film with Sn composition of 50% and possibility of Ge-Sn ordered bonding structure formation 査読有り
Shigehisa Shibayama, Kaito Shibata, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
Applied Physics Express 頁： Vol. 17, No. 11, pp. 115503-1〜4 2024年11月
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Comprehensive study on epitaxial growth of GeSn(111) layers with high Sn content on Si(111) featuring Ge buffer layer 査読有り
S. Shibayama, S. Mori, Y. Kato, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka
ECS Transactions 頁： Vol. 114, No. 2, pp. 215-224 2024年10月
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Evaluation of Band Structure of Single Crystalline Si-rich SiSn Thin Film 査読有り
H. Ishizaki, R. Yokogawa, Y. Ito, M. Kurosawa, and A. Ogura
ECS Transactions 頁： Vol. 114, No. 2, pp. 225-232 2024年10月
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Synthesis and characterization of CaSi2 films for hydrogenated 2D Si nanosheets 査読有り
Ryota Takagaki, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Masashi Kurosawa, and Kosuke O. Hara
Journal of Vacuum Science and Technology A 頁： Vol. 42, Issue 5, pp. 053404-1〜7 2024年8月
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Tensile-strained Ge1−xSnx layers on Si(001) substrate by solid phase epitaxy featuring seed layer introduction 査読有り
T. Hiraide, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 63, No. 4, pp.045505-1〜7 2024年4月
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Ge1-xSnx layers with x~0.25 on InP(001) substrate grown by low-temperature molecular beam epitaxy reaching 70 oC and in-situ Sb doping 査読有り
S. Shibayama, K. Takagi, M. Sakshita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka
Materials Science in Semiconductor Processing 頁： Vol. 176, pp. 108302-1〜8 2024年3月
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Planar-type SiGe thermoelectric generator with double cavity structure 査読有り
S. Koike, R. Yanagisawa, L. Jalabert, R. Anufriev, M. Kurosawa, T. Mori, and M. Nomura
Applied Physics Letters 頁： Vol. 124, Issue 12, pp. 123902-1〜6 2024年3月
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Layer transfer of epitaxially grown Ge-lattice-matched Si27.8Ge64.2Sn8 films 査読有り
T. Maeda, H. Ishii, W. H. Chang, S. Zhang, S. Shibayama, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka
Materials Science in Semiconductor Processing 頁： Vol. 176, pp. 108304-1〜7 2024年3月
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Effect of nanostructuring on thermoelectric performance of SiGe thin films 査読有り
S. Koike, R. Yanagisawa, M. Kurosawa, R. Jha, N. Tsujii, T. Mori, and M. Nomura
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Voi. 62, No. 9, pp. 095001-1〜4 2023年9月
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Self-organized Ge1−xSnx quantum dots formed on insulators and their room temperature photoluminescence 査読有り
K. Hashimoto, S. Shibayama, K. Asaka, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 62, No. 7, pp. 075506-1〜8 2023年7月
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Lattice-matched growth of a high-Sn-content (x~0.1) Si1-xSnx layers on Si1-yGey buffers using molecular beam epitaxy 査読有り
K. Fujimoto, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
Applied Physics Express 頁： Vol. 16, No. 4, pp. 045501-1〜4 2023年4月
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Heteroepitaxial growth of CaGe2 films on high-resistivity Si(111) substrates and its application for germanane synthesizing 査読有り
K. Okada, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa
Materials Science in Semiconductor Processing 頁： Vol. 161, pp. 107462-1〜6 2023年3月
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Preparation and thermoelectric characterization of boron-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers 査読有り
K. Shibata, S. Kato, M. Kurosawa, K. Gotoh, S. Miyamoto, N. Usami , and Y. Kurokawa
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 62, No. SC, pp. SC1074-1〜8 2023年2月
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Superior Power Generation Capacity of GeSn over Si Demonstrated in Cavity-free Thermoelectric Device Architecture 査読有り
M. M. H. Mahfuz, K. Katayama, Y. Ito, K. Fujimoto, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 62, No. SC, pp. SC1058-1〜6 2023年2月
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Investigation of Band Structure in Strained Single Crystalline Si1-xSnx 査読有り
K. Sahara, R. Yokogawa, Y. Shibayama, Y. Hibino, M. Kurosawa, and A. Ogura
ECS Transactions 頁： Vol. 109, No. 4, pp. 359-366 2022年9月
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Sn-incorporation effect on thermoelectric properties of Sb-doped Ge-rich Ge1−x−ySixSny epitaxial layers grown on GaAs(001) 査読有り
M. Kurosawa, M. Nakata, T. Zhan, M. Tomita, T. Watanabe, and O. Nakatsuka
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 61, No. SC, pp. SC1048-1〜6 2022年7月
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High-pressure polycrystalline thin-film synthesis and semiconducting property of platinum pernitride 査読有り
K. Niwa, T. Iizuka, M. Kurosawa, Y. Nakamura, H. O. Valencia, H. Kishida, O. Nakatsuka, T. Sasaki, N. Gaida, and M. Hasegawa
AIP Advances 頁： Vol. 12, Issue 5, pp.055318-1〜5 2022年5月
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Solid-phase crystallization of ultra-thin amorphous Ge layers on insulators 査読有り
R. Oishi, K. Asaka, L. Bolotov, N. Uchida, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 61, No. SC, pp. SC1086-1～6 2022年4月
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Crystal structure change in multilayer GeH flakes by hydrogen desorption under ultrahigh vacuum environments 査読有り
M. Itoh, M. Araidai, A. Ohta, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 61, No. SC, pp. SC1048-1〜6 2022年2月
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Constructed Ge quantum dots and Sn precipitate SiGeSn hybrid film with high thermoelectric performance at low temperature region 査読有り
Y. Peng, L. Miao, C. Liu, H. Song, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, S. Y. Back, J. S. Rhyee, M. Murata, S. Tanemura, T. Baba, T. Baba, T. Ishizaki, and T. Mori
Advanced Energy Materials 頁： Vol. 12, Issue 2, 2103191-1〜9 2021年11月
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Thermoelectric properties of tin-incorporated group-IV thin films 査読有り
M. Kurosawa and O. Nakatsuka
ECS Transactions 頁： Vol. 104, No. 4, pp. 183-189 2021年10月
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Reinforcement of power factor in N-type multiphase thin film of Si1-x-yGexSny by mitigating the opposing behavior of Seebeck coefficient and electrical conductivity 査読有り
H. Lai, Y. Peng, J. Gao, H. Song, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, T. Takeuchi, and L. Miao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 119, Issue 11, pp. 113903-1〜6 2021年9月
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Formation and Characterization of Ge1–x–YSixSny/Ge Hetero Junction Structures for Photovoltaic Cell Application 査読有り
O. Nakatsuka, S. Asaba, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima
ECS Transactions 頁： Vol. 102, No. 4, pp. 3-9 2021年5月
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Close-spaced evaporation of CaGe2 films for scalable GeH film formation 査読有り
K. O. Hara, S. Kunieda, J. Yamanaka, K. Arimoto, M. Itoh, and M. Kurosawa
Materials Science in Semiconductor Processing 頁： Vol. 132, pp. 105928-1〜6 2021年5月
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No external load measurement strategy for micro thermoelectric generator based on high-performance Si1-x-yGexSny film 査読有り
Y. Peng, S. Zhu, H. Lai, J. Gao, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, S. Tanemura, B. Peng, and L. Miao
Journal of Materiomics 頁： Vol. 7, Issue 4, pp. 665-671 2020年12月
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Silicon‐based low-dimensional materials for Thermal Conductivity Suppression: Recent Advances and New Strategies to High Thermoelectric Efficiency 査読有り
H. Lai, Y. Peng, J. Gao, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, T. Takeuchi, and L. Miao
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 60, No. SA, pp. SA0803-1〜15 2020年10月
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Evaluation of Strain-Shift Coefficients for SiSn by Raman Spectroscopy 査読有り
R. Yokogawa, M. Kurosawa, and A. Ogura
ECS Transactions 頁： Vol. 98, No. 5, pp. 291-300 2020年9月
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Hydrogen Desorption from Silicane and Germanane Crystals: Toward Creation of Free-Standing Monolayer Silicene and Germanene 査読有り
M. Araidai, M. Itoh, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi
Journal of Applied Physics 頁： Vol. 128, Issue 12, pp. 125301-1〜5 2020年9月
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Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design 査読有り
O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita
ECS Transactions 頁： Vol. 98, No. 5, pp. 149-156 2020年9月
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Realizing high thermoelectric performance in p-type Si1-x-yGexSny thin films at ambient temperature by Sn modulation doping 査読有り
Y. Peng, H. Lai, C. Liu, J. Gao, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, T. Takeuchi, S. Zaima, S. Tanemura, and L. Miao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 117, Issue 5, pp. 053903-1〜5 2020年8月
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Design of a Planar-type Uni-leg SiGe Thermoelectric Generator 査読有り
S. Koike, R. Yanagisawa, M. Kurosawa, and M. Nomura
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 59, No. 7, pp. 074003-1〜5 2020年7月
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Continuous Growth of Germanene and Stanene Lateral Heterostructures 査読有り
T. Ogikubo, H. Shimazu, Y. Fujii, K. Ito, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, G. L. Lay, J. Yuhara
Advanced Materials Interfaces 頁： Vol. 7, No. 10, pp. 1902132-1〜7 2020年3月
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Preparation and thermoelectric characterization of phosphorus-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers 査読有り
H. Kobayashi, R. Akaishi, S. Kato, M. Kurosawa, N. Usami, and Y. Kurokawa
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 59, No. SG, pp. SGGF09-1〜6 2020年2月
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Formation of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface 査読有り
M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 59, No. SG, pp. SGGK15-1〜6 2020年2月
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分子線エピタキシー法によるSi1-xSnx薄膜の形成
丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第25回） 頁： pp. 125-128 2020年1月
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多結晶Si1-x-yGexSny三元混晶薄膜の熱電特性制御
中塚理, 彭英, 苗蕾, 高杰, 刘呈燕, 黒澤昌志, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第25回） 頁： pp. 117-120 2020年1月
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Semi-ballistic thermal conduction in polycrystalline SiGe nanowires 査読有り
N. Okamoto, R. Yanagisawa, A. Roman, Md. M. Alam, K. Sawano, M. Kurosawa, and M. Nomura
Applied Physics Letters 頁： Vol.115, Issue 25, pp. 253101-1〜4 2019年12月
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Development of Germanium-Tin-Related Semiconductor Heterostructures for Energy Band Design in Electronic and Optoelectronic Applications 査読有り
O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, S. Shibayama, and S. Zaima
ECS Transactions 頁： Vol. 92, Issue 4, pp. 41-46 2019年10月
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Realizing High Thermoelectric Performance at Ambient Temperature by Ternary Alloying in Polycrystalline Si1-x-yGexSny Thin Films with Boron Ion Implantation 査読有り
Y. Peng, L. Miao, J. Gao, C. Liu, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Scientific Reports 頁： Vol. 9, No.1, pp.14342-1〜9 2019年10月
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ゲルマニウム錫Ⅳ族混晶薄膜の結晶成長と電子物性 招待有り 査読有り
中塚理, 黒澤昌志
応用物理 頁： Vol. 88, No. 9, pp. 597-603 2019年9月
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Formation and Optoelectronic Property of Strain-relaxed Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double Heterostructure on Boron-Ion-Implanted Ge(001) Substrate 査読有り
M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 58, No. SI, pp. SIIB23-1〜6 2019年7月
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Operation of thin-film thermoelectric generator of Ge-rich poly-Ge1-xSnx on SiO2 fabricated by a low thermal budget process 査読有り
K. Takahashi, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa
Applied Physics Express 頁： Vol. 12, No. 5, pp. 051016-1〜6 2019年5月
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GaSb(001)基板上に形成したSi1-xSnx薄膜の結晶構造評価
丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回） 頁： pp. 71-74 2019年1月
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ノンドープ組成傾斜SiGeワイヤの微小ゼーベック係数測定
熊田剛大, 中村俊貴, 富田基裕, 中田壮哉, 高橋恒太, 黒澤昌志, 渡邉孝信
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回） 頁： pp. 197-200 2019年1月
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高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および光電特性評価
福田雅大, 坂下満男, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回） 頁： pp. 265-268 2019年1月
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Synthesis of heavily Ga-doped Si1-xSnx/Si heterostructures and their valence-band-offset determination 査読有り
M. Kurosawa, Y. Inaishi, R. Tange, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 58, No. SA, pp. SAAD02-1〜4 2018年11月
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Germanene Epitaxial Growth by Segregation through Ag(111) Thin Films on Ge(111) 査読有り
J. Yuhara, H. Shimazu, K. Ito, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, M. Nakatake, and G. Le Lay
ACS Nano 頁： Vol. 12, Issue 11, pp. 11632-11637 2018年10月
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Optoelectronic properties of High-Si-content-Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double-Heterostructure 査読有り
M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Semiconductor Science and Technology 頁： Vol. 33, No. 12, pp. 124018-1〜9 2018年10月
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Ultra-thin Germanium-Tin on Insulator structure through the direct bonding technique 査読有り
T. Maeda, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Oka, M. Kurosawa, Y. Imai, O. Nakatsuka, and N. Uchida
Semiconductor Science and Technology 頁： Vol. 33, No. 12, pp. 124002-1〜5 2018年10月
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Evaluation of Laterally Graded Silicon Germanium Wires for Thermoelectric Devices Fabricated by Rapid Melting Growth 査読有り
R. Yokogawa, S. Hashimoto, K. Takahashi, S. Oba, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Watanabe, and A. Ogura
ECS Transactions 頁： Vol. 86, Issue 7, pp. 87-93 2018年9月
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A New Application of Ge1-xSnx: Thermoelectric Materials 査読有り
M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
ECS Transactions 頁： Vol. 86, issue 7, pp. 321-328 2018年9月
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エネルギーハーベスティング応用に向けたIV族混晶（Ge1-xSnx）薄膜の結晶成長 招待有り 査読有り
黒澤昌志
日本熱電学会学会誌 頁： Vol. 15, No.1, pp.26-31 2018年8月
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Growth of two-dimensional Ge crystal by annealing of heteroepitaxial Ag/Ge(111) under N2 ambient 査読有り
K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 57, No. 6S1, pp. 06HD08-1〜5 2018年5月
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Segregated SiGe Ultrathin Layer Formation and Surface Planarization on Epitaxial Ag(111) by Annealing of Ag/SiGe(111) with Different Ge/(Si+Ge) Compositions 査読有り
K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 57, No. 4S, pp. 04FJ05-1〜6 2018年3月
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Dopant behavior in heavily doped polycrystalline Ge1-xSnx layers prepared with pulsed laser annealing in water 査読有り
K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 57, No. 4S, pp. 04FJ02-1〜6 2018年2月
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High n-type Sb dopant activation in Ge-rich poly-Ge1-xSnx layers on SiO2 using pulsed laser annealing in flowing water 査読有り
K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 112, Issue 6, pp. 062104-1〜5 2018年2月
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Self-organized lattice-matched epitaxy of Si1-xSnx alloys on (001)-oriented Si, Ge, and InP substrates 査読有り
M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 111, Issue 19, pp. 192106-1〜4 2017年11月
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Control of Ge1-x-ySixSny layer lattice constant for energy band alignment in Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny heterostructures 査読有り
M. Fukuda, K. Watanabe, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Semiconductor Science and Technology 頁： Vol. 32, No. 10, pp. 104008-1〜8 2017年9月
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First-principles study on adsorption structures and electronic states of stanene on α-alumina surface 査読有り
M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 56, No. 9, pp. 095701-1〜4 2017年8月
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Growth and Applications of Si1-xSnx Thin Films 査読有り
M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
ECS Transactions 頁： Vol. 80, Issue 4, pp. 253-258 2017年8月
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エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成
伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一
電子情報通信学会 信学技報 頁： Vol. 117, No. 101, pp. 43-48 2017年6月
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Evaluation of energy band offset of Si1-xSnx semiconductors by numerical calculation using density functional theory 査読有り
Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 56, No. 4S, pp.04CR10-1〜5 2017年3月
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Low-temperature crystallization of Ge-rich GeSn layers on Si3N4 substrate 査読有り
I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Materials Science in Semiconductor Processing 頁： Vol. 70, pp. 151-155 2017年1月
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水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnx層中Sbの高活性化
高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第22回） 頁： pp. 67-70 2017年1月
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Hydrogen-surfactant-mediated epitaxy of Ge1-x Snx layer and its effects on crystalline quality and photoluminescence property 査読有り
O. Nakatsuka, S. Fujinami, T. Asano, T. Koyama, M. Kurosawa, M. Sakashita, H. Kishida, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 56, No. 1S, pp. 01AB05-1〜6 2016年12月
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Solid-phase crystallization of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layers and characterization of their crystalline and optical properties 査読有り
S. Yano, T. Yamaha, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 56, No. 1S, pp. 01AB02-1〜7 2016年11月
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Large single-crystal Ge-on-insulator by thermally-assisted (~400C) Si-seeded-pulse-laser annealing 査読有り
T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, and M. Miyao
Materials Science in Semiconductor Processing 頁： Vol. 70, pp. 8-11 2016年11月
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Formation and characterization of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny double heterostructures with strain-controlled Ge1-x-ySixSny layers 査読有り
M. Fukuda, T. Yamaha, T. Asano, S. Fujinami, Y. Shimura, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Materials Science in Semiconductor Processing 頁： Vol. 70, pp. 156-161 2016年10月
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Thermoelectric Properties of Ge-Rich GeSn Films Grown on Insulators 査読有り
M. Kurosawa, K. Liu, M. Izawa, I. Tsunoda, and S. Zaima
ECS Transactions 頁： Vol. 75, Issue 8, pp. 481-487 2016年9月
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金属誘起層交換法によるAg上Si, Ge極薄膜の形成 ーシリセン, ゲルマネンの創製を目指してー 招待有り 査読有り
黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明
表面科学 頁： Vol. 37, No. 8, pp. 374-379 2016年8月
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Density functional study for crystalline structures and electronic properties of Si1-xSnx binary alloys 査読有り
Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 55, No. 8S2, pp. 08PE04-1〜4 2016年7月
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Surface-segregated Si and Ge ultrathin films formed by Ag-induced layer exchange process 査読有り
M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 55, No. 8S1, pp. 08NB07-1〜5 2016年7月
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Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価
志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会 信学技報 頁： Vol. 116, No. 1, pp. 23-26 2016年4月
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Growth of ultrahigh-Sn-content Ge1-xSnx epitaxial layer and its impact on controlling Schottky barrier height of metal/Ge contact 査読有り
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 55, No. 4S, pp. 04EB12-1〜6 2016年3月
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Effect of in situ Sb doping on crystalline and electrical characteristics of n-type Ge1-xSnx epitaxial layer 査読有り
J. Jeon, T. Asano, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 55, No. 4S, pp. 04EB13-1〜5 2016年3月
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Low thermal budget n-type doping into Ge(001) surface using ultraviolet laser irradiation in phosphoric acid solution 査読有り
K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 108, Issue 5, pp. 052104-1〜4 2016年2月
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界面エネルギー制御による絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長
吉川勲, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回） 頁： pp. 21-24 2016年1月
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Si1–xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析
長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回） 頁： pp. 17-20 2016年1月
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Mobility Behavior of Polycrystalline Si1-x-yGexSny Grown on Insulators 査読有り
T. Ohmura, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Transaction of the Materials Research Society of Japan 頁： Vol. 40, No. 4, pp. 351-354 2015年12月
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Defect and dislocation structures in low-temperature-grown Ge and Ge1-xSnx epitaxial layers on Si(110) substrates 査読有り
S. Kidowaki, T. Asano, Y. Shimura, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 頁： Vol. 598, 1 January 2016, pp. 72–81 2015年12月
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Reduction of Schottky barrier height at metal/n-Ge interface by introducing an ultra-high Sn content Ge1-xSnx interlayer 査読有り
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 107, Issue 21, pp. 212103-1〜5 2015年11月
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Challenges of Energy Band Engineering with New Sn-Related Group IV Semiconductor Materials for Future Integrated Circuits 査読有り
S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Yamaha, T. Asano, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawaa, W. Takeuchi, M. Sakashita
ECS Transactions 頁： Vol. 69, Issue 10, pp. 89-98 2015年10月
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High hole mobility tin-doped polycrystalline germanium layers formed on insulating substrates by low-temperature solid-phase crystallization 査読有り
W. Takeuchi, N. Taoka, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 107, Issue 2, pp.022103-1〜4 2015年7月
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Growth and Application of GeSn-Related Group-IV Semiconductor Materials 招待有り 査読有り
S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita
Science and Technology of Advanced Materials 頁： Vol.16, Issue 4, pp. 043502-1〜22 2015年7月
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Characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge fine structures by synchrotron X-ray microdiffraction 査読有り
S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 106, Issue 18, pp. 182104-1〜5 2015年5月
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Near-infrared light absorption by polycrystalline SiSn alloys grown on insulating layers 査読有り
M. Kurosawa, M. Kato, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 106, Issue 17, pp. 171908-1〜5 2015年4月
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高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 〜直接遷移構造化を目指して〜
黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会 信学技報 頁： Vol. 115, No. 18, pp. 35-37 2015年4月
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Formation, crystalline structure, and optical properties of Ge1-x-ySnxCy ternary alloy layers 査読有り
T. Yamaha, K. Terasawa, H. Oda, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 54, Issue 4S, pp. 04DH08-1〜6 2015年2月
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Effect of Sn on crystallinity and electronic property of low temperature grown polycrystalline-Si1-x-yGexSny layers on SiO2 査読有り
T. Yamaha, M. Kurosawa, T. Ohmura, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Solid State Electronics 頁： Vol. 110, pp. 54-58 2015年2月
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Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1-x-ySixSny layers on Ge(001) substrates 査読有り
T. Asano, T. Terashima, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Solid State Electronics 頁： Vol. 110, pp. 49-53 2015年2月
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Sn/Ge コンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減
鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第20回研究会） 頁： pp. 59-62 2015年1月
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Operation of inverter and ring oscillator of ultrathin-body poly-Ge CMOS 査読有り
Y. Kamata, M. Koike, E. Kurosawa, M. Kurosawa, H. Ota, O. Nakatsuka, S. Zaima, and T. Tezuka
Applied Physics Express 頁： Vol. 7, No. 12, pp.121302-1〜4 2014年11月
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Comprehensive study of Al-induced layer-exchange growth for orientation-controlled Si crystals on SiO2 substrates 査読有り
M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
Journal of Applied Physics 頁： Vol. 116, Issue17, pp.173510-1〜8 2014年11月
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Epitaxial Growth of GeSn Layers on (001), (110), and (111) Si and Ge Substrates 査読有り
O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, S. Ike, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and S. Zaima
ECS Transactions 頁： Vol. 64, Issue 6, pp. 793-799 2014年10月
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Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減
鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 中塚理, 黒澤昌志, 加藤公彦, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明
電子情報通信学会 信学技報 頁： vol. 114, no. 88, pp. 11-16 2014年6月
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絶縁膜上における IV 族半導体の低温形成 〜低融点 Sn の活用〜
黒澤昌志, 田岡紀之, 池上浩, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会 信学技報 頁： vol. 114, no. 88, pp. 91-95 2014年6月
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Dynamics Analysis of Rapid-Melting Growth Using SiGe on Insulator 査読有り
R. Matsumura, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
Thin Solid Films 頁： Vol. 557, pp. 125–128 2014年4月
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Coherent Lateral-Growth of Ge over Insulating Film by Rapid-Melting-Crystallization 査読有り
T. Sadoh, M. Kurosawa, K. Toko, and M. Miyao
Thin Solid Films 頁： Vol. 557, pp. 135–138 2014年4月
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Influence of Ge Substrate Orientation on Crystalline Structures of Ge1-xSnx Epitaxial Layers 査読有り
T. Asano, S. Kidowaki, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 頁： Vol. 557, pp. 159–163 2014年4月
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Formation and characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge microstructures 査読有り
S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 頁： Vol. 557, pp. 164–168 2014年4月
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Reduction of Schottky Barrier Height for n-type Ge Contact by using Sn Electrode 査読有り
A. Suzuki, S. Asaba, J. Yokoi, K. Kato, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 53, Issue 4S, pp. 04EA06-1〜5 2014年3月
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Giant-lateral-growth of SiGe stripes on insulating-substrate by self-organized-seeding and melt-back-growth in solid-liquid coexisting region 査読有り
R. Matsumura, R. Kato, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
Electrochemical and Solid-State Letters 頁： Vol. 3, Isuue 5, pp. P61-P64 2014年3月
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Large grain growth of Ge-rich Ge1-xSnx (x=0.02) on insulating surfaces using pulsed laser annealing in flowing water 査読有り
M. Kurosawa, N. Taoka, H. Ikenoue, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 104, Issue 6, pp. 061901-1〜4 2014年2月
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Characterization of Local Strain Structures in Heteroepitaxial Ge1-xSnx/Ge Microstructures by using Microdiffraction Method 査読有り
S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima
ECS Transactions 頁： Vol. 58, Issue 9, pp. 185-192 2013年10月
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Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials on Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic Applications: Challenges and Opportunitiesi 査読有り
O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima
ECS Transactions 頁： Vol. 58, Issue 9, pp. 149-155 2013年10月
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Low-Temperature Metal-Induced Crystallization of Orientation-Controlled SiGe on Insulator for Flexible Electronics 査読有り
T. Sadoh, J.-H. Park, M. Kurosawa, and M. Miyao
ECS Transactions 頁： Vol. 58, Issue 9, pp. 213-221 2013年10月
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Liquid-Sn-driven lateral growth of poly-GeSn on insulator assisted by surface oxide layer 査読有り
M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 103, Issue 11, pp. 101904-1〜4 2013年9月
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Nucleation-controlled gold-induced crystallization for selective formation of Ge(100) and (111) on insulator at low-temperature (~250oC) 査読有り
J.-H. Park, T. Suzuki, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh
Applied Physics Letters 頁： Vol. 103, Issue 8, pp. 082102-1〜4 2013年8月
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Temperature dependent Al-induced crystallization of amorphous Ge thin films on SiO2 substrates 査読有り
K. Toko, N. Fukata, K. Nakazawa, M. Kurosawa, N. Usami, M. Miyao, T. Suemasu
Journal of Crystal Growth 頁： Vol. 372, pp. 189–192 2013年6月
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High-quality formation of multiply stacked SiGe-on-insulator structures by temperature-modulated successive rapid-melting-growth 査読有り
Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 102, Issue 2, pp. 092102-1〜4 2013年3月
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Atomically-coherent-coalescence of two growth-fronts in Ge stripes on insulator by rapid-melting lateral-crystallization 査読有り
M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, I. Mizushima, and M. Miyao
ECS Journal of Solid State Science and Technology 頁： Vol. 2, Issue 3, pp. P54-P57 2012年12月
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Growth-rate-dependent laterally graded SiGe profiles on insulator by cooling-rate controlled rapid-melting-growth 査読有り
R. Matsumura, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, I. Mizushima, and M. Miyao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 101, Issue 24, pp. 241904-1〜5 2012年12月
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Formation of Large Grain SiGe on Insulator by Si Segregation in Seedless-Rapid-Melting Process 査読有り
R. Kato, M. Kurosawa, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao
ECS Transactions 頁： Vol. 50, Issue 9, pp. 431-436 2012年10月
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(Invited) Hybrid-Formation of Ge-on-Insulator Structures on Si Platform by SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting Growth --- A Road to Artificial Crystal --- 査読有り
M. Miyao, M. Kurosawa, K. Toko, Y. Tojo, and T. Sadoh
ECS Transactions 頁： Vol. 50, Issue 5, pp. 59-70 2012年10月
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Formation of Graded SiGe on Insulator by Segregation-Controlled Rapid-Melting- Growth 査読有り
R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
ECS Transactions 頁： Vol. 50, Issue 9, pp. 747-751 2012年10月
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Formation of Large-Grain Ge(111) Films on Insulator by Gold-Induced Layer-Exchange Crystallization at Low Temperature Poster Session 査読有り
J.-H. Park, T. Suzuki, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh
ECS Transactions 頁： Vol. 50, Issue 9, pp. 475-480 2012年10月
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Single-crystalline laterally-graded GeSn on insulator structures by segregation controlled rapid-melting growth 査読有り
M. Kurosawa, Y. Tojo, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 101, Issue 9, pp. 091905-1〜4 2012年8月
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Highly (111)-oriented Ge thin films on insulators formed by Al-induced crystallization 査読有り
K. Toko, M. Kurosawa, N. Saitoh, N. Yoshizawa, N. Usami, M. Miyao, and T. Suemasu
Applied Physics Letters 頁： Vol. 101, Issue 7, pp. 072106-1〜3 2012年8月
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Enhanced Interfacial-Nucleation in Al-Induced Crystallization for (111) Oriented Si1-xGex (0<x<1) Films on Insulating Substrates 査読有り
M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao
ECS Journal of Solid State Science and Technology 頁： Vol. 1, Issue 3, pp. P144-P147 2012年8月
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SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI（Ge on Insulator）の形成―人工単結晶への道― 招待有り 査読有り
宮尾正信，佐道泰造，都甲薫，黒澤昌志
応用物理 頁： Vol. 81, No. 5, pp. 410-414 2012年5月
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Hybrid-orientation Ge-on-insulator structures on (100) Si platform by Si micro-seed formation combined with rapid-melting growth 査読有り
M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 100, Issue 17, pp. 172107-1〜5 2012年4月
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界面酸化膜挿入型 Au 誘起層交換成長法による大粒径 Ge(111)/絶縁膜の低温成長-界面酸化膜厚依存性-
鈴木恒晴, パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 宮尾正信, 佐道泰造
電子情報通信学会 信学技報 頁： vol. 112, no. 18, pp. 71-73 2012年4月
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絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 〜Si偏析効果による大粒径化〜
加藤立奨，黒澤昌志，横山裕之，佐道泰造，宮尾正信
電子情報通信学会 信学技報 頁： vol. 112, no. 18, pp. 61-62 2012年4月
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Enhancement of SiN-Induced Compressive and Tensile Strains in Si Free-Standing Microstructures by Modulation of SiN Network Structures 査読有り
T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, M. Miyao
Thin Solid Films 頁： Vol. 520, Issue 8, pp. 3276–3278 2012年2月
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Low Temperature (~250oC) Layer Exchange Crystallization of Si1-xGex (x= 1-0) on Insulator for Advanced Flexible Devices 査読有り
J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
Thin Solid Films 頁： Vol. 520, Issue 8, pp. 3293–3295 2012年2月
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Au-catalyst induced low temperature (~250oC) layer exchange crystallization for SiGe on insulator 査読有り
J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
ECS Transactions 頁： Vol. 35, Issue 5, pp. 39-42 2011年5月
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Lateral-liquid phase epitaxy of (101) Ge-on-insulator from Si template by metal-induced crystallization 査読有り
M. Kurosawa, N. Kawabata, R. Kato, T. Sadoh, and M. Miyao
ECS Transactions 頁： Vol. 35, Issue 5, pp. 51-54 2011年5月
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Low-temperature (~250oC) Cu-induced lateral crystallization of Ge on insulator 査読有り
T. Sadoh, M. Kurosawa, T. Hagihara, K. Toko, and M. Miyao
Electrochemical and Solid-State Letters 頁： Vol. 17, Issue 7, pp. H274-H276 2011年4月
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Au-induced low-temperature (~250oC) crystallization of Si on insulator through layer-exchange process 査読有り
J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
Electrochemical and Solid-State Letters 頁： Vol. 14, Issue 6, pp. H232-H234 2011年3月
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SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting-Growth of High-Mobility Ge-on-Insulator 査読有り
T. Sadoh, K. Toko, M. Kurosawa, T. Tanaka, T. Sakane, Y. Ohta, N. Kawabata, H. Yokoyama, and M. Miyao
Key Engineering Materials 頁： Vol. 470, pp. 8-13 2011年2月
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Al-Induced Oriented-Crystallization of Si Films on Quartz and Its Application to Epitaxial-Template for Ge Growth 査読有り
M. Kurosawa, K. Toko, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao
Solid State Electronics 頁： Volume 60, Issue 1, pp. 7–12 2011年2月
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Dehydrogenation-enhanced large strain (~1.6%) in free-standing Si microstructures covered with SiN stress liners 査読有り
M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
Electrochemical and Solid-State Letters 頁： Vol. 14, Issue 4, pp. H174-H176 2011年2月
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Selective-mapping of uniaxial and biaxial strains in SOI micro-structures by polarized micro-probe Raman spectroscopy 査読有り
M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 98, Issue 1, pp. 012110-1－3 2011年1月
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High-mobility defect-free Ge single-crystals by rapid melting growth on insulating substrates 査読有り
M. Miyao, K. Toko, M. Kurosawa, T. Tanaka, T. Sakane, Y. Ohta, N. Kawabata, H. Yokoyama, and T. Sadoh
Proceeding of ICSICT2010 (IEEE) 頁： pp.827-830 2010年12月
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Low-temperature (<250oC) crystallization of Si on insulating substrate by gold-induced layer-exchange technique 査読有り
J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
Proceeding of TENCON2010 (IEEE) 頁： pp.2196-2198 2010年11月
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(100) orientation-controlled Ge giant-stripes on insulating substrates by rapid-melting growth combined with Si micro-seed technique 査読有り
K. Toko, M. Kurosawa, H. Yokoyama, N. Kawabata, T. Sakane, Y. Ohta, T. Tanaka, T. Sadoh, and M. Miyao
Applied Physics Express 頁： Vol. 3, No. 7, pp. 075603-1－3 2010年6月
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ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム
川畑直之, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
電子情報通信学会 信学技報 頁： Vol. 110, No. 15, pp. 13-17 2010年4月
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Al-Induced Low-Temperature Crystallization of Si1-xGex (0<x<1) by Controlling Layer Exchange Process 査読有り
M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
Thin Solid Films 頁： Vol. 518,Issue 6, Supplement 1, pp. S174-S178 2010年1月
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Stress-enhancement in free-standing Si pillars through non-equilibrium dehydrogenation in SiN:H stress-liners by UV-light irradiation 査読有り
T. Tanaka, T. Sadoh, M. Kurosawa, M. Tanaka, M. Yamaguchi, S. Suzuki, T. Kitamura, and M. Miyao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 95, Issue 26, pp. 262103-1－3 2009年12月
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Orientation-controlled Si thin films on insulating substrates by Al-induced crystallization combined with interfacial-oxide layer modulation 査読有り
M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 95, Issue 13, pp. 132103-1－3 2009年9月
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アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長
黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信
電子情報通信学会 信学技報 頁： Vol. 109, No. 20, pp. 19-23 2009年4月
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Interfacial-Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization of Si1-xGex (x: 0-1) on Insulating Substrate 査読有り
M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, and M. Miyao
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 48, No. 3, pp. 03B002-1－5 2009年3月
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Ge Fraction Dependence of Al-induced Crystallization of SiGe at Low Temperatures 査読有り
M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, and M. Miyao
Journal of the Korean Physical Society 頁： Vol. 54, No. 1, pp. 451-454 2009年1月
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Low-Temperature Oriented-Growth in [CoPt/MgO]n Multi-Layer 査読有り
T. Sadoh, M. Kurosawa, M. Kimura, K Ueda, M. Koyanagi, and M. Miyao
Thin Solid Films 頁： Vol. 517, Issue 1, pp. 430-433 2008年11月