論文 - 黒澤 昌志
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Highly (111)-oriented Ge thin films on insulators formed by Al-induced crystallization 査読有り
K. Toko, M. Kurosawa, N. Saitoh, N. Yoshizawa, N. Usami, M. Miyao, and T. Suemasu
Applied Physics Letters 頁： Vol. 101, Issue 7, pp. 072106-1〜3 2012年8月
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Enhanced Interfacial-Nucleation in Al-Induced Crystallization for (111) Oriented Si1-xGex (0<x<1) Films on Insulating Substrates 査読有り
M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao
ECS Journal of Solid State Science and Technology 頁： Vol. 1, Issue 3, pp. P144-P147 2012年8月
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SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI（Ge on Insulator）の形成―人工単結晶への道― 招待有り 査読有り
宮尾正信，佐道泰造，都甲薫，黒澤昌志
応用物理 頁： Vol. 81, No. 5, pp. 410-414 2012年5月
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Hybrid-orientation Ge-on-insulator structures on (100) Si platform by Si micro-seed formation combined with rapid-melting growth 査読有り
M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 100, Issue 17, pp. 172107-1〜5 2012年4月
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界面酸化膜挿入型 Au 誘起層交換成長法による大粒径 Ge(111)/絶縁膜の低温成長-界面酸化膜厚依存性-
鈴木恒晴, パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 宮尾正信, 佐道泰造
電子情報通信学会 信学技報 頁： vol. 112, no. 18, pp. 71-73 2012年4月
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絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 〜Si偏析効果による大粒径化〜
加藤立奨，黒澤昌志，横山裕之，佐道泰造，宮尾正信
電子情報通信学会 信学技報 頁： vol. 112, no. 18, pp. 61-62 2012年4月
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Enhancement of SiN-Induced Compressive and Tensile Strains in Si Free-Standing Microstructures by Modulation of SiN Network Structures 査読有り
T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, M. Miyao
Thin Solid Films 頁： Vol. 520, Issue 8, pp. 3276–3278 2012年2月
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Low Temperature (~250oC) Layer Exchange Crystallization of Si1-xGex (x= 1-0) on Insulator for Advanced Flexible Devices 査読有り
J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
Thin Solid Films 頁： Vol. 520, Issue 8, pp. 3293–3295 2012年2月
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Au-catalyst induced low temperature (~250oC) layer exchange crystallization for SiGe on insulator 査読有り
J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
ECS Transactions 頁： Vol. 35, Issue 5, pp. 39-42 2011年5月
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Lateral-liquid phase epitaxy of (101) Ge-on-insulator from Si template by metal-induced crystallization 査読有り
M. Kurosawa, N. Kawabata, R. Kato, T. Sadoh, and M. Miyao
ECS Transactions 頁： Vol. 35, Issue 5, pp. 51-54 2011年5月
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Low-temperature (~250oC) Cu-induced lateral crystallization of Ge on insulator 査読有り
T. Sadoh, M. Kurosawa, T. Hagihara, K. Toko, and M. Miyao
Electrochemical and Solid-State Letters 頁： Vol. 17, Issue 7, pp. H274-H276 2011年4月
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Au-induced low-temperature (~250oC) crystallization of Si on insulator through layer-exchange process 査読有り
J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
Electrochemical and Solid-State Letters 頁： Vol. 14, Issue 6, pp. H232-H234 2011年3月
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SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting-Growth of High-Mobility Ge-on-Insulator 査読有り
T. Sadoh, K. Toko, M. Kurosawa, T. Tanaka, T. Sakane, Y. Ohta, N. Kawabata, H. Yokoyama, and M. Miyao
Key Engineering Materials 頁： Vol. 470, pp. 8-13 2011年2月
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Al-Induced Oriented-Crystallization of Si Films on Quartz and Its Application to Epitaxial-Template for Ge Growth 査読有り
M. Kurosawa, K. Toko, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao
Solid State Electronics 頁： Volume 60, Issue 1, pp. 7–12 2011年2月
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Dehydrogenation-enhanced large strain (~1.6%) in free-standing Si microstructures covered with SiN stress liners 査読有り
M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
Electrochemical and Solid-State Letters 頁： Vol. 14, Issue 4, pp. H174-H176 2011年2月
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Selective-mapping of uniaxial and biaxial strains in SOI micro-structures by polarized micro-probe Raman spectroscopy 査読有り
M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 98, Issue 1, pp. 012110-1－3 2011年1月
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High-mobility defect-free Ge single-crystals by rapid melting growth on insulating substrates 査読有り
M. Miyao, K. Toko, M. Kurosawa, T. Tanaka, T. Sakane, Y. Ohta, N. Kawabata, H. Yokoyama, and T. Sadoh
Proceeding of ICSICT2010 (IEEE) 頁： pp.827-830 2010年12月
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Low-temperature (<250oC) crystallization of Si on insulating substrate by gold-induced layer-exchange technique 査読有り
J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
Proceeding of TENCON2010 (IEEE) 頁： pp.2196-2198 2010年11月
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(100) orientation-controlled Ge giant-stripes on insulating substrates by rapid-melting growth combined with Si micro-seed technique 査読有り
K. Toko, M. Kurosawa, H. Yokoyama, N. Kawabata, T. Sakane, Y. Ohta, T. Tanaka, T. Sadoh, and M. Miyao
Applied Physics Express 頁： Vol. 3, No. 7, pp. 075603-1－3 2010年6月
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ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム
川畑直之, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
電子情報通信学会 信学技報 頁： Vol. 110, No. 15, pp. 13-17 2010年4月