論文 - 黒澤 昌志
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Si1–xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析
長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回） 頁： pp. 17-20 2016年1月
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Mobility Behavior of Polycrystalline Si1-x-yGexSny Grown on Insulators 査読有り
T. Ohmura, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Transaction of the Materials Research Society of Japan 頁： Vol. 40, No. 4, pp. 351-354 2015年12月
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Defect and dislocation structures in low-temperature-grown Ge and Ge1-xSnx epitaxial layers on Si(110) substrates 査読有り
S. Kidowaki, T. Asano, Y. Shimura, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 頁： Vol. 598, 1 January 2016, pp. 72–81 2015年12月
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Reduction of Schottky barrier height at metal/n-Ge interface by introducing an ultra-high Sn content Ge1-xSnx interlayer 査読有り
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 107, Issue 21, pp. 212103-1〜5 2015年11月
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Challenges of Energy Band Engineering with New Sn-Related Group IV Semiconductor Materials for Future Integrated Circuits 査読有り
S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Yamaha, T. Asano, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawaa, W. Takeuchi, M. Sakashita
ECS Transactions 頁： Vol. 69, Issue 10, pp. 89-98 2015年10月
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High hole mobility tin-doped polycrystalline germanium layers formed on insulating substrates by low-temperature solid-phase crystallization 査読有り
W. Takeuchi, N. Taoka, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 107, Issue 2, pp.022103-1〜4 2015年7月
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Growth and Application of GeSn-Related Group-IV Semiconductor Materials 招待有り 査読有り
S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita
Science and Technology of Advanced Materials 頁： Vol.16, Issue 4, pp. 043502-1〜22 2015年7月
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Characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge fine structures by synchrotron X-ray microdiffraction 査読有り
S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 106, Issue 18, pp. 182104-1〜5 2015年5月
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Near-infrared light absorption by polycrystalline SiSn alloys grown on insulating layers 査読有り
M. Kurosawa, M. Kato, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 106, Issue 17, pp. 171908-1〜5 2015年4月
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高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 〜直接遷移構造化を目指して〜
黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会 信学技報 頁： Vol. 115, No. 18, pp. 35-37 2015年4月
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Formation, crystalline structure, and optical properties of Ge1-x-ySnxCy ternary alloy layers 査読有り
T. Yamaha, K. Terasawa, H. Oda, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 54, Issue 4S, pp. 04DH08-1〜6 2015年2月
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Effect of Sn on crystallinity and electronic property of low temperature grown polycrystalline-Si1-x-yGexSny layers on SiO2 査読有り
T. Yamaha, M. Kurosawa, T. Ohmura, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Solid State Electronics 頁： Vol. 110, pp. 54-58 2015年2月
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Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1-x-ySixSny layers on Ge(001) substrates 査読有り
T. Asano, T. Terashima, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Solid State Electronics 頁： Vol. 110, pp. 49-53 2015年2月
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Sn/Ge コンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減
鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第20回研究会） 頁： pp. 59-62 2015年1月
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Operation of inverter and ring oscillator of ultrathin-body poly-Ge CMOS 査読有り
Y. Kamata, M. Koike, E. Kurosawa, M. Kurosawa, H. Ota, O. Nakatsuka, S. Zaima, and T. Tezuka
Applied Physics Express 頁： Vol. 7, No. 12, pp.121302-1〜4 2014年11月
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Comprehensive study of Al-induced layer-exchange growth for orientation-controlled Si crystals on SiO2 substrates 査読有り
M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
Journal of Applied Physics 頁： Vol. 116, Issue17, pp.173510-1〜8 2014年11月
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Epitaxial Growth of GeSn Layers on (001), (110), and (111) Si and Ge Substrates 査読有り
O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, S. Ike, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and S. Zaima
ECS Transactions 頁： Vol. 64, Issue 6, pp. 793-799 2014年10月
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Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減
鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 中塚理, 黒澤昌志, 加藤公彦, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明
電子情報通信学会 信学技報 頁： vol. 114, no. 88, pp. 11-16 2014年6月
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絶縁膜上における IV 族半導体の低温形成 〜低融点 Sn の活用〜
黒澤昌志, 田岡紀之, 池上浩, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会 信学技報 頁： vol. 114, no. 88, pp. 91-95 2014年6月
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Dynamics Analysis of Rapid-Melting Growth Using SiGe on Insulator 査読有り
R. Matsumura, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
Thin Solid Films 頁： Vol. 557, pp. 125–128 2014年4月