論文 - 黒澤 昌志
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Solid-phase crystallization of ultra-thin amorphous Ge layers on insulators 査読有り
R. Oishi, K. Asaka, L. Bolotov, N. Uchida, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 61, No. SC, pp. SC1086-1～6 2022年4月
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Crystal structure change in multilayer GeH flakes by hydrogen desorption under ultrahigh vacuum environments 査読有り
M. Itoh, M. Araidai, A. Ohta, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 61, No. SC, pp. SC1048-1〜6 2022年2月
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Constructed Ge quantum dots and Sn precipitate SiGeSn hybrid film with high thermoelectric performance at low temperature region 査読有り
Y. Peng, L. Miao, C. Liu, H. Song, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, S. Y. Back, J. S. Rhyee, M. Murata, S. Tanemura, T. Baba, T. Baba, T. Ishizaki, and T. Mori
Advanced Energy Materials 頁： Vol. 12, Issue 2, 2103191-1〜9 2021年11月
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Thermoelectric properties of tin-incorporated group-IV thin films 査読有り
M. Kurosawa and O. Nakatsuka
ECS Transactions 頁： Vol. 104, No. 4, pp. 183-189 2021年10月
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Reinforcement of power factor in N-type multiphase thin film of Si1-x-yGexSny by mitigating the opposing behavior of Seebeck coefficient and electrical conductivity 査読有り
H. Lai, Y. Peng, J. Gao, H. Song, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, T. Takeuchi, and L. Miao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 119, Issue 11, pp. 113903-1〜6 2021年9月
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Formation and Characterization of Ge1–x–YSixSny/Ge Hetero Junction Structures for Photovoltaic Cell Application 査読有り
O. Nakatsuka, S. Asaba, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima
ECS Transactions 頁： Vol. 102, No. 4, pp. 3-9 2021年5月
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Close-spaced evaporation of CaGe2 films for scalable GeH film formation 査読有り
K. O. Hara, S. Kunieda, J. Yamanaka, K. Arimoto, M. Itoh, and M. Kurosawa
Materials Science in Semiconductor Processing 頁： Vol. 132, pp. 105928-1〜6 2021年5月
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No external load measurement strategy for micro thermoelectric generator based on high-performance Si1-x-yGexSny film 査読有り
Y. Peng, S. Zhu, H. Lai, J. Gao, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, S. Tanemura, B. Peng, and L. Miao
Journal of Materiomics 頁： Vol. 7, Issue 4, pp. 665-671 2020年12月
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Silicon‐based low-dimensional materials for Thermal Conductivity Suppression: Recent Advances and New Strategies to High Thermoelectric Efficiency 査読有り
H. Lai, Y. Peng, J. Gao, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, T. Takeuchi, and L. Miao
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 60, No. SA, pp. SA0803-1〜15 2020年10月
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Evaluation of Strain-Shift Coefficients for SiSn by Raman Spectroscopy 査読有り
R. Yokogawa, M. Kurosawa, and A. Ogura
ECS Transactions 頁： Vol. 98, No. 5, pp. 291-300 2020年9月
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Hydrogen Desorption from Silicane and Germanane Crystals: Toward Creation of Free-Standing Monolayer Silicene and Germanene 査読有り
M. Araidai, M. Itoh, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi
Journal of Applied Physics 頁： Vol. 128, Issue 12, pp. 125301-1〜5 2020年9月
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Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design 査読有り
O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita
ECS Transactions 頁： Vol. 98, No. 5, pp. 149-156 2020年9月
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Realizing high thermoelectric performance in p-type Si1-x-yGexSny thin films at ambient temperature by Sn modulation doping 査読有り
Y. Peng, H. Lai, C. Liu, J. Gao, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, T. Takeuchi, S. Zaima, S. Tanemura, and L. Miao
Applied Physics Letters 頁： Vol. 117, Issue 5, pp. 053903-1〜5 2020年8月
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Design of a Planar-type Uni-leg SiGe Thermoelectric Generator 査読有り
S. Koike, R. Yanagisawa, M. Kurosawa, and M. Nomura
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 59, No. 7, pp. 074003-1〜5 2020年7月
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Continuous Growth of Germanene and Stanene Lateral Heterostructures 査読有り
T. Ogikubo, H. Shimazu, Y. Fujii, K. Ito, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, G. L. Lay, J. Yuhara
Advanced Materials Interfaces 頁： Vol. 7, No. 10, pp. 1902132-1〜7 2020年3月
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Preparation and thermoelectric characterization of phosphorus-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers 査読有り
H. Kobayashi, R. Akaishi, S. Kato, M. Kurosawa, N. Usami, and Y. Kurokawa
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 59, No. SG, pp. SGGF09-1〜6 2020年2月
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Formation of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface 査読有り
M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 59, No. SG, pp. SGGK15-1〜6 2020年2月
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分子線エピタキシー法によるSi1-xSnx薄膜の形成
丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第25回） 頁： pp. 125-128 2020年1月
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多結晶Si1-x-yGexSny三元混晶薄膜の熱電特性制御
中塚理, 彭英, 苗蕾, 高杰, 刘呈燕, 黒澤昌志, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第25回） 頁： pp. 117-120 2020年1月
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Semi-ballistic thermal conduction in polycrystalline SiGe nanowires 査読有り
N. Okamoto, R. Yanagisawa, A. Roman, Md. M. Alam, K. Sawano, M. Kurosawa, and M. Nomura
Applied Physics Letters 頁： Vol.115, Issue 25, pp. 253101-1〜4 2019年12月